显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示装置，其目的在于减小薄膜晶体管的电流偏差，提高驱动能力。设于周边区域(PR)的多个薄膜晶体管为交错型的第一薄膜晶体管(TFT1)，其具有由低温多晶硅构成的第一沟道层(CH1)，且在第一源电极(SE1)及第一漏电极(DE1)各自与第一栅电极(GE1)之间不存在第一沟道层。设于显示区域(DR)的多个薄膜晶体管包括交错型的第二薄膜晶体管(TFT2)，其具有由氧化物半导体构成的第二沟道层(CH2)，且在第二源电极(SE2)及第二漏电极(DE2)各自与第二栅电极(GE2)之间不存在第二沟道层。第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管相比位于更下层的位置。

【技术实现步骤摘要】
显示装置本专利技术申请是申请日为2017年2月8日、申请号为201710069669.X、专利技术名称为“显示装置及显示装置的制造方法”的专利技术申请的分案申请。
本专利技术涉及一种显示装置。
技术介绍
显示装置通过与每个像素对应的亮度和色度的发光来显示图像。例如，向设在配置成矩阵状的多个像素电极与这些像素电极所共用的共用电极之间的有机发光层流通电流使其发光。另外，针对各个像素布局有组合了多个薄膜晶体管、电容器的像素电路。现有技术文献专利文献1：日本特开2012-160679号公报因为由低温多晶硅构成的薄膜晶体管的驱动能力高，所以被大量使用。硅通过受激准分子激光退火而被多结晶化，但激光的照射偏差很大，从而无法减小各像素的电流偏差。因此，需要设置修正电路、或者多次反复照射激光，从而存在装置成本、激光的材料成本等的课题。近年来，作为薄膜晶体管工艺，开发出使用了氧化物半导体的制造工艺(专利文献1)。然而，使用了氧化物半导体的现有薄膜晶体管无法满足窄框、低耗电量等的制约条件。于是，期待开发出用于混载基于氧化物半导体的薄膜晶体管和基于低温多晶硅的薄膜晶体管的工艺。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，减小薄膜晶体管的电流偏差，提高驱动能力。本专利技术的显示装置的特征在于，具有：多个像素电极，其设于用于显示图像的显示区域；共用电极，其配置在所述多个像素电极的上方；发光元件层，其夹设在所述多个像素电极与所述共用电极之间；以及由多个层构成的电路层，所述多个层从所述显示区域到达位于所述显示区域的外侧的周边区域，所述电路层在所述显示区域及所述周边区域分别具有多个薄膜晶体管，设于所述周边区域的所述多个薄膜晶体管为交错型的第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管具有由低温多晶硅构成的第一沟道层，且在第一源电极与第一栅电极之间及第一漏电极与第一栅电极之间不存在所述第一沟道层，设于所述显示区域的所述多个薄膜晶体管包括交错型的第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管具有由氧化物半导体构成的第二沟道层，且在第二源电极与第二栅电极之间及第二漏电极与第二栅电极之间不存在所述第二沟道层，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管相比位于更上层的位置。根据本专利技术，第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管为交错型，因此寄生电容变小，驱动能力很高。另外，由于第二薄膜晶体管的第二沟道层由氧化物半导体构成，所以能够减小电流偏差。而且，第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管相比位于更下层的位置。因此，由于第二薄膜晶体管在第一薄膜晶体管之后形成，所以不会受到在形成由低温多晶硅构成的第一沟道层时的热量。本专利技术的显示装置的制造方法中，显示装置具有用于显示图像的显示区域及位于所述显示区域的外侧的周边区域，该显示装置的制造方法的的特征在于，包括：在所述周边区域形成交错型的第一薄膜晶体管的工序，所述第一薄膜晶体管具有由低温多晶硅构成的第一沟道层，且在第一源电极与第一栅电极之间及第一漏电极与第一栅电极之间不存在所述第一沟道层；在形成所述第一薄膜晶体管之后，在所述显示区域形成交错型的第二薄膜晶体管的工序，该第二薄膜晶体管具有由氧化物半导体构成的第二沟道层，且在第二源电极与第二栅电极之间及第二漏电极与第二栅电极之间不存在所述第二沟道层；在形成所述第二薄膜晶体管之后，在所述显示区域形成多个像素电极的工序；在所述多个像素电极的上方形成发光元件层的工序；以及在所述发光元件层的上方形成共用电极。根据本专利技术，第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管为交错型，因此寄生电容变小，驱动能力很高。另外，由于第二薄膜晶体管的第二沟道层由氧化物半导体构成，所以能够减小电流偏差。而且，由于第二薄膜晶体管在第一薄膜晶体管之后形成，所以不会受到在形成由低温多晶硅构成的第一沟道层时的热量。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式的显示装置的立体图。图2是图1示出的显示装置的II-II线剖视图。图3是本专利技术的第一实施方式的显示装置的电路图。图4是示出第一实施方式的电路层的详细的概略图。图5是示出第一实施方式的变形例的图。图6是本专利技术的第二实施方式的显示装置的电路图。图7是示出第二实施方式的电路层的详细的概略图。附图标记说明10第一基板、12集成电路芯片、14柔性印刷基板、16电路层、18像素电极、20绝缘层、22发光元件层、24共用电极、26封固层、28填充层、30第二基板、32着色层、34黑矩阵、36屏蔽膜、116电路层、140金属层、142贯穿孔、216电路层、C电容器、C1第一电容器、C2第二电容器、C3第三电容器、CH1第一沟道层、CH1第一沟道层、CH2第二沟道层、CL1第一导电层、CL2第二导电层、CP1第一接触插塞、CP2第二接触插塞、DE显示元件、DE1第一漏电极、DE2第二漏电极、DR显示区域、E1电极、E2电极、E3电极、GE1第一栅电极、GE2第二栅电极、PR周边区域、PWL电源线、SCL扫描线、SE1第一源电极、SE2第二源电极、SGL信号线、SW1第一开关元件、SW2第二开关元件、SW3第三开关元件、TFT1第一薄膜晶体管、TFT2第二薄膜晶体管。具体实施方式以下，参照附图说明本专利技术的实施方式。第一实施方式图1是本专利技术的第一实施方式的显示装置的立体图。作为显示装置而举出有机电致发光显示装置为例子。显示装置对例如由红、绿及蓝构成的多个颜色的单位像素(子像素)进行组合，形成全彩的像素(pixel)，显示全彩的图像。显示装置通过例如由树脂构成而包括具有柔性的第一基板10。在第一基板10上搭载有用于驱动用于显示图像的元件的集成电路芯片12，并连接有用于与外部电连接的柔性印刷基板14。图2是图1示出的显示装置的II-II线剖视图。在第一基板10上层叠有电路层16。在后面具体说明电路层16。在电路层16之上设置有以与多个单位像素分别对应的方式构成的多个像素电极18(例如阳极)。在电路层16及像素电极18上形成有绝缘层20。绝缘层20以载置在像素电极18的周缘部并使像素电极18的一部分(例如中央部)开口的方式形成。通过绝缘层20形成了包围像素电极18的一部分的凸块(bank)。在像素电极18上设有发光元件层22。发光元件层22连续地载置在多个像素电极18上，也载置在绝缘层20上。作为变形例，也可以针对每个像素电极18分别(分离地)设置发光元件层22。发光元件层22至少包括发光层，而且可以包括电子输送层、空穴输送层、电子注入层及空穴注入层中的至少一层。在发光元件层22之上，以在多个像素电极18的上方与发光元件层22接触的方式设有共用电极24(例如阴极)。共用电极24以载置在成为凸块的绝缘层20的上方的方式形成。发光元件层22夹设在像素电极18及共用电极24之间，通过流过两者之间的电流被控制亮度从而发光。发光元件层22通过由层叠于共用电极24的封固层26覆盖而被封固，从而隔绝了水分。在封固膜26的上方隔着填充层28设有第二基板30。在第二基板30上设有由多个颜色(例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其特征在于，具有：/n像素电极，其设于用于显示图像的显示区域；/n共用电极，其配置在所述像素电极的上方；/n发光元件，其夹设在所述像素电极与所述共用电极之间；/n第一薄膜晶体管，其配置在位于所述显示区域的外侧的周边区域；以及/n配置在所述显示区域的第二薄膜晶体管和导电层，/n所述第一薄膜晶体管具有由硅构成的第一沟道层，/n所述第二薄膜晶体管具有由氧化物半导体构成的第二沟道层，/n所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管相比位于上层，/n所述导电层具有电阻比所述第一沟道层的电阻低的硅层，并且与所述第一薄膜晶体管的所述第一沟道层位于同一层且与所述第二薄膜晶体管相比位于下层。/n

【技术特征摘要】
20160323 JP 2016-0584551.一种显示装置，其特征在于，具有：
像素电极，其设于用于显示图像的显示区域；
共用电极，其配置在所述像素电极的上方；
发光元件，其夹设在所述像素电极与所述共用电极之间；
第一薄膜晶体管，其配置在位于所述显示区域的外侧的周边区域；以及
配置在所述显示区域的第二薄膜晶体管和导电层，
所述第一薄膜晶体管具有由硅构成的第一沟道层，
所述第二薄膜晶体管具有由氧化物半导体构成的第二沟道层，
所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管相比位于上层，
所述导电层具有电阻比所述第一沟道层的电阻低的硅层，并且与所述第一薄膜晶体管的所述第一沟道层位于同一层且与所述第二薄膜晶体管相比位于下层。


2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
设于所述显示区域的所述第二薄膜晶体管以控制向所述像素电极供给的电流的供给量的方式被连接。


3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述导电层具有与所述第二薄膜晶体管整体重叠的大小。


4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在所述显示区域还包括第二导电层，将所述导电层作为电容器的一个电极，所述第二导电层在与所述导电层相对的位置成为另一个电极，
所述第二导电层与所述第一薄膜晶体管的所述第一栅电极位于同一层，且与所述第二薄膜晶体管相比位于下层。


5.一种显示装置，其特征在于，
像素电极，其设于用于显示图像的显示区域；
共用电极，其配置在所述像素电极的上方；
发光元件，其夹设在所述像素电...

【专利技术属性】
技术研发人员：丸山哲，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本;JP