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本发明提供了一种倒装红光LED芯片及其制作方法，通过在所述p‑GaP窗口层表面沉积第一ITO层，使所述第一ITO层搭配所述p‑GaP窗口层，可减薄所述p‑GaP窗口层的厚度，从而在解决因p‑GaP窗口层太厚导致的吸光问题的同时，还保证了其电...
该专利属于扬州乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州乾照光电有限公司授权不得商用。

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