一种倒装红光LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种倒装红光LED芯片及其制作方法，通过在所述p‑GaP窗口层表面沉积第一ITO层，使所述第一ITO层搭配所述p‑GaP窗口层，可减薄所述p‑GaP窗口层的厚度，从而在解决因p‑GaP窗口层太厚导致的吸光问题的同时，还保证了其电流在LED芯片的P面扩展的均匀性；同时，通过所述发光台面的水平裸露面沉积形成第二ITO层，可减薄所述n‑AlGaInP扩展层的厚度，从而在解决因n‑AlGaInP扩展层太厚导致的吸光问题的同时，还保证了其电流在LED芯片的N面扩展的均匀性，进而提高LED芯片的出光率。其次，本发明专利技术采用蒸镀与沉积相结合的方法制作复合键合层，既能获得高的制作效率又具有良好的键合率。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装红光LED芯片及其制作方法
本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种倒装红光LED芯片及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)是一种能将电能直接转换为光能的半导体器件，属于固态冷光源。LED固有物理特性使其能够在低电压/电流下工作，具有发光效率高、体积小、寿命长节能等特点。其本身不含汞、铅等有害物质，不会在生产使用中对外界产生污染。因此，LED现已成为交通显示、医疗照明、投影、军事通信等领域的核心发光器件。随着微投影、微显示等概念的提出，科研人员的关注点逐渐由大尺寸器件向微小型器件转移。近年来，微型LED在汽车，可穿戴设备，军事应用，生物传感器，光学生物芯片，微型集成全色系列显示器(集成红、绿、蓝色三种颜色波段)领域极具潜在应用价值。红光LED芯片一般由AlGaInP四元材料制备而成，为满足外延层生长晶格的匹配，通常选用GaAs作为外延衬底材料。但是GaAs能隙比较小，对于AlGaInP发出光具有吸收作用，因此限制了红色LED的光提取率。GaAs衬底吸收的光能最终转换成热能，使器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装红光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：/nS01、在临时衬底上生长外延叠层，所述外延叠层至少包括沿生长方向依次堆叠的n-AlGaInP扩展层、n-AlInP限制层、有源层、p-AlInP限制层、p-GaP窗口层；/nS02、在所述p-GaP窗口层表面沉积第一ITO层；/nS03、在所述第一ITO层上蒸镀形成第一SiO2键合层；/nS04、将永久衬底抛光并在表面沉积形成第二SiO2键合层后，将其与所述外延叠层进行键合；/nS05、剥离所述临时衬底；/nS06、通过ICP刻蚀至部分所述p-GaP窗口层，形成发光台面；/nS07、在所述发光台面的水平裸露面沉积形...

【技术特征摘要】
1.一种倒装红光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：
S01、在临时衬底上生长外延叠层，所述外延叠层至少包括沿生长方向依次堆叠的n-AlGaInP扩展层、n-AlInP限制层、有源层、p-AlInP限制层、p-GaP窗口层；
S02、在所述p-GaP窗口层表面沉积第一ITO层；
S03、在所述第一ITO层上蒸镀形成第一SiO2键合层；
S04、将永久衬底抛光并在表面沉积形成第二SiO2键合层后，将其与所述外延叠层进行键合；
S05、剥离所述临时衬底；
S06、通过ICP刻蚀至部分所述p-GaP窗口层，形成发光台面；
S07、在所述发光台面的水平裸露面沉积形成第二ITO层，并裸露部分所述n-AlGaInP扩展层；
S08、在所述n-AlGaInP扩展层的裸露面蒸镀形成第二电极；
S09、在所述p-GaP窗口层的裸露面蒸镀形成第一电极；
S10、沉积形成一隔离层，所述隔离层覆盖所述外延叠层背离所述永久衬底一侧的裸露面；
S11、切割、裂片，取得LED芯片。


2.根据权利要求1所述的倒装红光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S02包括：粗化所述p-GaP窗口层，并在所述p-GaP窗口层的粗化表面沉积所述第一ITO层。


3.根据权利要求1所述的倒装红光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S11还包括对经切割、裂片所取得的LED芯片进行激光切割，使所述永久衬底通过激光切割形成斜侧壁。


4.根据权利要求1所述的倒装红光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述永久衬底包括蓝宝石衬底或SiC衬底。


5.根据权利要求1至4任意一项所述的倒装红光LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述n-AlGaInP扩展层及n-AlInP限制层之间设...

【专利技术属性】
技术研发人员：金钊，徐洲，马英杰，蔡和勋，吴奇隆，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32