【技术实现步骤摘要】
半成品薄膜预成形方法和半成品薄膜
本专利技术涉及材料
，半成品薄膜的预成形方法和半成品薄膜、采用上述结构的元件、预成形件和散热装置；本专利技术尤其适用于电子领域。
技术介绍
现代技术的发展推动了电子技术的飞跃进步，尤其是IC半导体和MEMS技术进步推动了集成电路、芯片、片上系统、系统芯片、合封芯片、应用处理器、人工智能芯片、显示屏、显卡、存储器、射频放大器、LED、功率器件、服务器、功放模块、电源管理和其它电子元件技术的不断进步。电子技术进步的结果就是元件和装置的超薄/小型化、轻量化、高频、高功率和高密度化。GaN半桥电路在10MHz工作频率和400V工作电压时，其每平方厘米发热功率可以达到6400W。5G终端的耗电量提高30％左右；单个图形处理器每平方厘米发热功率可以达到40W，单个中央处理器每平方厘米发热功率可以达到30W。将来高功率器件及芯片的每平方厘米发热功率或可以达到500W甚至是1000W。可半导体的耐受温度通常是90度，特殊的是105度。有统计研究表明，电子产品功能故障或劣化50％与温度升高有关；发热元件...
【技术保护点】
1.一种半成品薄膜预成形方法，其特征是平面导热材料半成品薄膜的平面内至少有一种减弱结构。/n
【技术特征摘要】
1.一种半成品薄膜预成形方法，其特征是平面导热材料半成品薄膜的平面内至少有一种减弱结构。
2.根据权利要求1所述的半成品薄膜预成形方法，其特征是减弱结构为尺寸减薄、预切加工或断开与连续间隔排列，至少其中一种。
3.一种半成品薄膜预成形方法，其特征是半成品薄膜的平面至少有一个边缘端面或减弱结构分离后的边缘端面为斜面，至少其中一个端面有。
4.根据权利要求1-3任一所述的半成品薄膜预成形方法，其特征是半成品薄膜层叠成形。
5.一种半成品薄膜预成形方法，其特征是半成品薄膜或层叠成形半成品薄膜端面加工时，加工方向与半成品薄膜平面既不平行也不垂直。
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