一种薄膜压电声波滤波器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜压电声波滤波器及其制造方法，其中薄膜压电声波滤波器包括：第一基板；置于第一基板上的多个声波谐振器单元；每一声波谐振器单元包括压电感应片体、用于对压电感应片体施加电压的且彼此相对的第一电极、第二电极；位于第一基板上的盖帽层，盖帽层具有多个子盖帽，子盖帽包围声波谐振器单元，以在声波谐振器单元与子盖帽之间形成第一空腔，相邻子盖帽之间设有隔离部分，以隔离相邻的第一空腔。本发明专利技术在声波谐振器单元上方形成独立的第一空腔，相对于多个声波谐振器单元共用一个大的空腔，第一空腔的体积大大缩小，盖帽层需要的结构强度降低，可以防止大空腔导致的盖帽层塌陷的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜压电声波滤波器及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种薄膜压电声波滤波器及其制造方法。
技术介绍
随着无线通信技术的发展，传统的单频带单制式设备已经不能满足通讯系统多样化的要求。目前，通讯系统越来越趋向多频段化，这就要求通讯终端能够接受各个频带以满足不同的通讯服务商和不同地区的要求。RF(射频)滤波器通常被用于通过或阻挡RF信号中的特定频率或频带。为了满足无线通信技术的发展需求，要求通讯终端使用的RF滤波器可以实现多频带、多制式的通讯技术要求，同时要求通讯终端中的RF滤波器不断向微型化、集成化方向发展，且每个频带采用一个或多个RF滤波器。RF滤波器最主要的指标包括品质因数Q和插入损耗。随着不同频带间的频率差异越来越小，RF滤波器需要非常好的选择性，让频带内的信号通过并阻挡频带外的信号。Q值越大，则RF滤波器可以实现越窄的通带带宽，从而实现较好的选择性。在谐振器的制造过程中，需在谐振器中的声学换能器上方形成空腔，使得谐振器中的声波在无干扰的情况下传播，从而使得滤波器的性能和功能满足需求。目前，主本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜压电声波滤波器，其特征在于，包括：/n第一基板；/n置于所述第一基板上的多个声波谐振器单元，每一所述声波谐振器单元包括压电感应片体、用于对所述压电感应片体施加电压的且彼此相对的第一电极、第二电极；/n位于所述第一基板上的盖帽层，所述盖帽层具有多个子盖帽，所述子盖帽包围所述声波谐振器单元，以在所述声波谐振器单元与所述子盖帽之间形成第一空腔，相邻所述子盖帽之间设有隔离部分，以隔离相邻的第一空腔。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜压电声波滤波器，其特征在于，包括：
第一基板；
置于所述第一基板上的多个声波谐振器单元，每一所述声波谐振器单元包括压电感应片体、用于对所述压电感应片体施加电压的且彼此相对的第一电极、第二电极；
位于所述第一基板上的盖帽层，所述盖帽层具有多个子盖帽，所述子盖帽包围所述声波谐振器单元，以在所述声波谐振器单元与所述子盖帽之间形成第一空腔，相邻所述子盖帽之间设有隔离部分，以隔离相邻的第一空腔。


2.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述声波谐振器单元为体声波谐振器单元，所述第一电极为压电感应片体上的上电极，所述第二电极为压电感应片体下的下电极；
或者，
所述声波谐振器单元为表面声波谐振器单元，所述第一电极、第二电极分别为所述压电感应片体上的第一叉指换能器和第二叉指换能器。


3.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述隔离部分包括所述子盖帽的侧壁；
或者，
所述隔离部分包括所述子盖帽的侧壁以及在所述相邻子盖帽之间形成的隔离膜层。


4.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述薄膜压电声波滤波器为体声波滤波器；
所述第一空腔在所述谐振器单元上投影的至少部分边界围成所述声波谐振器单元的有效区部分边界。


5.根据权利要求4所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，至少部分相邻的声波谐振器单元的压电感应片体连接在一起，所述投影的部分边界围成所述连接在一起的压电感应片体部分的有效区边界。


6.根据权利要求4所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所有所述声波谐振器单元的压电感应片体连接在一起，所述投影的边界围成所述谐振器单元的有效区边界。


7.根据权利要求4所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述有效区边界为不规则多边形，且无相互平行的对边。


8.根据权利要求2所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述体声波谐振器单元的上电极、下电极仅在有效区相对叠置。


9.根据权利要求2所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，相邻的所述体声波谐振器单元之间，其中一所述体声波谐振器单元的上电极或下电极与另一所述体声波谐振器单元的所述上电极或下电极电连接。


10.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述薄膜压电声波滤波器为SMR薄膜声波滤波器，所述第一空腔的真空度为1mtorr-10torr。


11.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述盖帽层包括：具有释放孔的盖帽层本体，以及密封所述释放孔的封盖层。


12.根据权利要求11所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述封盖层部分嵌入所述释放孔内。


13.根据权利要求11所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述封盖层的材料包括：无机介电材料、有机固化膜。


14.据权利要求11所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述盖帽层本体为单层膜层或多层膜层结构，每一层膜层的材料选自：硅氧化物、硅氮化物、硅碳化物、有机固化膜。


15.根据权利要求11所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述盖帽层本体的厚度范围：5微米到50微米，所述封盖层的厚度范围为5微米到50微米。


16.根据权利要求11所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述释放孔的孔径为0.01微米到5微米；
每一所述第一空腔上方的所述释放孔的密度范围为每100平方微米1到100个释放孔。


17.根据权利要求2所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述压电感应片体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄河，罗海龙，李伟，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33