一种薄膜压电声波滤波器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜压电声波滤波器及其制造方法，其中制造方法包括：提供第一基板，第一基板的上表面形成有多个相互隔离的第一空腔；在每一第一空腔中形成第一牺牲层，使第一牺牲层的上表面与第一基板的上表面齐平；形成多个声波谐振器单元，每一声波谐振器单元包括依次形成在第一牺牲层上的第一电极、压电层和第二电极，每一声波谐振器单元的边界位于一个第一空腔的边界内；在每一声波谐振器单元的上方形成第二牺牲层，使第二牺牲层的边界遮盖声波谐振器单元的边界，且相邻第二牺牲层之间相互隔离；形成盖帽层本体，覆盖每一第二牺牲层及第二牺牲层之间相互隔离的区域；去除第一牺牲层和第二牺牲层。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜压电声波滤波器及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种薄膜压电声波滤波器及其制造方法。
技术介绍
随着无线通信技术的发展，传统的单频带单制式设备已经不能满足通讯系统多样化的要求。目前，通讯系统越来越趋向多频段化，这就要求通讯终端能够接受各个频带以满足不同的通讯服务商和不同地区的要求。RF(射频)滤波器通常被用于通过或阻挡RF信号中的特定频率或频带。为了满足无线通信技术的发展需求，要求通讯终端使用的RF滤波器可以实现多频带、多制式的通讯技术要求，同时要求通讯终端中的RF滤波器不断向微型化、集成化方向发展，且每个频带采用一个或多个RF滤波器。RF滤波器包括多个谐振器，其中谐振器最主要的指标包括品质因数Q和插入损耗。随着不同频带间的频率差异越来越小，RF滤波器需要非常好的选择性，让频带内的信号通过并阻挡频带外的信号。Q值越大，则RF滤波器可以实现越窄的通带带宽，从而实现较好的选择性。在谐振器的制造过程中，需在谐振器中的声学换能器上方形成空腔，使得谐振器中的声波在无干扰的情况下传播，从而使得滤波器的性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，包括：/n提供第一基板，所述第一基板的上表面形成有多个相互隔离的第一空腔；/n在每一所述第一空腔中形成第一牺牲层，使所述第一牺牲层的上表面与所述第一基板的上表面齐平；/n形成多个声波谐振器单元，每一所述声波谐振器单元包括依次形成在所述第一牺牲层上的第一电极、压电层和第二电极，每一所述声波谐振器单元的边界位于一个所述第一空腔的边界内，所述声波谐振器单元的所述第一电极、压电层、第二电极在垂直于所述压电层方向上相互叠置；/n在每一所述声波谐振器单元的上方形成第二牺牲层，使所述第二牺牲层的边界遮盖所述声波谐振器单元的边界，且相邻所述第二牺牲层之间相互隔...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一基板，所述第一基板的上表面形成有多个相互隔离的第一空腔；
在每一所述第一空腔中形成第一牺牲层，使所述第一牺牲层的上表面与所述第一基板的上表面齐平；
形成多个声波谐振器单元，每一所述声波谐振器单元包括依次形成在所述第一牺牲层上的第一电极、压电层和第二电极，每一所述声波谐振器单元的边界位于一个所述第一空腔的边界内，所述声波谐振器单元的所述第一电极、压电层、第二电极在垂直于所述压电层方向上相互叠置；
在每一所述声波谐振器单元的上方形成第二牺牲层，使所述第二牺牲层的边界遮盖所述声波谐振器单元的边界，且相邻所述第二牺牲层之间相互隔离；
形成盖帽层本体，覆盖每一所述第二牺牲层及所述第二牺牲层之间相互隔离的区域；
去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层。


2.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，形成所述盖帽层本体包括：利用沉积工艺、旋涂或贴膜工艺形成一层或多层膜层。


3.根据权利要求2所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，每一层膜层的材料包括：硅氧化物、硅氮化物、硅碳化物或有机固化膜。


4.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，形成所述压电层的方法包括：物理气相沉积、化学气相沉积或物理蒸发中的至少一种或几种的组合。


5.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，去除所述第二牺牲层包括：
在形成所述盖帽层本体之后，在所述盖帽层本体上形成释放孔，所述释放孔暴露出所述第二牺牲层；
通过所述释放孔，去除所述第二牺牲层。


6.根据权利要求5所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层包括：
在形成所述第二牺牲层之前，在所述第一牺牲层上、声波谐振器单元外围形成贯穿压电叠层结构的释放通道，所述压电叠层结构包括第一电极、压电层或第二电极中的至少一种，在形成所述第二牺牲层时，所述第二牺牲层与所述第一牺牲层通过所述释放通道相接，在去除所述第二牺牲层时，通过所述释放通道去除所述第一牺牲层。


7.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，去除所述第一牺牲层包括：
在形成所述第二牺牲层之前，在所述第一牺牲层上、声波谐振器单元外围形成贯穿压电叠层结构的释放通道，所述压电叠层结构包括第一电极、压电层或第二电极中的至少一种；
通过所述释放通道去除所述第一牺牲层。


8.根据权利要求6或7所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，所述释放通道为多个彼此分离的通孔；
或者，
所述释放通道为围绕所述声波谐振器单元延伸的沟槽，所述沟槽的边界与所述声波谐振器单元的边界错开或重叠。


9.根据权利要求5所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层后还包括：形成封盖层，覆盖所述盖帽层本体。


10.根据权利要求9所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，部分所述封盖层嵌入部分所述释放孔内。


11.根据权利要求9所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，形成所述封盖层的方法包括：贴膜工艺、沉积工艺或涂布工艺。


12.根据权利要求9所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，所述封盖层的材料包括：无机介电材料或有机固化膜。


13.根据权利要求2或12所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，所述有机固化膜包括光敏固化膜。


14.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，形成每一所述声波谐振器单元包括：
形成第一电极，覆盖所述第一牺牲层、所述第一基板；
图形化所述第一电极，形成第一侧面，每一所述第一侧面构成一个所述声波谐振器单元的部分边界；
形成压电层，覆盖所述第一电极、所述牺牲层和所述第一基板；
形成第二电极；
图形化所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄河，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33