本发明专利技术提供一种在相位差薄膜部分地产生分子取向的缓和从而形成认证信息的潜像时不需要复杂的工序而且不会由于在表面形成凹凸而使潜像可见化的叠层反射体。其是一种具有设定成相对观察波长λ的相位差Δｎｄ↓［１］为ｍ×λ／４－λ／１６≤Δｎｄ↓［１］≤ｍ×λ／４ｍ＋λ／１６（ｍ为正的奇数）的相位差薄膜（１０）和在该相位差薄膜（１０）的背面侧叠层的金属反射板（１１）的叠层反射体（１），将在相位差薄膜（１０）上预先形成的规定的认证信息的认证区域（１０ａ）形成为其相位差Δｎｄ↓［２］为ｎ×λ／４－λ／８≤Δｎｄ↓［２］≤ｎ×λ／４＋λ／８（ｎ为０或正的偶数，其中，ｎ＜ｍ），进而在相位差薄膜（１０）的正面侧形成光散射层（１２）。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及针对恶意地进行伪造或重写等行为的第三者或出售伪造 产品的第三者，利用其隐秘性和认证性，具有容易判定真伪的认证信息的 叠层反射体及使用该叠层反射体的认证卡、条形码标签、认证系统及认证 区域形成系统。
技术介绍
在信用卡(credit card)或ID卡记录认证信息，利用在卡的背面设置 的磁记录部或在前面贴合的全息摄影等进行对其真伪的辨别。例如在下述 专利文献1、 2中举出的美国专利中公开了利用全息摄影图像的认证。另外，在下述专利文献3中公开的护照(passport)中，在由高分子 液晶材料形成的层上形成不借助偏振片而不可目视辨识的潜像，在其下面 形成反射层。接着，还公开了通过照射偏振光，借助偏振片观察反射光， 进行作为潜像形成的图案的认证的方法。另外，作为在相位差薄膜形成潜像的方法，如下述专利文献4所公开， 向相位差薄膜部分地赋予玻化温度以上的热，使该部分的相位差(分子的 取向比)降低的方法或通过涂敷可以使相位差薄膜溶解或溶胀的药液，使 该部分的相位差降低的方法。进而，还包括下述专利文献5中公开的光学元件改变相位差层的光学 轴的方位角而形成潜像，并借助偏振片的观察而进行认证的方法。专利文献l:美国专利第5574790号专利文献2:美国专利第5393099号专利文献3:特开2001—232978号公报专利文献4:特开平8—334618号公报专利文献5:特表2001—525080号公报在专利文献l、 2中公开的信用卡等的认证的情况下，全息摄影部分的伪造存在问题。全息摄影的情况下，是在pm级(order)的凹凸上形成 铝等高反射率的金属薄膜来制造的。另外，全息摄影图案可以目视，如果 有切削装置，则有时可以仿造。所述专利文献3的情况下，公开了潜像的形成使用对热致 (thermotropic)的高分子液晶层的热过程等来制作。该方式的情况下， 高分子液晶的取向机构因压力等外力而不同，所以为了得到充分的取向性 而必需在高压力下的加压或充分的"剪切应力"。因而，为了得到对应加 热图案的调制相位差后的潜像，液晶的取向必需在面内具有双折射，所以 为了使滞相轴具有面内的特定方向而必需在液晶状态下向液晶施加充分 的"剪切应力"。因此，在加热下向基材或液晶层本身施加压力，所以存 在基材的变形或发生对液晶层的损坏等问题，例如，接触的压痕成为凹凸 的图案，从而存在即使不使用偏振片也可以使潜像可见化并可见的问题。进而，在专利文献4中公开的方法中，虽然可以制作潜像，但如果需 要消除相位差薄膜的相位差，必需将相位差薄膜的温度加热至玻化温度以 上，进而必需保持规定时间以上。如上所述，通过将相位差薄膜加热到玻 化温度以上，会在相位差薄膜产生分子取向的缓和，由于表面形状形成凹 凸而使潜像可见化，从而变成可见。这与在非接触状态下进行的加热情况 相同，即使在无压力下，取向缓和也会导致薄膜的永久变形。进而，涂敷药液的情况也一样，相位差薄膜产生分子取向缓和必需相 对形成相位差薄膜的高分子给予高度的自由度，结果伴随着缓和，产生了 表面形状的变形。涂敷药液的情况下，药液本身的渗入尽管可以控制该变 形，但由于是从表面的渗入，所以在不伴随形状缓和的程度的情况下，不 能充分地减小相位差。即，存在不能加大潜像的对比度的问题。进而，药 液溶胀的情况下，由于向相位差薄膜的厚度方向渗入的同时会产生向宽度 方向的扩展，所以存在不能得到以相位差发生变化的部分与没有发生变化 的部分形成的潜像的析像度的问题。在为专利文献5中公开的方法的情况下，必需形成光取向膜，借助掩模或者扫描照射向规定方向的偏振光紫外线，然后照射向其他方向的偏振 光紫外线，形成聚合性液晶或液晶高分子薄膜，并使其取向，固定的工序，具有非常复杂的工序。此时，确定液晶的取向方向的光取向膜价格高，而 且，聚合性液晶或液晶高分子的价格也较高。进而，必需准备2个具有不 同方向的偏振光方向的一样强的偏振光紫外线光源，效率较低且装置本身 的价格也高。液晶层通常利用涂敷工序制作，但由于液晶自身的双折射的 大小较大，所以如果需要得到一定的相位差，则难以控制薄膜的厚度。
技术实现思路
本专利技术正是鉴于上述实际情况而提出的，其课题在于提供一种在相位 差薄膜部分地产生分子取向的缓和从而形成认证信息的潜像时不需要复 杂的工序而且不会由于在表面形成凹凸而使潜像可见化的叠层反射体以 及使用该叠层反射体的认证卡、条形码标签、认证系统以及认证区域形成 系统。为了解决上述课题，本专利技术中的叠层反射体是具有设定成相对观察波长X的相位差And,为mX人/4(m为正的奇数)的相位差薄膜和在该相位 差薄膜的背面侧叠层的反射机构的叠层反射体，其特征在于，将在相位差薄膜上预先形成的规定的认证信息的认证区域形成为与 所述相位差An山不同的相位差And2，进而在相位差薄膜的正面侧形成光散射层。对此结构的叠层反射体的作用，效果进行说明。叠层反射体具有相位 差薄膜和在该相位差薄膜的背面侧叠层的反射机构、在相位差薄膜的正面 侧形成的光散射层。在相位差薄膜预先形成基于规定的认证信息的认证区 域。相位差薄膜设定成相对观察波长X的相位差And,为mXV4(m为正 的奇数)。因此，例如如果借助偏振片入射相对该相位差薄膜的滞相轴具 有45°的偏振光方向的直线偏振光(观察光)，则具有所述相位差，所以 直线偏振光转换成圆偏振光。该圆偏振光利用设置于相位差薄膜的背面侧 的反射机构，被转换成相反的极性的圆偏振光，进而被反射。该反射光重 新透过相位差薄膜，从而成为与原来的直线偏振光大致正交的角度的直线 偏振光。因而，不能透过偏振片而成为黒显示。即，对于相位差薄膜的非 认证区域，可以观察到黑显示。另一方面，对于形成有认证信息的认证区域，形成为与非认证区域的相位差An山不同的相位差And2。认证区域的形成例如通过将该部分加 热至玻化温度以上的温度，产生取向缓和，变成比原来的相位差And,小 的相位差And2。因而，如果入射与前面相同的直线偏振光，则成为与在 非认证区域得到的圆偏振光相比椭圆率较小的椭圆偏振光，所以用反射机 构反射时的偏振光的逆转变小。因而，再次透过相位差薄膜的偏振光不会 成为与原来的直线偏振光正交的方式，所以与来自非认证区域的反射光相 比，来自认证区域的反射光的一方的透过率变高。因而，可以辨识在认证 区域形成的认证信息。另外，认证信息可以通过使用偏振片确认，不能利 用通常光(没有偏振片的状态下)确认。另外，在相位差薄膜的正面侧形成光散射层。例如通过加热非认证区 域，用印模(stamp)按压，特别是在非认证区域与认证区域的边界部分 产生凹凸，有时其即使在通常光下也看得见。因此，通过形成光散射层， 可以实际上不能看出这样的凹凸。结果，能够提供一种在相位差薄膜部分 地产生分子取向的缓和，在形成认证信息的潜像时，不会由于在表面发生 凹凸而使潜像可见化的叠层反射体。本专利技术中的相位差薄膜的所述相位差And,优选以土V16的误差制造。如果误差超过士V16，则在所述的观察方法中，非认证区域中的反射 光透过偏振片的量变大，与认证区域的对比度变小。通过将误差抑制在 ±X/16，可以得到规定的对比度，变得容易辨认(或者读取)观察时的认 证信息。本专利技术中的认证区域中的相位差And本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种叠层反射体，其具有： 设定成相对观察波长λ的相位差Δｎｄ↓［１］为ｍ×λ／４（ｍ为正的奇数）的相位差薄膜；和 在该相位差薄膜的背面侧叠层的反射机构， 所述叠层反射体的特征在于， 将在相位差薄膜上预先形成有规定的认证信息的认证区域形成为与所述相位差Δｎｄ↓［１］不同的相位差Δｎｄ↓［２］，进而 在相位差薄膜的正面侧形成有光散射层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：梅本清司，神野一仁，柴田和成，竹内逸雄，坂内宗穗，井田亘，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，日本发条株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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