【技术实现步骤摘要】
超低损耗G.654E光纤及其制作方法
本专利技术涉及光纤制造领域，特别是涉及一种超低损耗G654E光纤及其制作方法。
技术介绍
伴随着社会对通讯系统信息容量要求的大幅度增长，光纤发展的前期技术已经逐渐无法满足社会发展的需要。2010年实现了100GWDMPDM-QPSK调制、相干接收、DSP系统,传输距离为2000-2500Km，开创了超100G新纪元。由于高阶调制方式、相干接收和DSP技术的发展，在这一相干传输系统中，光纤的波长色散和PMD的线性损害均可在DSP电域中得以解决，因而长期来困扰光纤应用系统性能提升的波长色散和偏振模色散将不再成为问题。在高速大容量长距离传输系统中，光纤性能中衰减和非线性效应逐渐凸显出来。面对传输提出的高OSNR、高频谱效率、高FOM、低非线性效应的新的要求，决定了下一阶段光纤的性能应着重于光纤衰减系数的继续降低和光纤有效面积的合理增大这两个方面上。而针对这种新型的应用要求，G654.E光纤逐渐登上历史的舞台,为此,ITU于2016年9月正式制定了G654.E的标准规范。由上述可...
【技术保护点】
1.一种超低损耗G.654E光纤，其特征在于，包括由内到外依次设置的掺氯梯度型折射率剖面分布纤芯、纯SiO
【技术特征摘要】
1.一种超低损耗G.654E光纤，其特征在于，包括由内到外依次设置的掺氯梯度型折射率剖面分布纤芯、纯SiO2内包层、掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层和纯SiO2外包层，所述掺氯梯度型折射率剖面分布纤芯和纯SiO2内包层界面两侧纤芯和内包层折射率相同，掺氯纤芯和纯SiO2内包层的界面形成全内反射的第一导光界面，所述掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层的内径处，折射率由内向外由大减小，形成第二导光界面，所述掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层折射率分布处的折射率呈现斜坡型与外包层形成一定的梯度差，其界面折射率由内向外，从小到大，不形成明显的折光面。
2.根据权利要求1所述的超低损耗G.654E光纤，其特征在于，所述掺氯纤芯和纯SiO2的相对折射率差=0.32%，纯SiO2的内包层和掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层的相对折射率差=-0.14%，n1为掺氯纤芯中心折射率，n2为纯SiO2内包层折射率，n3为掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层折射率。
3.根据权利要求1所述的超低损耗G.654E光纤，其特征在于，所述掺氯纤芯半径为r1=6μm，掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层内半径为r2=10μm,外半径为r3=14μm，纯SiO2外包层半径为r4=62.5μm。
4.一种如权利要求1所述的超低损耗G.654E光纤的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
a．用PCVD法制作掺氯的梯度型折射率剖面分布纤芯及纯SiO2内包层：原料气体和氧气进入反应器中连续沉积，得到中心带孔的沉积管，沿沉积管方向用往返移动的加热炉对不断旋转的沉积管加热，在表面张力的作用下，分阶段将沉积好的石英管熔缩成实心棒，即光纤预制棒的芯棒，PCVD中的石英基管则形成纯SiO2内包层，最终制造成掺氯梯度型折射率剖面纤芯和纯SiO2内包层构成的玻璃体芯棒；
b．用POVD法制作掺氟的斜坡下陷包层及纯SiO2外包层：SiF4和SiF6经过MFC和源化学气体SiCl4和O2在等离子体中产生化学气相反应生成纯SiO2或掺氟SiO2的沉积体在等离子的高温能量下，直接形成玻璃体，掺氟的斜坡型下陷包层的形成是通过SiF4,SiF6流量来控制氟的掺杂量，沉积完成后将石墨靶棒分离从而得到所需的管状外包层玻璃体，并经拉伸/切断后进入下道工序；
c．拉丝：将上述玻璃体芯棒插入管状外包层玻璃体内在拉丝炉内进行拉丝，其中在玻璃体芯棒和管状外包层的顶端有在线棒端盖，端盖通过气管链接到负压泵上，拉丝过程保证没有空气进入玻璃体芯棒和管状外包层玻璃体之间的缝隙内。
5.根据权利要求4所述的超低损耗G.654E光纤的制作方法，其特征在于，所述步骤a中原料气体SiCl4，Cl2和氧气通过质量流量控制器进入反应器中的石...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈炳炎，王秋萍，陈宏达，龚成，
申请(专利权)人：普天线缆集团有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36
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