具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的涂层制造技术

本发明专利技术涉及一种具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的涂层，该低电阻光衰减抗反射的涂层的多层结构为ＨＬ（ＨＬ）↓［６］Ｈ（Ｈ代表高折射率的物质、Ｌ代表低折射率的物质），其包括八个氧化物层，而该涂层的表层的物质为一可穿透的导电层和具有介于１．９到２．２的高折射率。本发明专利技术之涂层因为该表层有良好的导电特性，该具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的涂层可以降低接地工艺所需的工作负荷和增加大量生产的合格率和可靠度，其可运用于液晶显示器或等离子显示器的玻璃基板或塑料基板上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有高抗反射特性的涂层结构，特别是涉及一种具有可穿 透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的涂层。
技术介绍
通常在液晶显示器或等离子显示器的塑料基板(plastic substrate)、玻 璃基板(glass substrate)或塑料网板(plastic web)上，会加上一抗反射的涂 层结构，因此有众多的涂层结构已经被公开。美国专利U. S. 4， 921， 760公开一种在二氧化铈和合成数脂兼具有良好黏 着力的多层抗反射的涂层，该多层系统包括Ce02、 A1A、 Zr02、 Si02、 Ti02和 Ta205，该多层系统的所有薄膜层皆为氧化物，该多层系统包括有三到五层的薄 层，在一实施例中，该五层结构的总厚度约为3580埃，该多层系统的表层的 物质为Si02，其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U. S. 5， 105, 310公开一种使用反应式溅射而配置于同轴涂布机 器的多层抗反射的涂层，该多层系统包括Ti02、 Si02、 ZnO、 Zr02、和Ta205， 该多层系统的所有薄膜层皆为氧化物，该多层系统包括有四到六层的薄层，在 一实施例中，该六层结构的总厚度约为4700埃，该多层系统的表层的物质为 Si02，其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U. S. 5， 091， 244和U. S. 5， 407， 733公开一种新型态的具导电性的 光衰减抗反射的涂层，其主要主张为由特定过渡金属氮化物来组成而提供一具 导电性、光衰减、抗反射的表面，该多层系统包括TiN、 NbN、 Sn02、 Si02、 A1A 和NbA，该多层系统的所有薄膜层皆为氮化物和氧化物，该多层系统包括有 三到四层的薄层，在一实施例中，该四层结构的总厚度约为1610埃，该四层 系统的可见光的穿透率低于50%，该多层系统的表层的物质为Si02，其具有一 低折射率，当波长为550nm时，折射率为1. 46。美国专利U. S. 5， 147， 125公开一种使用氧化锌而抗波长小于380nm的紫外线的的多层抗反射的涂层，该多层系统包括Ti02、 Si02、 ZnO和MgF2，该多层 系统的所有薄膜层为氧化物和氟化物，该多层系统包括有四到六层的薄层，在 一实施例中，该五层结构的总厚度约为7350埃，该多层系统的表层的物质为 MgF2，其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.38。美国专利U. S. 5， 170， 291公开一四层系统，其具有一光学效应和高抗反射 效果，该多层系统可通过高温分解、等离子支撑化学蒸气布置、溅射或化学布 置等方式来形成，该多层系统包括Si02、 Ti02、 A1203、 ZnS、 MgO和BiA，在 一实施例中，该四层结构的总厚度约为2480埃，该多层系统的表层的物质为 Si02，其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U.S.5，216，542公开一五层涂层，其具有高抗反射效果，该多层 系统包含一层厚度为lnm而由Ni、Cr或NiCr构成的黏膜层，其于四层由Sn02、 Zr02、 Zn0、 Ta205、 Ni0、 Cr02、 Ti02、 Sb203、 ln203、 A1203、 Si02、 TiN和ZrNn 所构成，在一实施例中，该五层结构的总厚度约为2337埃，该五层系统的可 见光的穿透率低于30%，该多层系统的表层的物质为Si02，其具有一低折射率， 当波长为550nm时，折射率为1. 46。美国专利U. S. 5， 541， 770公开一种具有导电层的光衰减抗反射的涂层，为 四到五层的多层系统，具有光吸收高折射率的金属，例如Cr、 Mo和W等等， 被当作该多层系统的光效果薄膜，而其它的三到四层为Ti02、 ITO、 A1203、 Si02 和TiN，除了一金属层被用于当作该多层系统的光效果薄膜外，该多层系统的 主要物质为氧化物和氮化物，在一实施例中，该五层结构的总厚度约为1495 埃，该多层系统的可见光的穿透率低于60%，该多层系统的表层的物质为Si02， 其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U. S. 5， 362， 552公开一种具有三层导电金属氧化物的六层抗反 射的涂层，该多层系统包括Si02、 ITO、 Nb205和TaA，该涂层包括一总厚度达 可见光的波长的导电金属氧化物，在一实施例中，该六层结构的两主要层的物 质和厚度分别为Si02、854埃和IT0、 1975埃，该多层系统的表层的物质为Si02， 其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U. S. 5， 579， 162公开一种使用于对温度灵敏的基板(例如塑料)的四层抗反射的涂层，其中一层为直流反应溅射的金属氧化物，其可快速地布 置于基板上，而且不会传递大量的热量至该基板，该多层系统包括Sn02、 Si027和ITO，在一实施例中，该四层结构的两主要层的物质和厚度分别为Sn02、 763 埃和Si02、 940埃，该多层系统的表层的物质为Si02，其具有一低折射率，当 波长为550rnn时，折射率为1. 46。美国专利U. S. 5， 728， 456和U. S. 5， 783， 049公开一种改良的方法，用于布 置抗反射的涂层于一塑料薄膜上，该多层薄膜用一溅射工艺涂布一滚子涂层， 该多层系统包括ITO、 Si02和一薄润滑层，其为一可溶解的氟聚合物，在一实 施例中，该六层结构的总厚度约为2630埃，该多层系统的表层的物质为Si02， 其具有一低折射率，当波长为550mn时，折射率为1.46。以上所公开的光学多层系统的表面薄层的物质为Si02或MgF2，其具有一 低折射率，当波长为550nm时，折射率分别为1. 46和1. 38。公知的抗反射光学涂层的多层系统皆利用一通则，该通则为该光学涂层的 表层的物质具有一低折射率，例如Si02，折射率为1.46，或Mg&，折射率为 1.38。然而，当将该抗反射涂层运用于显示器工业时，例如具抗静电效果的计 算机屏幕或用于液晶显示器或等离子显示器的低反射玻璃时，在大量生产的过 程中，存在一些瓶颈,其原因是该光学涂层结构的导电层由一绝缘层(例如Si02 或MgF》所烧制而成。一抗反射涂层的基本设计规则为，布置于一基板表面的第一层为具高折射 率的物质所构成(标示为H)，其后接着一具低折射率的物质所构成(标示为L) 的第二层，因此，公知的抗反射涂层的多层结构的规则为HLHL或HLHLHL，以 高折射率(H)的物质为ITO而低折射率(L)的物质为Si02为例子，该四层结构 分别为Glass/ITO/Si02/ITO/Si02。因为ITO是一透明的导电物质，该多层结 构的涂层的导电性低于每平方100Q，而且当该导电涂层连结至地时，可用于 电磁干扰(EMI)频障或静电放电。然而，问题是该公知的光学多层结构的表面 物质为Si02，且其厚度为1000 A，该Si02的物质特性为高密度、具有惰性和 一良好的电绝缘层，在运用传统的抗反射涂层于显示器工业的过程中，电性接 触由外部的Si02层所隔离的该烧制的ITO层是困难的，在使一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的涂层，其特征在于，包括有：一基板；一第十五层，设置于该基板的一前表面，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于２０ｎｍ和４０ｎｍ间；一第十四层，设置于该第十五层上，其 由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于８ｎｍ和１２ｎｍ间；一第十三层，设置于该第十四层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于３０ｎｍ和８０ｎｍ间；一第十二层，设置于该第十三层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物 理厚度介于８ｎｍ和１２ｎｍ间；一第十一层，设置于该第十二层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于３０ｎｍ和８０ｎｍ间；一第十层，设置于该第十一层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于８ｎｍ和１２ｎｍ间； 一第九层，设置于该第十层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于３０ｎｍ和８０ｎｍ间；一第八层，设置于该第九层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于８ｎｍ和１２ｎｍ间；一第七层，设置于该第八层上，其由一高 折射率的氧化物所构成，物理厚度介于３０ｎｍ和８０ｎｍ间；一第六层，设置于该第七层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于８ｎｍ和１２ｎｍ间；一第五层，设置于该第六层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理介于３０ｎｍ和 ８０ｎｍ间；一第四层，设置于该第五层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于８ｎｍ和１２ｎｍ间；一第三层，设置于该第四层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于３０ｎｍ和８０ｎｍ间；一第二层，设置于该第 三层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于８ｎｍ和１２ｎｍ间；以及一第一层，设置于该第二层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于２０ｎｍ和４０ｎｍ间。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张正杰，
申请(专利权)人：智盛全球股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]