包括半导体存储器装置和控制器的存储器系统及操作控制器的方法制造方法及图纸

包括半导体存储器装置和控制器的存储器系统及操作控制器的方法。一种操作控制半导体存储器装置的操作的控制器的方法包括：控制半导体存储器装置以对被选存储器块执行操作；确定操作是否成功；以及基于操作是否成功，通过改变施加到被选存储器块中所包括的选择晶体管的操作电压来补偿选择晶体管的阈值电压分布的变化。

【技术实现步骤摘要】
包括半导体存储器装置和控制器的存储器系统及操作控制器的方法
本公开涉及一种电子装置，更具体地，涉及一种包括半导体存储器装置和控制器的存储器系统以及操作该控制器的方法。
技术介绍
半导体存储器装置可以以串水平地布置在半导体基板上的二维结构、或者以串垂直地层叠在半导体基板上的三维结构形成。三维半导体存储器装置是为了解决二维半导体存储器装置的集成度限制而设计的存储器装置，并且可以包括在半导体基板上垂直层叠的多个存储器单元。控制器可以控制半导体存储器装置的所有操作。存储器系统可以包括控制器和半导体存储器装置。
技术实现思路
根据本公开的实施方式，一种操作控制半导体存储器装置的操作的控制器的方法，该方法包括：控制半导体存储器装置以对被选存储器块执行操作；确定操作是否成功；以及基于操作是否成功，通过改变施加到被选存储器块中所包括的选择晶体管的操作电压来补偿选择晶体管的阈值电压分布的变化。根据本公开的另一实施方式，一种存储器系统包括：包括多个存储器块的半导体存储器装置；以及被配置为控制半导体存储器装置的操作的控制器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种操作控制器的方法，该控制器控制半导体存储器装置的操作，该方法包括以下步骤：/n控制所述半导体存储器装置以对被选存储器块执行操作；/n确定所述操作是否成功；以及/n基于所述操作是否成功，通过改变施加到所述被选存储器块中所包括的选择晶体管的操作电压来补偿所述选择晶体管的阈值电压分布的变化。/n

【技术特征摘要】
20190529 KR 10-2019-00634501.一种操作控制器的方法，该控制器控制半导体存储器装置的操作，该方法包括以下步骤：
控制所述半导体存储器装置以对被选存储器块执行操作；
确定所述操作是否成功；以及
基于所述操作是否成功，通过改变施加到所述被选存储器块中所包括的选择晶体管的操作电压来补偿所述选择晶体管的阈值电压分布的变化。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述操作电压是施加到所述选择晶体管的栅极的导通电压，并且
基于所述操作是否成功，通过改变施加到所述被选存储器块中所包括的所述选择晶体管的所述操作电压来补偿所述选择晶体管的所述阈值电压分布的变化的步骤包括以下步骤：
当所述操作失败时，控制所述半导体存储器装置以增加所述导通电压；
控制所述半导体存储器装置以向所述选择晶体管施加所述导通电压并向与所述被选存储器块连接的字线施加通过电压；
控制所述半导体存储器装置以对连接到所述选择晶体管的各条位线执行电流感测操作；以及
基于所述电流感测操作的结果，确定所述导通电压的改变是否成功地补偿了所述选择晶体管的所述阈值电压分布的变化。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，当非激活的位线的数目小于预定参考数时，所述导通电压的改变成功地补偿了所述选择晶体管的所述阈值电压分布的变化。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，通过改变施加到所述被选存储器块中所包括的所述选择晶体管的所述操作电压来补偿所述选择晶体管的所述阈值电压分布的变化的步骤包括以下步骤：
当所述导通电压对所述选择晶体管的所述阈值电压分布的变化的补偿失败时，控制所述半导体存储器装置以再次增加所述导通电压。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述操作电压是施加到所述选择晶体管的栅极的截止电压，并且
基于所述操作是否成功，通过改变施加到所述被选存储器块中所包括的所述选择晶体管的所述操作电压来补偿所述选择晶体管的所述阈值电压分布的变化的步骤包括以下步骤：
当所述操作失败时，控制所述半导体存储器装置以降低所述截止电压；
控制所述半导体存储器装置以向所述选择晶体管施加所述截止电压并向与所述被选存储器块连接的字线施加通过电压；
控制所述半导体存储器装置以对连接到所述选择晶体管的各条位线执行电流感测操作；以及
基于所述电流感测操作的结果，确定所述截止电压的改变是否成功地补偿了所述选择晶体管的所述阈值电压分布的变化。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，当激活的位线的数目小于预定参考数时，所述截止电压的改变成功地补偿了所述选择晶体管的所述阈值电压分布的变化。


7.根据权利要求6所述的方法，其中，通过改变施加到所述被选存储器块中所包括的所述选择晶体管的所述操作电压来补偿所述选择晶体管的所述阈值电压分布的变化的步骤包括以下步骤：
当所述截止电压对所述选择晶体管的所述阈值电压分布的变化的补偿失败时，控制所述半导体存储器装置以再次降低所述截止电压。


8.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：
基于施加到所述选择晶体管的改变后的操作电压来执行所述操作。


9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述操作是读取操作或编程操作，所述操作电压是施加到所述选择晶体管的栅极的导通电压，并且
基于改变后的操作电压执行所述操作的步骤包括以下步骤：
控制所述半导体存储器装置以基于补偿后的导通电压对所述被选存储器块执行读取操作或编程操作；
确定所述补偿后的导通电压是否大于预定阈值电压；
当所述补偿后的导通电压大于所述阈值电压时，将所述被选存储器块的数据复制到另一存储器块；以及
将所述被选存储器块处理为坏存储器块。


10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述操作是擦除操作，所述操作电压是施加到所述选择晶体管的栅极的导通电压，并且
基于补偿后的操作电压执行所述操作的步骤包括以下步骤：
控制所述半导体存储器装置以基于补偿后的导通电压对所述被选存储器块执行擦除操作；
确定所述补偿后的导通电压是否大于预定阈值电压；以及
当所述补偿后的导通电压大于所述阈值电压时，...

【专利技术属性】
技术研发人员：许民虎，金东眩，金承日，郑然镐，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR