一种杂散光偏转器、光芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种杂散光偏转器、光芯片及其制作方法。本发明专利技术基于灰度刻蚀的方式在芯片开设凹槽，在凹槽的槽壁上镀设可将不同波长杂散光反射至外部空间的金属反射层构成杂散光偏转器，能够有效的去除光芯片的不同波长、不同模式、不同角度的杂散光，且工艺步骤简单，布局灵活且成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种杂散光偏转器、光芯片及其制作方法
本专利技术涉及一种光波导器件，具体涉及一种杂散光偏转器、光芯片及其制作方法。
技术介绍
光芯片、光子芯片或集成光波导芯片是5G光通信、光计算等领域的关键器件结构之一。激光器、光纤以及光学探测器均可以通过不同种的耦合方式直接与光芯片连接交互。常见的耦合方式如图1所示，分为两种：端面耦合和光栅耦合。信号光源从激光器01或者光纤02输出，并通过光芯片03中的一个输入波导04进入到光芯片回路05中进行光信号处理，光信号处理完后通过输出波导06的端口传输至光探测器07中。在光芯片03与激光器01、光纤探测器07交互处理过程中，不可避免的存在两种耦合损耗：耦合损耗与片上损耗。耦合损耗是由激光器01或光纤02与光芯片03耦合时存在不可避免的光损失，使部分光进入光芯片波导以外的区域产生的。这些进入波导以外区域的部分光被称作散射光，如图2所示。同理，片上损耗是光芯片中进行信号处理的光，在芯片各波导内部交互不可避免存在的散射光。在光芯片上无论哪种损耗的散射光，都不受光波导的限制，可以在芯片中以任意方向传播。一部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种杂散光偏转器，其特征在于：包括开设在光芯片上的凹槽，凹槽的两侧槽壁有一个为倾斜面，并且倾斜面上镀设有可将不同波长、不同模式和不同角度的杂散光从凹槽开口端全部反射至外部空间的金属反射层；凹槽的长度、宽度以及深度均为微米级或亚微米级。/n

【技术特征摘要】
1.一种杂散光偏转器，其特征在于：包括开设在光芯片上的凹槽，凹槽的两侧槽壁有一个为倾斜面，并且倾斜面上镀设有可将不同波长、不同模式和不同角度的杂散光从凹槽开口端全部反射至外部空间的金属反射层；凹槽的长度、宽度以及深度均为微米级或亚微米级。


2.根据权利要求1所述的杂散光偏转器，其特征在于：所述倾斜面为直线斜面或曲线斜面。


3.根据权利要求2所述的杂散光偏转器，其特征在于：所述凹槽采用CMOS的灰度刻蚀工艺或者机械刻蚀的制作。


4.根据权利要求3所述的杂散光偏转器，其特征在于：金属反射层的材料采用金或铜或铝。


5.一种光芯片，包括输入波导、输出波导，至少一条光信号传输波导和/或至少一个敏感区域；其特征在于：输入波导两侧设置两个如权利要求1-4所述杂散光偏转器，用于将输入波导输出的杂散光反射出凹槽。


6.根据权利要求5所述光芯片，其特征在于：输出波导两侧设置两个如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜炳政，朱晓田，李特尔·布兰特·埃弗雷特，戴维森·罗伊·理查德，王翔，李伟恒，张强，
申请(专利权)人：珠海奇芯光电科技有限公司，西安奇芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44