【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于半导体光刻以及照相制版的投影光学系统,特别涉及一种对称式双远心投影光学系统。
技术介绍
随着投影光刻技术的发展,投影光学系统的性能逐步提高,并可以适用于集成电路制造等多种领域。现已将投影光刻技术成功应用于亚微米分辨率集成电路制造领域。在半导体封装技术中,投影光刻技术可用于要求较低分辨率(如几微米)、较大焦深、较高产率的金凸块/锡凸块、硅片级芯片尺度封装(WLCSP)技术等领域。然而在现有技术中,如美国专利US 6,879,383(公告日2005年4月12日),其采用折反射结构,与全折射结构比,最大缺点是横向尺寸大,导致对透镜材料的要求十分高,尤其是大口径的凹面反射镜的加工、检测要求都十分苛刻;而且色差校正、视场、工作距、装校要求、成本等方面也不如全折射结构具有更大的优势。再者,该专利给出该光学系统5个实施例中,其工作距离仅达到7.5mm~11mm范围,其光学总长达到1150mm~1200mm以上。在实际投影光学系统的应用中,该工作距离将对工件台、尤其是掩模台的设计提出十分苛刻的尺寸限制,如使用0.25英寸厚掩模版的掩模台,其尺寸设计将受到 ...
【技术保护点】
一种对称式双远心投影光学系统,用于将物平面内的图形成像到像平面内,所述的对称式双远心投影光学系统沿其光轴方向包括前组、孔径光阑和后组,其特征在于:所述的前组由第一到第四镜组(G1~G4)组成,第一和第三镜组(G1、G3)具有负光焦度,第二和第四镜组(G2、G4)具有正光焦度;所述的后组由第五到第八镜组(G5~G8)组成,第五和第七镜组(G5、G7)具有正光焦度,第六和第八镜组(G6、G8)具有负光焦度;所述的前组和后组关于孔径光阑对称,且所述每一镜组的光学透镜表面均为球面或平面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡燕民,周畅,刘国淦,
申请(专利权)人:上海微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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