一种多气隙高绝缘大电流电感制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多气隙高绝缘大电流电感，包括绝缘架以及安装在所述绝缘架内的线圈，所述绝缘架的顶部和底部分别安装有上磁芯片和下磁芯片，所述绝缘架的相对两侧设有用于支撑所述上磁芯片的凸台，所述凸台内开有上下贯通的磁槽，所述磁槽内插接有侧磁芯块；所述绝缘架的中部设有一通孔，所述通孔内安装有R棒磁柱，所述R棒磁柱上套接有套筒，所述套筒的下端与固定连接于绝缘架；所述侧磁芯块和所述R棒磁柱的上下两端分别与所述上磁芯片和所述下磁芯片的内端面粘合，形成闭合的磁场回路；所述线圈外套于所述套筒上且与所述上磁芯片之间设有绝缘垫片；本实用新型专利技术绝缘性高，能够同时满足大电流、高电压的设计需求。

【技术实现步骤摘要】
一种多气隙高绝缘大电流电感
本技术涉及一种电感，具体是涉及一种多气隙高绝缘大电流电感。
技术介绍
目前的大电流电感虽然可以实现小体积大功率，但是会存在储能的问题，特别是铁氧体材料做成的磁芯，由于大电流电感采用的铁氧体磁芯多为锰锌铁氧体材质，表面阻抗低，不适用于高电压的情况；另外，在组装大电流电感完成后，一般会开局部气隙以防止磁芯直流偏置导致磁饱和，单个局部气隙的存在，导致气隙附近的边缘磁通急剧增加，辐射线圈造成巨大的涡流损耗；因此，大部分的大电流电感很难同时满足大电流、高电压的设计需求。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题，就是提供一种多气隙高绝缘大电流电感，该大电流电感的绝缘性高，能够同时满足大电流、高电压的设计需求。解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案如下：一种多气隙高绝缘大电流电感，包括绝缘架以及安装在所述绝缘架内的线圈，所述绝缘架的顶部和底部分别安装有上磁芯片和下磁芯片，所述绝缘架的相对两侧设有用于支撑所述上磁芯片的凸台，所述凸台内开有上下贯通的磁槽，所述磁槽内插接有侧磁芯块；所述绝缘架的中部设有一通孔，所述通孔内插装有R棒磁柱，所述R棒磁柱上套接有套筒，所述套筒的上端口与所述上磁芯片的内端面粘合，套筒的下端口固定连接于绝缘架；所述侧磁芯块和所述R棒磁柱的上下两端分别与所述上磁芯片和所述下磁芯片的内端面粘合，形成闭合的磁场回路；所述线圈外套于所述套筒上且与所述上磁芯片之间设有绝缘垫片。在上述技术方案的基础上，本技术可以做如下改进：本技术所述绝缘架的下端面与所述下磁芯片卡接并配有相应的卡扣，所述下磁芯片的相对两侧设有与所述卡扣对应的卡槽。本技术所述上磁芯片、所述下磁芯片与所述R棒磁柱以及所述套筒上端口的粘接处均采用含有玻璃珠或胶粒的胶水粘接固定。本技术所述绝缘架为LCP、电木或工程塑胶制作而成。本技术所述上磁芯片和所述下磁芯片均为锰锌铁氧体磁材料或金属磁粉芯制作而成。本技术所述R棒磁柱为铁氧体磁材料或金属磁粉芯制作而成。本技术所述侧磁芯块为铁氧体磁材料或金属磁粉芯制作而成。与现有技术相比，本技术技术具有以下优点：(1)本技术所述的多气隙高绝缘大电流电感中通过绝缘架和绝缘垫片能够将线圈与磁芯片、侧磁芯块以及R棒磁柱有效隔离，从而防止产品在高电压时被击穿，提高绝缘性，能够同时满足大电流、高电压的设计需求；(2)本技术所述的多气隙高绝缘大电流电感采用铁氧体或金属磁粉芯制作而成的R棒磁柱，该材质内部存在均匀分布的小气隙，相当于将磁芯局部气隙分解为多个均匀分布的小气隙，磁力线在磁芯内部不易产生边缘磁通，减少边缘磁通对线圈的辐射所造成过流损耗，实现低温升，提高工作效率。附图说明下面结合附图和具体实施例对本技术做进一步详细说明图1为本技术多气隙高绝缘大电流电感的顶部结构示意图；图2为本技术多气隙高绝缘大电流电感的底部结构示意图；图3为本技术多气隙高绝缘大电流电感的拆装视图；图4为本技术多气隙高绝缘大电流电感的绝缘架顶部结构示意图；图5为本技术多气隙高绝缘大电流电感的绝缘架底部结构示意图；图6为本技术多气隙高绝缘大电流电感的下磁芯片结构示意图。附图上的标记：1-绝缘架、2-线圈、3-上磁芯片、4-下磁芯片、5-凸台、6-磁槽、7-侧磁芯块、8-套筒、9-R棒磁柱、10-绝缘垫片、11-卡扣、12-卡槽、13-电极引脚、14-通孔。具体实施方式参见图1～6，本实施例的一种多气隙高绝缘大电流电感，包括绝缘架1以及安装在绝缘架内的线圈2，绝缘架1的顶部和底部分别安装有上磁芯片2和下磁芯片4，上磁芯片3和下磁芯片4均为锰锌铁氧体制造而成的I性磁片，根据设计需要，上磁芯片3和下磁芯片4也可以为金属磁粉芯制作而成；绝缘架1的相对两侧设有用于支撑上磁芯片3的对称凸台5，两个凸台5内均开有上下贯通的磁槽6，磁槽6内插接有侧磁芯块7，该侧磁芯块7为铁氧体磁性材料制作而成，根据设计需要，侧磁芯块7也可以为金属磁粉芯制作而成；绝缘架1的中部开设有一通孔14，通孔14内插装有R棒磁柱9，该R棒磁柱9为铁氧体磁性材料制作而成，根据设计需要，R棒磁柱9也可以为金属磁粉芯制作而成；R棒磁柱9外套接有套筒8，套筒8的上端口与上磁芯片3的内端面粘合，套筒8的下端口与绝缘架1的上端面固定连接，且与通孔14连通；侧磁芯块7和R棒磁柱9的上下两端分别与上磁芯片3和下磁芯片4的内端面粘合，形成闭合的磁场回路以产生电感；线圈2套于套筒8上且与上磁芯片3之间设有绝缘垫片10；该绝缘架1和绝缘垫片10将线圈2与磁芯片、侧磁芯块以及R棒磁柱分隔，降低扩散磁通对线圈2性能的影响，减少线圈2的涡流效应，因此，本实施例中的多气隙高绝缘大电流电感的绝缘性高，能够同时满足大电流、高电压的设计需求。本实施例中的绝缘架1的下端面与下磁芯片4卡接并配有相应的卡扣11，下磁芯片4的相对两侧设有与卡扣11对应的卡槽12，从而方便下磁芯4与绝缘架1快速定位安装。本实施例中的上磁芯片3、下磁芯片4与R棒磁柱9两端以及套筒8上端口的粘接处均采用含有玻璃珠或胶粒的胶水粘接固定，从而形成大电流电感的气隙，气隙的大小可以根据实际设计需要，选择含有相应直径的玻璃珠或胶粒的胶水。本实施例中的绝缘架1为工业化液晶聚合物(LCP)制作而成，具有良好的绝缘性，根据实际设计需要也可以为电木或工程塑胶制作而成。本实施例中线圈2具有与PCB板电路相连接的电极引脚13，电极引脚13的末端向下垂直延伸；线圈2的输入端和输出端向线圈2外的同一侧引伸且垂直于下磁芯片4向下折弯，直接作为电极引脚8。本实施例中的线圈2为扁平铜线绕制而成，在高频情况下，相对于圆形导线，趋肤效应更小，有利于应用于高电流和高功耗的环境，同时，能够降低电阻，实现高功率、低损耗，加快导热，有利于散热；根据设计需要也可以选择圆形漆包线、多股线或利兹线。本技术的上述实施例并不是对本技术保护范围的限定，本技术的实施方式不限于此，凡此种种根据本技术的上述内容，按照本领域的普通技术知识和惯用手段，在不脱离本技术上述基本技术思想前提下，对本技术上述结构做出的其它多种形式的修改、替换或变更，均应落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多气隙高绝缘大电流电感，包括绝缘架以及安装在所述绝缘架内的线圈，所述绝缘架的顶部和底部分别安装有上磁芯片和下磁芯片，其特征在于，所述绝缘架的相对两侧设有用于支撑所述上磁芯片的凸台，所述凸台内开有上下贯通的磁槽，所述磁槽内套接有侧磁芯块；所述绝缘架的中部设有一通孔，所述通孔内插装有R棒磁柱，所述R棒磁柱上套接有套筒，所述套筒的上端口与所述上磁芯片的内端面粘合，套筒的下端口固定连接于所述绝缘架；所述侧磁芯块和所述R棒磁柱的上下两端分别与所述上磁芯片和所述下磁芯片的内端面粘合，形成闭合的磁场回路；所述线圈外套于所述套筒上且与所述上磁芯片之间设有绝缘垫片。/n

【技术特征摘要】
1.一种多气隙高绝缘大电流电感，包括绝缘架以及安装在所述绝缘架内的线圈，所述绝缘架的顶部和底部分别安装有上磁芯片和下磁芯片，其特征在于，所述绝缘架的相对两侧设有用于支撑所述上磁芯片的凸台，所述凸台内开有上下贯通的磁槽，所述磁槽内套接有侧磁芯块；所述绝缘架的中部设有一通孔，所述通孔内插装有R棒磁柱，所述R棒磁柱上套接有套筒，所述套筒的上端口与所述上磁芯片的内端面粘合，套筒的下端口固定连接于所述绝缘架；所述侧磁芯块和所述R棒磁柱的上下两端分别与所述上磁芯片和所述下磁芯片的内端面粘合，形成闭合的磁场回路；所述线圈外套于所述套筒上且与所述上磁芯片之间设有绝缘垫片。


2.根据权利要求1所述的多气隙高绝缘大电流电感，其特征在于，所述绝缘架的下端面与所述下磁芯片卡接并配有相应的卡扣，所述下磁芯片的相对两侧设...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐琼，卢轩，
申请(专利权)人：深圳市科达嘉电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44