半导体存储器装置、其操作方法及存储器系统制造方法及图纸

半导体存储器装置、其操作方法及存储器系统。一种半导体装置可以包括：内部电压供应器和电压电平控制器。内部电压供应器可以供应要用于半导体装置的操作的内部电源电压。电压电平控制器可以确定是否满足半导体装置的电压电平改变条件，并且基于确定的结果来控制内部电压供应器以改变内部电源电压的电压电平。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置、其操作方法及存储器系统
本公开的各种实施方式总体上涉及电子装置，并且更具体地，涉及半导体存储器装置、操作该半导体存储器装置的方法以及存储器系统。
技术介绍
通常，存储器装置可以具有在半导体基板上水平地布置串的二维结构，或者在半导体基板上垂直地层叠串的三维结构。三维存储器装置可以是被设计为克服二维存储器装置的集成度限制的装置，并且可以包括在半导体基板上垂直层叠的多个存储器单元。
技术实现思路
本公开的实施方式可以提供一种半导体装置，其包括：内部电压供应器，其被配置为供应要用于半导体装置的操作的内部电源电压；以及电压电平控制器，其被配置为控制内部电压供应器。电压电平控制器可以被配置为确定是否满足半导体装置的电压电平改变条件，并被配置为基于确定的结果来控制内部电压供应器以改变内部电源电压的电压电平。本公开的实施方式可以提供一种存储器系统，其包括：半导体存储器装置；以及被配置为控制半导体存储器装置的操作的控制器。控制器可以包括电压控制模式确定器，其被配置为确定电压控制模式并将电压控制参数发送给半导体存储器装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：/n内部电压供应器，所述内部电压供应器被配置为供应要用于所述半导体装置的操作的内部电源电压；以及/n电压电平控制器，所述电压电平控制器被配置为控制所述内部电压供应器，/n其中，所述电压电平控制器被配置为确定是否满足所述半导体装置的电压电平改变条件，并且被配置为基于所述确定的结果来控制所述内部电压供应器以改变所述内部电源电压的电压电平。/n

【技术特征摘要】
20190604 KR 10-2019-00662201.一种半导体装置，该半导体装置包括：
内部电压供应器，所述内部电压供应器被配置为供应要用于所述半导体装置的操作的内部电源电压；以及
电压电平控制器，所述电压电平控制器被配置为控制所述内部电压供应器，
其中，所述电压电平控制器被配置为确定是否满足所述半导体装置的电压电平改变条件，并且被配置为基于所述确定的结果来控制所述内部电压供应器以改变所述内部电源电压的电压电平。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，当预期所述内部电源电压的电压电平下降时，所述电压电平改变条件被满足。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，当所述电压电平改变条件被满足时，所述电压电平控制器控制所述内部电压供应器以将所述内部电源电压的电压电平从第一电平增加到第二电平。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，当所述电压电平改变条件被解除时，所述电压电平控制器控制所述内部电压供应器以将所述内部电源电压的电压电平从所述第二电平减小到所述第一电平。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；以及
外围电路，所述外围电路被配置为对所述存储器单元阵列执行操作，
其中，所述电压电平控制器包括：
命令输入电路，所述命令输入电路被配置为接收命令以控制所述半导体装置的操作；
子操作控制信号发生器，所述子操作控制信号发生器被配置为生成多个子操作控制信号以控制所述外围电路执行与所述命令相对应的多个子操作；
设定值储存器，所述设定值储存器被配置为存储要用于所述半导体装置的操作的多个设定值；
电压控制条件储存器，所述电压控制条件储存器被配置为存储至少一个条件，所述至少一个条件具有改变所述内部电源电压的电压电平的能力；以及
电压控制信号发生器，所述电压控制信号发生器被配置为基于所述多个子操作控制信号、所述多个设定值和所述命令来确定是否满足所述至少一个条件。


6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，当所述至少一个条件被满足时，所述电压控制信号发生器生成内部电压控制信号以控制所述内部电压供应器将所述内部电源电压的电压电平增加到第二电平。


7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，当所述至少一个条件被解除时，所述电压控制信号发生器生成内部电压控制信号以控制所述内部电压供应器将所述内部电源电压的电压电平减小至第一电平。


8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述内部电压供应器包括：
晶体管，所述晶体管联接在外部电源电压和输出节点之间；
分压器，所述分压器联接在所述输出节点和接地节点之间并被配置为输出分压电压；以及
比较器，所述比较器被配置为将参考电压和所述分压器的所述分压电压进行比较，并将输出电压发送至所述晶体管的栅极。


9.根据权利要求8所述的半导体装置，
其中，所述晶体管由PMOS晶体管形成，
其中，所述参考电压被输入到所述比较器的反相输入端子，并且
其中，所述分压电压被输入到所述比较器的同相输入端子。


10.根据权利要求8所述的半导体装置，
其中，所述晶体管由NMOS晶体管形成，
其中，所述参考电压被输入到所述比较器的同相输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：成镇溶，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR