监测光刻机漏光情况的方法技术

本发明专利技术提供了一种监测光刻机漏光情况的方法，包括：对一测试晶圆进行正常投影曝光以形成m个正常投影区域；在正常投影曝光的过程中间隔加入n次超高能投影曝光，形成n个超高能投影区域，第n次超高能投影曝光时光刻机内部的杂散光会对与第n个超高能投影区域相邻的正常投影区域或超高能投影区域产生一次漏光影响；定义仅受到一次漏光影响的正常投影区域为待检测区域，所述测试晶圆上的任意一个超高能投影区域至少与一个待检测区域相邻；监测所述待检测区域的形貌和特征尺寸的变化情况，判断光刻机是否漏光并测算漏光的严重程度，其中，m≥n≥1，m、n均为整数。

【技术实现步骤摘要】
监测光刻机漏光情况的方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种监测光刻机漏光情况的方法。
技术介绍
光刻机主要通过光源曝光将掩模版上的图像转移到晶圆上。其中，光刻机的光路系统主要包括光源、掩模版及投影物镜组，将光源发出的光传送到掩模版的表面。随着使用年限增加，光刻机的曝光镜头可能出现雾化散光的情况，光线穿过曝光镜头后形成杂散光，造成曝光时光强分布不均匀。所述杂散光会将非曝光区域的图形叠加投影在相邻投影曝光的正常图形区域(即相邻shot)，产生不必要的特征尺寸(CD)差异，降低光刻机的解析能力，严重时会产生重影。为了避免杂散光的影响，需要定时使用极端光源对光刻机进行漏光状况的监控。然而，现有技术中对光刻机漏光状况的监控频率通常为每季度检测一次，时效性差。同时，由于杂散光导致的特征尺寸的形变通常小于1nm，监测难度较大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种监测光刻机漏光情况的方法，在正常投影曝光的过程中加入超高能投影曝光，使杂散光导致的特征尺寸形变更明显，以便通过监测所述测试晶圆的图案变化来检测光刻机的漏光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种监测光刻机漏光情况的方法，其特征在于，包括：/n对一测试晶圆进行正常投影曝光以形成m个正常投影区域；在正常投影曝光的过程中间隔加入n次超高能投影曝光，形成n个超高能投影区域，第n次超高能投影曝光的过程中光刻机内部的杂散光会对与第n个超高能投影区域相邻的正常投影区域或超高能投影区域产生一次漏光影响；定义仅受到一次漏光影响的所述正常投影区域为待检测区域，所述测试晶圆上的任意一个超高能投影区域至少与一个所述待检测区域相邻；监测所述待检测区域的形貌和特征尺寸的变化情况，判断光刻机是否漏光并测算漏光的严重程度，其中，m≥n≥1，m、n均为整数。/n

【技术特征摘要】
1.一种监测光刻机漏光情况的方法，其特征在于，包括：
对一测试晶圆进行正常投影曝光以形成m个正常投影区域；在正常投影曝光的过程中间隔加入n次超高能投影曝光，形成n个超高能投影区域，第n次超高能投影曝光的过程中光刻机内部的杂散光会对与第n个超高能投影区域相邻的正常投影区域或超高能投影区域产生一次漏光影响；定义仅受到一次漏光影响的所述正常投影区域为待检测区域，所述测试晶圆上的任意一个超高能投影区域至少与一个所述待检测区域相邻；监测所述待检测区域的形貌和特征尺寸的变化情况，判断光刻机是否漏光并测算漏光的严重程度，其中，m≥n≥1，m、n均为整数。


2.如权利要求1所述的监测光刻机漏光情况的方法，其特征在于，任意一次所述高能投影曝光的曝光强度均不相同。


3.如权利要求2所述的监测光刻机漏光情况的方法，其特征在于，所述高能投影曝光的曝光强度依次增大。


4.如权利要求3所述的监测光刻机漏光情况的方法，其特征在于，所述超高能投影曝光的曝光强度是正常投影曝光的曝光强度的5倍、10倍、15倍或20倍。


5.如权利要求1所述的监测光刻机漏光情况的方法，其特征在于，监测所述待检测区域的形貌和特征尺寸变化情况的过程包括：将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄亦能，吴隆武，吴婷，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31