一种薄膜图形化夹具工装及其应用方法技术

一种薄膜图形化夹具工装及其应用方法，属于微电子机械加工技术领域。本发明专利技术方法包括如下步骤：制备硅基掩模；调整掩模翘曲使掩模调整为凹形；在掩模边缘制备固定切边；将掩模和基底对准，并在固定切边处将掩模和基底固定；将掩模和基底用薄膜图形化夹具工装固定，进行薄膜的沉积。通过该工装和技术方法，可不通过光刻工艺薄膜沉积的过程中即可实现薄膜图形化，同时避免了薄膜沉积过程中向图形外扩散、均匀性差等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜图形化夹具工装及其应用方法
本专利技术涉及一种薄膜图形化夹具工装及其应用方法，属于微电子机械加工

技术介绍
在MEMS微制造
，需要具有一定图案的金属或其他薄膜结构。形成这种结构的方法主要有两种，第一种是首先进行薄膜沉积，然后进行光刻成形和薄膜刻蚀等。该方法优点是精度高，可满足小尺寸图案的使用要求，缺点是步骤多，成本高，刻蚀时需找到合适的刻蚀剂。另一种是，首先制备出具有目标图形的掩模，然后在薄膜沉积的过程实现薄膜的图形化。该方法适用于图形尺寸较大，对精度要求较低的图形化工艺，同时该方法操作简单，节约成本。掩模的材质主要包括金属、有机和半导体三种。金属掩模加工误差大，图形化精度低，有机掩模存在受热变形等问题，而半导体掩模以硅基掩模最为普遍，硅基掩模加工精度高，稳定性好，可满足大部分掩模的需求。但掩模法进行薄膜图形化普遍存在沉积过程薄膜扩散、薄膜均匀性差等问题，限制了掩模的使用范围。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供了一种薄膜图形化夹具工装及其应用方法，通过该工装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜图形化夹具工装，其特征在于，包括底座(1)、凹形槽(2)、螺纹孔(3)和短压力片(4)和长压力片(5)；/n所述底座(1)和凹形槽(2)一体连接；/n所述凹形槽(2)图形和待沉积薄膜基底形状相同；/n所述长压力片(5)为中空结构，一端设有螺纹孔(3)，且与底座(1)固定连接，另一端伸入凹形槽(2)形成的空腔中；/n所述短压力片(4)个数为4，均布在底座(1)上，每个短压力片(4)的一端设有螺纹孔(3)，且与底座(1)固定连接，另一端伸入凹形槽(2)形成的空腔中。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜图形化夹具工装，其特征在于，包括底座(1)、凹形槽(2)、螺纹孔(3)和短压力片(4)和长压力片(5)；
所述底座(1)和凹形槽(2)一体连接；
所述凹形槽(2)图形和待沉积薄膜基底形状相同；
所述长压力片(5)为中空结构，一端设有螺纹孔(3)，且与底座(1)固定连接，另一端伸入凹形槽(2)形成的空腔中；
所述短压力片(4)个数为4，均布在底座(1)上，每个短压力片(4)的一端设有螺纹孔(3)，且与底座(1)固定连接，另一端伸入凹形槽(2)形成的空腔中。


2.基于权利要求1所述的薄膜图形化夹具工装的应用方法，其特征在于，包括如下步骤：
制备硅基掩模；
调整掩模翘曲使掩模调整为凹形；
在掩模边缘制备固定切边；
将掩模和基底对准，并在固定切边处将掩模和基底固定；
将掩模和基底用薄膜图形化夹具工装固定，进行薄膜的沉积。


3.根据权利要求2所述的应用方法，其特征在于，硅基掩模的制备包括如下步骤：
准备晶向为<100>的单晶硅片(6)；
在所述的单晶硅片(6)单面进行抗蚀层(7)的制备；
在所述抗蚀层(7)表面进行涂胶、光刻、显影和刻蚀，在抗蚀层(7)表面形成由底部向上呈阶梯状增大的抗蚀层大开口部(8)和抗蚀层小开口部(9)；
通过KOH溶液对单晶硅片(6)和抗蚀层(7)进行刻蚀，形成贯穿单晶硅片(6)的从底部向上呈阶梯状...

【专利技术属性】
技术研发人员：张树伟，刘福民，张乐民，杨静，刘宇，梁德春，崔尉，吴浩越，马骁，
申请(专利权)人：北京航天控制仪器研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11