一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置以及方法，属于投影光刻领域，投影光刻装置包括两种形式，一种为分体式，一种为合体式，分体式两束光分别进入两个物镜，合体式两束光共用一个物镜。本装备使用两束相同或不同波长的光，一束为制造光，另一束为辅助光，两束光被调制为光强阴阳文互补的图案，辅助光对制造光产生的图案边缘的衍射具有矫正作用，可以减低或者消除制造光产生的图案边缘的衍射模糊范围，从而达到超衍射极限的光刻分辨率。本发明专利技术适用于阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻的实现，相比传统光刻机减小光源波长来提高光刻分辨率的设计思路，本发明专利技术能大幅度降低光刻机制造难度和制造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置及方法
本专利技术属于光刻机
，更具体地，涉及一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置及方法。
技术介绍
历史上，曝光式光刻机技术经历了五代产品的发展。第一代为436纳米光源接触接近式光刻机，其光刻制程为几百纳米；第二代为365纳米光源接触接近式光刻机，其光刻制程相比第一代稍有提高；第三代为248纳米步进扫描投影式光刻机，其光刻制程达到65纳米；第四代为193纳米步进扫描投影式光刻机和193纳米浸没式步进扫描投影式光刻机，其光刻制程可达22纳米；第五代为13.5纳米极紫外式光刻机，其光刻制程可达7纳米。五代光刻机产品性能的提升，主要通过直接和间接采用更短波长光源的方式，以获得更高分辨率的光刻制程，其代价是光刻机整机的制造难度和造价急剧攀升。当前，芯片制程已经到了7纳米甚至5纳米，摩尔定律如何延续面临重大挑战。当前一台第五代极紫外光刻机售价已经高达1亿欧元，所用光源也已经采用了波长仅为13.5纳米的软X射线。在这个基础上进一步升级光刻分辨率，如继续沿用国际现有紫外光刻机技术路线，仍然采用直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置，其特征在于，其包括第一光源、第二光源、第一阴阳文互补掩膜版(1)、第二阴阳文互补掩膜版(2)、第一光刻物镜(5)、第二光刻物镜(6)，其中，/n第一光源用于出射第一光束，第一光束用作制造光，制造光用于依次通过第一掩膜版(1)和第一光刻物镜(5)，经缩微投影至光刻胶材料上进行光刻，/n第二光源用于出射第二光束，第二光束用作辅助光，辅助光用于依次通过第二掩膜板(2)和第二光刻物镜(6)，经缩微投影至光刻胶材料上，/n第一掩膜版(1)和第二掩膜版(2)两者图案相互补，以能使经第一掩膜版(1)的制造光和经过第二掩膜版(2)的辅助光在微缩投影到光刻胶上后形...

【技术特征摘要】
1.一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置，其特征在于，其包括第一光源、第二光源、第一阴阳文互补掩膜版(1)、第二阴阳文互补掩膜版(2)、第一光刻物镜(5)、第二光刻物镜(6)，其中，
第一光源用于出射第一光束，第一光束用作制造光，制造光用于依次通过第一掩膜版(1)和第一光刻物镜(5)，经缩微投影至光刻胶材料上进行光刻，
第二光源用于出射第二光束，第二光束用作辅助光，辅助光用于依次通过第二掩膜板(2)和第二光刻物镜(6)，经缩微投影至光刻胶材料上，
第一掩膜版(1)和第二掩膜版(2)两者图案相互补，以能使经第一掩膜版(1)的制造光和经过第二掩膜版(2)的辅助光在微缩投影到光刻胶上后形成光强阴阳文互补图案，
光强阴阳文互补图案在制造光对应投影图案衍射边缘处对准，两束光对光刻胶材料共同作用，能减小制造光由衍射带来的对投影图案衍射边缘的影响，使之衍射边缘尺寸变小，投影图案边缘更明锐。


2.如权利要求1所述的一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置，其特征在于，所述第一掩膜版(1)和第二掩膜版(2)为强度型掩膜版、相位型掩膜版、偏振型掩模版或者强度、相位和偏振混合型掩膜版。


3.一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置，其特征在于，其包括第一光源、第二光源、第一阴阳文互补掩膜版(1)、第二阴阳文互补掩膜版(2)、双色镜(9)、反射镜(10)和光刻物镜(12)，其中，
第一光源用于出射第一光束，第一光束用作制造光，制造光用于依次通过第一掩膜版(1)和双色镜(9)，最后经光刻物镜(12)缩微投影至光刻胶材料上进行光刻，
第二光源用于出射第二光束，第二光束用作辅助光，辅助光用于依次通过第二掩膜版(2)、反射镜(10)以及双色镜(9)，辅助光依次被反射镜(10)和双色镜(9)反射后改变传播方向，最后经光刻物镜(12)被缩微投影至光刻胶材料上，
制造光和...

【专利技术属性】
技术研发人员：甘棕松，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42