装置、存储器装置及电子系统制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种包括堆叠结构的装置，所述堆叠结构包括叠层，所述叠层各自包括：存储器层级，其包括存储器元件；控制逻辑层级，其垂直地邻近所述存储器层级并与其电连通且包括控制逻辑装置，所述控制逻辑装置经配置以实现所述存储器层级的控制操作的一部分；及额外控制逻辑层级，其垂直地邻近所述存储器层级并与其电连通且包括额外控制逻辑装置，所述额外控制逻辑装置经配置以实现所述存储器层级的所述控制操作的额外部分。本发明专利技术也描述一种存储器装置、一种操作装置的方法及一种电子系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】装置、存储器装置及电子系统优先权声明本申请案主张于2018年4月30日提出申请的标题为“半导体装置及相关存储器装置、电子系统以及操作半导体装置的方法(SemiconductorDevices,andRelatedMemoryDevices,ElectronicSystems,andMethodsofOperatingSemiconductorDevices)”的美国专利申请案第15/966,197号的申请日期的权益。
本专利技术的实施例涉及半导体装置设计及制作的领域。更具体来说，本专利技术的实施例涉及包含堆叠结构的半导体装置，所述堆叠结构包括具有与控制逻辑层级及额外控制逻辑层级操作地相关联的存储器层级的叠层，且涉及相关存储器装置、电子系统及方法。
技术介绍
半导体装置设计者通常期望通过减小个别特征的尺寸且通过减小相邻特征之间的分离距离来增加半导体装置内的集成水平或特征密度。另外，半导体装置设计者通常期望设计不仅紧凑而且提供性能优点以及经简化设计的架构。半导体装置的一个实例为存储器装置。存储器装置通常作为计算机或其它电子装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置，其包括：/n堆叠结构，所述堆叠结构包括叠层，所述叠层中的每一者包括：/n存储器层级，其包括存储器元件；/n控制逻辑层级，其垂直地邻近所述存储器层级并与其电连通且包括控制逻辑装置，所述控制逻辑装置经配置以实现所述存储器层级的控制操作的一部分；及/n额外控制逻辑层级，其垂直地邻近所述存储器层级并与其电连通且包括额外控制逻辑装置，所述额外控制逻辑装置经配置以实现所述存储器层级的所述控制操作的额外部分；及/n基底控制逻辑结构，其与所述堆叠结构电连通且进一步包括控制逻辑装置，所述控制逻辑装置经配置以实现所述存储器层级的所述控制操作的另一部分。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180430 US 15/966,1971.一种装置，其包括：
堆叠结构，所述堆叠结构包括叠层，所述叠层中的每一者包括：
存储器层级，其包括存储器元件；
控制逻辑层级，其垂直地邻近所述存储器层级并与其电连通且包括控制逻辑装置，所述控制逻辑装置经配置以实现所述存储器层级的控制操作的一部分；及
额外控制逻辑层级，其垂直地邻近所述存储器层级并与其电连通且包括额外控制逻辑装置，所述额外控制逻辑装置经配置以实现所述存储器层级的所述控制操作的额外部分；及
基底控制逻辑结构，其与所述堆叠结构电连通且进一步包括控制逻辑装置，所述控制逻辑装置经配置以实现所述存储器层级的所述控制操作的另一部分。


2.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：
第一互连结构，其从所述基底控制逻辑结构与所述堆叠结构的所述叠层中的每一者的所述控制逻辑层级且在其之间延伸；及
第二互连结构，其从所述基底控制逻辑结构与所述堆叠结构的所述叠层中的每一者的所述额外控制逻辑层级且在其之间延伸。


3.根据权利要求2所述的装置，其中：
所述第一互连结构横向地含纳于定位成接近所述堆叠结构的第一横向边界的第一插座区内；且
所述第二互连结构横向地含纳于定位成接近所述堆叠结构的第二不同横向边界的第二不同插座区内。


4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的装置，其中所述存储器层级垂直地插置在所述控制逻辑层级与所述额外控制逻辑层级之间。


5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的装置，其中所述控制逻辑层级及所述额外控制逻辑层级中的一或多者在所述堆叠结构的垂直相邻的叠层之间共享。


6.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的装置，其中：
所述控制逻辑层级经配置以控制所述存储器层级内的所述存储器元件的阵列的列操作，所述阵列包括所述存储器元件的列及所述存储器元件的行；且
所述额外控制逻辑层级垂直地上覆所述控制逻辑层级且经配置以控制所述存储器层级内的所述存储器元件的所述阵列的行操作。


7.根据权利要求6所述的装置，其中：
所述控制逻辑层级包括控制装置布置，其包括以下各项中的一或多者：列解码器、感测放大器、局域I/O装置及列修复装置；且
所述额外控制逻辑层级包括额外控制装置布置，其包括以下各项中的一或多者：行解码器、字线驱动器及行修复装置。


8.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的装置，其中：
所述控制逻辑层级经配置以控制所述存储器层级内的所述存储器元件的阵列的行操作，所述阵列包括所述存储器元件的列及所述存储器元件的行；且
所述额外控制逻辑层级垂直地上覆所述控制逻辑层级且经配置以控制所述存储器层级内的所述存储器元件的所述阵列的列操作。


9.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的装置，其中所述控制逻辑层级及所述额外控制逻辑层级各自包括TFTCMOS装置，所述TFTCMOS装置中的一或多者包括：
第一晶体管，其包括N型沟道区域；及
第二晶体管，其水平地相邻所述第一晶体管且包括P型沟道区域。


10.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的装置，其中所述控制逻辑层级及所述额外控制逻辑层级各自包括TFTCMOS装置，所述TFTCMOS装置中的一或多者包括：
第一晶体管，其包括N型沟道区域；及
第二晶体管，其垂直地相邻所述第一晶体管且包括P型沟道区域。


11.一种存储器装置，其包括：
基底...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·E·西里斯，K·D·拜格尔，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US