一种单分子层半导体高聚物薄膜的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种单分子层半导体高聚物薄膜的制备方法，所述方法包括：将高聚物溶解于有机溶剂中，获得浓度为20μg/ml～50μg/ml高聚物溶液，所述有机溶剂为甲苯、间二甲苯、对二甲苯中的一种；获得衬底，将所述高聚物溶液滴加到所述衬底的表面，静置后，获得薄膜衬底；将所述薄膜衬底进行退火处理，获得单分子层半导体高聚物薄膜。该方法通过溶液滴铸法直接大面积自组装在衬底上，制备了大面积的单分子层半导体高聚物薄膜。该方法制备简单，可用于未来做有机单分子层电子器件的关键技术铺垫。

【技术实现步骤摘要】
一种单分子层半导体高聚物薄膜的制备方法
本专利技术涉及单分子层半导体高聚物薄膜的制备
，尤其涉及一种单分子层半导体高聚物薄膜的制备方法。
技术介绍
有机薄膜可以通过简单的溶液处理拥有优越的机械柔性，引起了人们的广泛关注，在有机薄膜晶体管、有机发光二极管、有机太阳能电池、有机能量收集装置和有机自旋电荷转换器等领域中获得了广泛的应用。随着有机器件尺寸的不断缩小，有机场效应晶体管的体积必然会缩小才能适应新的技术要求。同时极少数的栅极电介质控制着与晶体管相邻的有机半导体第一层中的载流子输运。因此基于半导体单分子层(单层)的OFETs是特别重要的关键技术之一。单分子层晶体管(以下简称单层晶体管)由于单层的二维特性，使载流子及其路径限制在二维，也为研究基本输运机制提供了一个近乎理想的平台。单层晶体管由于其通道的可及性，在化学和生物传感器中具有很大的应用潜力，因此具有更高的灵敏度、更快的响应/恢复速度、更好的选择性和较低的检测限。超薄多晶卟啉、聚芴和聚亚胺等已在固体基底(如金属、石墨和石墨烯)上通过常规化学反应如Ullmann反应、Schiff本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单分子层半导体高聚物薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：/n将高聚物溶解于有机溶剂中，获得浓度为20μg/ml～50μg/ml高聚物溶液，所述有机溶剂为甲苯、间二甲苯、对二甲苯中的一种；/n将所述高聚物溶液滴加到衬底的表面，静置后，获得薄膜衬底；/n将所述薄膜衬底进行退火处理，获得单分子层半导体高聚物薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种单分子层半导体高聚物薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
将高聚物溶解于有机溶剂中，获得浓度为20μg/ml～50μg/ml高聚物溶液，所述有机溶剂为甲苯、间二甲苯、对二甲苯中的一种；
将所述高聚物溶液滴加到衬底的表面，静置后，获得薄膜衬底；
将所述薄膜衬底进行退火处理，获得单分子层半导体高聚物薄膜。


2.根据权利要求1所述的一种单分子层半导体高聚物薄膜的制备方法，其特征在于，所述高聚物为PBTTT、P3HT、PQT、P8FT、PFB、P3OT、P3DDT中的一种。


3.根据权利要求2所述的一种单分子层半导体高聚物薄膜的制备方法，其特征在于，所述高聚物纯度≥99.5％。


4.根据权利要求1所述的一种单分子层半导体高聚物薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为甲苯。


5.根据权利要求1所述的一种单分子层半导体高聚物薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为表面覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泠，周政，王嘉玮，卢年端，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11