半导体模块制造技术

本发明专利技术提供一种能够提高逻辑芯片和RAM间的带宽(bandwidth)的半导体模块。半导体模块(1)具有逻辑芯片、分别由层叠型RAM模块构成的一对RAM部(30)、使逻辑芯片与一对RAM部(30)分别电连接的第一中介层(10)、将逻辑芯片与一对RAM部(30)之间分别以能够通信的方式连接的连接部(40)，一个RAM部(30a)载置在第一中介层(10)，其一端部隔着连接部(40)与逻辑芯片的一端部在层叠方向(C)重叠配置，另一个RAM部(30b)隔着连接部(40)与一个RAM部(30a)重合，并沿逻辑芯片的外周配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体模块
本专利技术涉及一种半导体模块。
技术介绍
以往，作为存储装置已知有DRAM(DynamicRandomAccessMemory：动态随机访问存储器)等易失性存储器(RAM)。DRAM追求运算装置(以下称逻辑芯片)的高性能化、能够应对数据量的增大的大容量化。因此，通过存储器(存储器单元阵列、存储器芯片)的微型化和平面方向地增设单元来实现大容量化。另一方面，由于微型化所带来的对于噪声的薄弱性、晶模面积的增加等，此类大容量化已达极限。因此，近年来开发了通过将平面的存储器层叠多个进行3维化(3D化)来实现大容量化的技术。另外，提出了通过将逻辑芯片和RAM重叠配置，将逻辑芯片和RAM的设置面积减小的半导体模块(例如，参考专利文献1～4)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2014-512691号公报；专利文献2：日本特表2013-501380号公报；专利文献3：日本特开2010-232659号公报；专利文献4：日本特开2010-80802号公报。专利技术要解决的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体模块，其特征在于，具有：/n逻辑芯片；/n一对RAM部，其分别由层叠型RAM模块构成；/n第一中介层，其将所述逻辑芯片与一对所述RAM部分别电连接；/n连接部，其将所述逻辑芯片与一对所述RAM部之间分别以能够通信的方式连接，/n一个所述RAM部载置在所述第一中介层，并且其一端部隔着所述连接部与所述逻辑芯片的一端部在层叠方向重叠配置，/n另一个所述RAM部隔着所述连接部与一个所述RAM部重合，并沿所述逻辑芯片的外周的至少一边配置。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体模块，其特征在于，具有：
逻辑芯片；
一对RAM部，其分别由层叠型RAM模块构成；
第一中介层，其将所述逻辑芯片与一对所述RAM部分别电连接；
连接部，其将所述逻辑芯片与一对所述RAM部之间分别以能够通信的方式连接，
一个所述RAM部载置在所述第一中介层，并且其一端部隔着所述连接部与所述逻辑芯片的一端部在层叠方向重叠配置，
另一个所述RAM部隔着所述连接部与一个所述RAM部重合，并沿所述逻辑芯片的外周的至少一边配置。


2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，
一对所述RAM部分别具有：
存储器部，其层叠了存储器电路；以及
接口芯片，其层叠在所述存储器部的一端侧。


3.根据权利要求2所述的半导体模块，其中，
在一对所述RAM部中，分别使所述接口芯片相向地配置。


4.根据权利要求2所述的半导体模块，其中，
在一对所述RAM部中，分别在与所述第一中介层相向的面的相反的一面侧配置所述接口芯片。

【专利技术属性】
技术研发人员：泷下隆治，安达隆郎，
申请(专利权)人：超极存储器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP