气足制造技术

本发明专利技术公开了一种气足。本发明专利技术中，气足包括：气足本体，气足本体呈矩形板状，且矩形板的四个角部设有倒角面；气足本体的底面上开设有第一环形泄气槽和第二环形泄气槽，第一环形泄气槽与第二环形泄气槽同轴设置且相对于第二环形泄气槽径向向内间隔开，在第一环形泄气槽和第二环形泄气槽之间形成气浮区；矩形气足本体的底面上还具有位于第二环形泄气槽内的真空预载区；气足本体的各侧面和/或各倒角面上均开设有泄气口；气足本体内开设有与第一环形泄气槽和第二环形泄气槽相连通的多个泄气通道；多个泄气通道分别与各泄气口连通。与现有技术相比，使得气足性能稳定，结构简单，安装使用方便，加工成本低。

【技术实现步骤摘要】
气足
本专利技术实施例涉及精密设备
，特别涉及气足。
技术介绍
气足是为精密运动台提供气浮轴承支撑、以保证运动台在平台(一般为大理石平台)上作无摩擦运动的关键部件，其包括气浮结构和真空预紧力结构。图1所示为现有技术的一种方形气足，该方形气足的气足板103的底面四个角为气浮结构101a、101b、101c、101d，中心为真空预紧力结构102，气浮结构101a、101b、101c、101d与真空预紧力结构102由气足板103加工成一体。如图2所示，气足工作时，气浮结构101a、101b、101c、101d通入正压气体，在气足与平台201之间形成气膜，使气足受到气浮力N的支撑，保证气足在平台201上作无摩擦运动，而真空预紧力结构102则通入真空，使气足受到与气浮力N方向相反的真空预紧力F的作用，调节气浮力N及真空预紧力F的大小，可调节气足的气浮刚度。上述现有技术的方形气足结构的特点是，若要提高气足的气浮刚度，需同时增加气浮力N和真空预紧力F，而增加真空预紧力F会导致气足板103的中部产生弯曲(如图2中的虚线所示)，如图3所示，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气足，其特征在于，包括：气足本体，所述气足本体呈矩形板状，且所述矩形板的四个角部设有倒角面；/n所述气足本体的底面上开设有第一环形泄气槽和第二环形泄气槽，所述第一环形泄气槽与所述第二环形泄气槽同轴设置且相对于所述第二环形泄气槽径向向内间隔开，在所述第一环形泄气槽和所述第二环形泄气槽之间设置气浮区；/n所述矩形气足本体的底面上还具有位于所述第二环形泄气槽内的真空预载区；/n所述气足本体的各侧面和/或各倒角面上均开设有泄气口；所述气足本体内开设有与所述第一环形泄气槽和所述第二环形泄气槽相连通的多个泄气通道；所述多个泄气通道分别与各泄气口连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种气足，其特征在于，包括：气足本体，所述气足本体呈矩形板状，且所述矩形板的四个角部设有倒角面；
所述气足本体的底面上开设有第一环形泄气槽和第二环形泄气槽，所述第一环形泄气槽与所述第二环形泄气槽同轴设置且相对于所述第二环形泄气槽径向向内间隔开，在所述第一环形泄气槽和所述第二环形泄气槽之间设置气浮区；
所述矩形气足本体的底面上还具有位于所述第二环形泄气槽内的真空预载区；
所述气足本体的各侧面和/或各倒角面上均开设有泄气口；所述气足本体内开设有与所述第一环形泄气槽和所述第二环形泄气槽相连通的多个泄气通道；所述多个泄气通道分别与各泄气口连通。


2.根据权利要求1所述的气足，其特征在于，各所述泄气口沿周向等角度设置。


3.根据权利要求1所述的气足，其特征在于，所述倒角面与其相邻的两个侧面的夹角相同。


4.根据权利要求3所述的气足，其特征在于，各所述倒角面的倒角深度为8-20mm。


5.根据权利要求1所述的气足，其特征在于，所述第一环形泄气槽与所述第二环形泄气槽与所述气足本体同轴设置；
所述气足本体的底面上开设有与所述气足本体同轴设置的真空孔，所述真空孔位于所述真空预载区内；所述气足本体内设有与所述真空孔相通的真空气道，所述真空气道与外界相通。


6.根据权利要求5所述的气足，其特征在于，所述气足本...

【专利技术属性】
技术研发人员：江旭初，袁嘉欣，吴火亮，
申请(专利权)人：上海隐冠半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31