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本发明提供了一种单分子层半导体高聚物薄膜的制备方法，所述方法包括：将高聚物溶解于有机溶剂中，获得浓度为20μg/ml～50μg/ml高聚物溶液，所述有机溶剂为甲苯、间二甲苯、对二甲苯中的一种；获得衬底，将所述高聚物溶液滴加到所述衬底的表面，...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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