【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合了高密度低带宽和低密度高带宽存储器的存储器系统
本文描述的实施方案涉及包括动态随机存取存储器(DRAM)的电子系统。
技术介绍
随着DRAM继续演进,DRAM的设计已因理想的DRAM的不同目标而变得复杂:具有高带宽、高容量和低功耗(高能量效率)的密集存储装置。提高密度/容量的设计选择有减少(或至少不增加)带宽的趋势。可增加带宽的设计选择有减少(或至少不增加)容量和能量效率的趋势。
技术实现思路
在一个实施方案中,存储器系统可包括在至少一个特性上不同的至少两种类型的DRAM。例如,一个DRAM类型可以是高密度DRAM,而另一个DRAM类型比第一DRAM类型可具有更低的密度但也可具有更低的延迟和更高的带宽。第一类型的DRAM可位于一个或多个第一集成电路上,并且第二类型的DRAM可位于一个或多个第二集成电路上。提供一种具有两种类型的DRAM(例如,一个高密度,并且一个低延迟、高带宽)的存储器系统可允许高度节能操作,这可能使存储器系统适用于便携式设备和其中每个耗能单元的能量效率和性能为关键属性的其他设备。在一个实施方案中,第一集成电路和第二集成电路可在叠堆中耦接在一起。第二集成电路可包括用于耦接到其他电路(例如,具有存储器控制器的集成电路,诸如片上系统(SOC))的物理层电路,并且该物理层电路可被第一集成电路中的DRAM共享。在一些实施方案中,可使用存储器来实现高能量效率、高容量和低延迟。附图说明下面的详细描述参照附图,现在对这些附图进行简要说明。图1为具有存储 ...
【技术保护点】
1.一种系统,包括:/n至少一个第一集成电路,所述至少一个第一集成电路包括第一类型动态随机存取存储器DRAM;/n至少一个第二集成电路,所述至少一个第二集成电路包括第二类型DRAM,其中所述第二类型DRAM中的第二存储器阵列不及所述第一类型DRAM中的第一存储器阵列密集,并且访问所述第二类型DRAM中的所述第二存储器阵列比访问所述第一类型DRAM中的所述第一存储器阵列能耗更低,其中所述第二类型DRAM比所述第一类型DRAM包括每条字线的更少的存储器单元;和/n第三集成电路,所述第三集成电路与所述第二集成电路封装在一起,相比于所述第一集成电路与所述第三集成电路之间的耦接减小了所述第三集成电路与所述第二集成电路之间的耦接的长度和电容,所述第三集成电路包括被配置为控制对包括所述第一类型DRAM和所述第二类型DRAM的存储器的访问的存储器控制器。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20160627 US 62/355,0121.一种系统,包括:
至少一个第一集成电路,所述至少一个第一集成电路包括第一类型动态随机存取存储器DRAM;
至少一个第二集成电路,所述至少一个第二集成电路包括第二类型DRAM,其中所述第二类型DRAM中的第二存储器阵列不及所述第一类型DRAM中的第一存储器阵列密集,并且访问所述第二类型DRAM中的所述第二存储器阵列比访问所述第一类型DRAM中的所述第一存储器阵列能耗更低,其中所述第二类型DRAM比所述第一类型DRAM包括每条字线的更少的存储器单元;和
第三集成电路,所述第三集成电路与所述第二集成电路封装在一起,相比于所述第一集成电路与所述第三集成电路之间的耦接减小了所述第三集成电路与所述第二集成电路之间的耦接的长度和电容,所述第三集成电路包括被配置为控制对包括所述第一类型DRAM和所述第二类型DRAM的存储器的访问的存储器控制器。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述第二集成电路包括物理层电路,所述物理层电路被配置为代表所述存储器进行通信,所述存储器包括所述第一类型DRAM和所述第二类型DRAM。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述至少一个第一集成电路还包括多个第一集成电路,所述多个第一集成电路包括多个第一类型DRAM。
4.根据权利要求3所述的系统,其中所述多个第一集成电路利用硅通孔TSV互连件而耦接成叠堆。
5.根据权利要求4所述的系统,其中所述多个第一集成电路的所述叠堆被耦接到所述第二集成电路,并且其中所述TSV互连件被耦接到所述第二集成电路中的物理层电路。
6.根据权利要求5所述的系统,其中所述第二类型DRAM被耦接到所述物理层电路,并且其中所述物理层电路包括用于所述第一类型DRAM到所述第三集成电路的通信线路和用于所述第二类型DRAM到所述第三集成电路的通信线路。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述第二集成电路和所述第三集成电路使用晶片上芯片封装技术进行封装。
8.根据权利要求1所述的系统,其中所述第二集成电路和所述第三集成电路使用晶片上晶片封装技术进行封装。
9.根据权利要求1所述的系统,其中所述第二集成电路和所述第三集成电路使用芯片上芯片的封装技术进行封装。
10.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一集成电路被堆叠在所述第二集成电路和所述第三集成电路的封装上。
11.根据权利要求10所述的系统,其中所述第一集成电路以封装上封装配置进行封装,其中所述封装包括所述第二集成电路和所述第三集成电路。
12.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一集成电路被布置到封装件的包括所述第一集成电路和所述第二集成电路的一侧。
13.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一集成电路为多个第一集成电路中的一个第一集成电路,并且其中所述多个第一集成电路被布置在包括所述第二集成电路和所述第三集...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·比斯韦斯,F·内马蒂,
申请(专利权)人:苹果公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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