【技术实现步骤摘要】
一种改良型mos管封装结构
本技术涉及mos管
,具体为一种改良型mos管封装结构。
技术介绍
TSOP封装,即薄型小尺寸封装,是mos管封装方式的一种,TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚,采用SMT技术(表面安装技术)直接附着在PCB板的表面;二芯片叠层封装是TSOP封装的一种方式;在进行二芯片叠层封装时,两个芯片分别使用环氧树脂薄膜作为芯片贴合剂与空白芯片的顶面和底面固定,而下层芯片则与引线框架的底面紧密粘接,该固定方式虽然安装快捷且固定牢靠,但下层芯片难以从引线框架上进行拆卸,不利于后期对损坏芯片的更换,鉴于此,我们提出一种改良型mos管封装结构。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种改良型mos管封装结构,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种改良型mos管封装结构,包括底座,所述底座的两侧壁上嵌设有多个呈线性等间距分布的引脚,所述底座的顶面开设有空腔;所述底座的上方紧密粘接有封板,所述空腔内设有封装机构 ...
【技术保护点】
1.一种改良型mos管封装结构,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)的两侧壁上嵌设有多个呈线性等间距分布的引脚(11),所述底座(1)的顶面开设有空腔(12);所述底座(1)的上方紧密粘接有封板(2),所述空腔(12)内设有封装机构(3);所述封装机构(3)包括外框架(31),所述外框架(31)内同心设置有内框架(32),所述内框架(32)的四角处嵌设有于内框架(32)紧密粘接的支脚(33),所述内框架(32)的两侧内壁上均开设有插槽(321),所述插槽(321)的内壁中心处开设有条形槽(322),所述插槽(321)的内壁靠近两侧处均开设有通孔(323),所述内框架( ...
【技术特征摘要】
1.一种改良型mos管封装结构,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)的两侧壁上嵌设有多个呈线性等间距分布的引脚(11),所述底座(1)的顶面开设有空腔(12);所述底座(1)的上方紧密粘接有封板(2),所述空腔(12)内设有封装机构(3);所述封装机构(3)包括外框架(31),所述外框架(31)内同心设置有内框架(32),所述内框架(32)的四角处嵌设有于内框架(32)紧密粘接的支脚(33),所述内框架(32)的两侧内壁上均开设有插槽(321),所述插槽(321)的内壁中心处开设有条形槽(322),所述插槽(321)的内壁靠近两侧处均开设有通孔(323),所述内框架(32)的两侧壁靠近两端处对称紧密粘接有两个支架(34),所述支架(34)上开设有限位孔(341),所述插槽(321)内插设有限位条(35),所述限位条(35)的一侧壁靠近两端处均紧密粘接有与通孔(323)滑动连接的导杆(36),所述导杆(36)的末端穿过限位孔(341),所述导杆(36)上位于通孔(323)的一侧处同轴紧密粘接有限位环(361),所述导杆(36)上位于限位环(361)一侧处还套设有弹簧(362),所...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑晓武,
申请(专利权)人:深圳市南芯微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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