一种化合物及其应用、包含其的有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种新型有机化合物，具有如下式(1)的结构：

【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其应用、包含其的有机电致发光器件
本专利技术涉及一种有机化合物，其可以用作有机电致发光器件发光层主体材料，本专利技术还涉及该化合物在有机电致发光器件中的应用。
技术介绍
近年来，基于有机材料的光电子器件已经变得越来越受欢迎。有机材料固有的柔性令其十分适合用于在柔性基板上制造，可根据需求设计、生产出美观而炫酷的光电子产品，获得相对于无机材料无以比拟的优势。此类有机光电子器件的示例包括有机发光二极管(OLED)，有机场效应管，有机光伏打电池，有机传感器等。其中OLED发展尤其迅速，已经在信息显示领域取得商业上的成功。OLED可以提供高饱和度的红、绿、蓝三颜色，用其制成的全色显示装置无需额外的背光源，具有色彩炫丽，轻薄柔软等优点。OLED器件核心为含有多种有机功能材料的薄膜结构。常见的功能化有机材料有：空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料，电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。通电时，电子和空穴被分别注入、传输到发光区域并在此复合，从而产生激子并发光。人们已经已经开发出多种有机材料，结合各种奇特的器件结构，可以提升载流子迁移率、调控载流子平衡、突破电致发光效率、延缓器件衰减。出于量子力学的原因，常见的荧光发光体主要利用电子和空血结合时产生的单线态激子发光，现在仍然广泛地应用于各种OLED产品中。有些金属络合物如铱络合物，可以同时利用三线态激子和单线态激子进行发光，被称为磷光发光体，其能量转换效率可以比传统的荧光发光体提升高达四倍。热激发延迟荧光(TADF)技术通过促进三线态激子朝单线态激子的转变，在不采用金属配合物的情况下，仍然可以有效地利用三线态激子而实现较高的发光效率。热激发敏化荧光(TASF)技术则采用具TADF性质的材料，通过能量转移的方式来敏化发光体，同样可以实现较高的发光效率。随着OLED产品逐步进入市场，人们对这类产品的性能有越来越高的要求。当前使用的OLED材料和器件结构无法完全解决OLED产品效率、寿命、成本等各方面的问题。本专利技术的研究人员通过认真思考和不断实验，发现了一种巧妙的分子设计方案，并在下文中详细地进行说明。令人惊讶地，本专利技术所揭示的化合物非常适合应用于OLED并提升器件的性能。
技术实现思路
为了解决如上述问题，本专利技术通过采用茚并咔唑作为供电子基团，杂芳基和苯腈同时作为吸电子基团，构筑了热活化延迟荧光材料，通过使用亚联苯基连接供电子和吸电子基团，使得材料的三线态能级提高。同时该材料具有TADF性质和双极性传输特性，可以通过快速反向系间窜越将三线态激子转变为单线态激子，减小发光层中三线态激子浓度，抑制激子淬灭。可以作为磷光或延迟荧光材料的主体材料。本专利技术提出一类新型通式化合物，可由下面的通式(1)来表示：式(1)中，L选自取代或未取代的C6～C30的亚芳基；A和B一个代表式Y1、另一代表式Y2，具体结构如下所示：其中的Y2a于c、d或e位置与母核稠合；式Y1或Y2中：X1～X3彼此相同或不同，各自独立的表示氮原子或CR6，且其中至少一个为N；R1和R2彼此相同或不同，且各自独立地选自氢，C1～C12烷基、C3～C12环烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；R6独立地选自氢、C1～C12烷基、C3～C12环烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；R3～R5表示单取代基到最大允许取代基，各自独立地选自氢、C1～C12烷基、C3～C12环烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；并且R1～R6各自独立地可以与相连接的苯环稠合形成C9～C30芳基或杂芳基，所形成的芳基或杂芳基任选地被0、1、2、3、4或5个各自独立地选自取代或未取代的C1～C12烷基、C3～C12环烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的取代基所取代。当上述基团存在取代基时，所述取代基团分别独立选自卤素、C1-C10的烷基或环烷基、C2-C10烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6-C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3-C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团中的一种。进一步的，本专利技术上述的式(1)优选为下式(2-1)或式(2-2)所示：其中，L、Y2、X1～X3、R1和R2的定义均与在式(1)中的定义相同。本专利技术上述的式(1)优选为下式(3-1)至(3-3)中任一所示：其中，L、A和B的定义均与在式(1)中的定义相同。进一步的，本专利技术上述的式(1)优选为下式(4-1)至(4-9)中任一所示：其中，L、A和B的定义均与在式(1)中的定义相同。更进一步的，本专利技术上述的式(2-1)优选为下式(5-1)至(5-3)中任一所示：其中，L、Y2、X1～X3、R1和R2的定义均与在式(1)中的定义相同。再进一步的，本专利技术上述的式(2-1)优选为式(5-1)。进一步的，上述各个通式中，L优选为取代或未取代的下述基团：亚苯基、亚萘基或亚联苯基中的一种。进一步的，上述各个通式中，Y2优选为下式B1至B6中的任一种，其中，R3～R5的定义均与在式(1)中的定义相同。B1至B6中最优选的结构为B3：更进一步的，上述通式(1)优选为下式(6-1)，其中，R1、R2和R3～R5的定义均与在式(1)中的定义相同。进一步的，上述各个通式中，R1和R2选自取代或者未取代的下述基团中的一种：苯基、萘基、联苯基、芴、菲中的一种；更进一步的，优选苯基；R3～R5选自氢或取代或者未取代的下述基团：苯基、甲基、异丙基、叔丁基、环己基中的一种；更进一步的，优选为氢。作为本专利技术涉及的化合物的优选结构，可以举出以下所示的结构化合物，但不限于这些化合物：作为本专利技术的另一方面，本专利技术上述通式化合物在有机电致发光器件中作为发光主体材料使用。作为本专利技术的又一个方面，本专利技术还提供了一种有机电致发光器件，包括第一电极、第二电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通式化合物，如下式(1)所示：/n

【技术特征摘要】
1.一种通式化合物，如下式(1)所示：



其中：L选自取代或未取代的C6～C30的亚芳基；
A和B一个代表式Y1、另一代表式Y2，具体结构如下所示：



Y2中，Y2a于c、d或e位置与母核稠合；
式Y1和Y2中：
X1～X3彼此相同或不同，各自独立的表示氮原子或CR6，且其中至少一个为N；
R1和R2各自独立地选自氢，C1～C12烷基、C3～C12环烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
R6独立地选自氢、C1～C12烷基、C3～C12环烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
R3～R5表示单取代基到最大允许取代基，各自独立地选自氢、C1～C12烷基、C3～C12环烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
R1～R6各自独立地可以与相连接的苯环稠合形成C9～C30芳基或杂芳基，所形成的芳基或杂芳基任选地被0、1、2、3、4或5个各自独立地选自取代或未取代的C1～C12烷基、C3～C12环烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的取代基所取代；
当上述基团存在取代基时，所述取代基团分别独立选自卤素、C1-C10的烷基或环烷基、C2-C10烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6-C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3-C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团中的一种。


2.根据权利要求1所述的通式化合物，如下式(3-1)至(3-3)中任一所示：



其中，L、A和B的定义均与在式(1)中的定义相同。


3.根据权利要求1或2所述的通式化合物，如下式(4-1)至(4-9)中任一所示：

【专利技术属性】
技术研发人员：李熠烺，曾礼昌，李之洋，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11