集成部件制造技术

技术编号:26607617 阅读:28 留言:0更新日期:2020-12-04 21:32
本公开的实施例涉及集成部件。一种半导体材料的第一晶片具有表面。一种半导体材料的第二晶片包括衬底和在该衬底上的结构层。结构层集成了用于监测电磁辐射的检测器设备。第二晶片的结构层被耦合到第一晶片的表面。第二晶片的衬底被成形以形成微镜的定子、转子和移动质量块。定子和转子形成用于电容性地驱动移动质量块的组件。

【技术实现步骤摘要】
集成部件相关申请的交叉引用本申请要求于2019年1月22日提交的专利号为102019000000917的意大利专利申请的优先权权益,该申请的全部内容在由法律允许的最大范围内通过引用的方式并入本文。
本技术涉及集成部件。特别是,本技术涉及一种适于被用在对近红外(NIR)辐射所照射的人体进行3D重建的系统中的集成部件。
技术介绍
已知类型的医学检查设想生成3D图像,该3D图像是从利用NIR辐射所照射的人体开始获得的,该3D图像的生成使得能够重建人体自身的热线谱,并且因此使得能够标识潜在的疾病或病症(诸如,类风湿关节炎、雷诺氏综合症、膝盖骨关节炎等)。在本领域中已知各种系统用于执行这种医学检查,该系统需要以下二者:NIR光谱中的光源,用于经由入射辐射来照射检查中的患者的身体的部分;以及检测器,适于测量由被照射的身体的部分产生的辐射。因此,生成了入射辐射的宽且定位不佳的光束,从而减少了由检查中的身体发射并由检测器获取的信号的精确度和准确度。已知类型的检测器设想使用热MOS(TMOS)晶体管。TMOS晶体管是场效应晶体管器件,其通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成部件,其特征在于,包括:/n半导体材料的第一晶片,所述第一晶片具有表面;以及/n半导体材料的第二晶片,所述第二晶片包括衬底和在所述衬底上的结构层,所述结构层集成了用于检测电磁辐射的检测器设备;/n其中所述第二晶片的所述结构层被耦合到所述第一晶片的所述表面;以及/n微镜的定子、转子和移动质量块被集成在所述第二晶片的所述衬底中,所述定子和所述转子形成用于电容性地驱动所述移动质量块的电容性驱动组件。/n

【技术特征摘要】
20190122 IT 1020190000009171.一种集成部件,其特征在于,包括:
半导体材料的第一晶片,所述第一晶片具有表面;以及
半导体材料的第二晶片,所述第二晶片包括衬底和在所述衬底上的结构层,所述结构层集成了用于检测电磁辐射的检测器设备;
其中所述第二晶片的所述结构层被耦合到所述第一晶片的所述表面;以及
微镜的定子、转子和移动质量块被集成在所述第二晶片的所述衬底中,所述定子和所述转子形成用于电容性地驱动所述移动质量块的电容性驱动组件。


2.根据权利要求1所述的集成部件,其特征在于,还包括:第一盖,被耦合到在所述检测器设备处的所述衬底,以及
其中所述结构层和所述第一盖分别被耦合到所述表面和所述衬底,以便限定容纳所述检测器设备的第一气密腔室。


3.根据权利要求2所述的集成部件,其特征在于,还包括:第二盖,被耦合到在所述微镜处的所述衬底,以及
其中所述结构层和所述第二盖分别被耦合到所述表面和所述衬底,以便限定容纳所述微镜的第二气密腔室。


4.根据权利要求2所述的集成部件,其特征在于,还包括:
定子接触,被电耦合到所述微镜的所述定子;
转子接触,被电耦合到所述微镜的所述转子;以及
第三晶片,被耦合到所述衬底,并且被成形以便形成所述第一盖、在所述转子接触处的第一贯通开口、以及在所述定子接触处的第二贯通开口。


5.根据权利要求4所述的集成部件,其特征在于,还包括:第二盖,...

【专利技术属性】
技术研发人员:L·塞吉齐L·蒙塔格纳G·维萨利M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚
申请(专利权)人:意法半导体股份有限公司
类型:新型
国别省市:意大利;IT

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