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本实用新型涉及mos管技术领域，具体为一种改良型mos管封装结构，包括底座，所述底座的两侧壁上嵌设有多个呈线性等间距分布的引脚，所述底座的顶面开设有空腔；所述底座的上方紧密粘接有封板，所述空腔内设有封装机构；所述封装机构包括外框架；该改良型...
该专利属于深圳市南芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市南芯微电子有限公司授权不得商用。

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