光刻胶用含氟聚合物、包含其的顶部抗反射膜组合物及其在光刻胶中的应用制造技术

本发明专利技术涉及光刻胶用含氟聚合物、包含其的顶部抗反射膜组合物及其在光刻胶中的应用。该光刻胶用含氟聚合物的结构式如下：CF

【技术实现步骤摘要】
光刻胶用含氟聚合物、包含其的顶部抗反射膜组合物及其在光刻胶中的应用
本专利技术涉及光刻胶用顶部抗反射膜的
，尤其涉及一种用于制备顶部抗反射膜的含氟聚合物，包含其的用于制备顶部抗反射膜的组合物，以及由所述含氟聚合物或组合物制备的光刻胶用顶部抗反射膜。
技术介绍
光刻技术是一种将光掩膜上的半导体电路图案转移至硅片上的方法，通过激光或电子束辐照光掩膜版，使晶圆上的光敏物质因感光而发生材料性质的改变，从而完成图案转移的过程，现有的光刻技术是半导体、平板显示等器件制造中最关键的工艺单元。但是现有的光刻过程中存在光散射的技术问题，这会导致光刻胶成像的尺寸精度低，不能正确加工图形。目前的主流解决方法是在光刻胶涂布前后，增加底部抗反射膜或顶部抗反射膜。其中，顶部抗反射膜主要目的是降低光在光刻胶中的干涉，防止由于光刻胶厚度变化导致光刻线宽的变化，对于顶部抗反射膜要求具有低的折射率和高透射率。已知的顶部抗反射膜可以通过在光刻胶的顶部表面上施涂含有含氟化合物的组合物而形成。含氟化合物具有分子体积大，原子折射率小的特点，折射率低，且含氟化合物的折本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于制备光刻胶用顶部抗反射膜的含氟聚合物，其特征在于，其结构式如下：/nCF

【技术特征摘要】
1.用于制备光刻胶用顶部抗反射膜的含氟聚合物，其特征在于，其结构式如下：
CF2(CF3)CF2-[O-CF(CF3)CF2]n-O-CF(CF3)COO-R
其中，n在1-8的范围内，R为H、NH4或其他类似结构中的一种或者几种；
以整个聚合物重量计，其中数均分子量小于550的聚合物组分的含量a为0-12％；数均分子量为650-900的聚合物组分的含量b为75％-90％；数均分子量为980-1050的聚合物组分的含量c为5％-15％；数均分子量大于1150的聚合物组分的含量d为0-10％，a和d同时为0或任一个为0或同时不为0。


2.根据权利要求1所述的用于制备光刻胶用顶部抗反射膜的含氟聚合物，其特征在于，所述含氟聚合物的数均分子量在600～1300之间，更优选在700～1100之间。


3.根据权利要求1或2所述的用于制备光刻胶用顶部抗反射膜的含氟聚合物，其特征在于，所述含量b为78-90％，优选80-90％。


4.根据前述权利要求任一项所述的用于制备光刻胶用顶部抗反射膜的含氟聚合物，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永斌，
申请(专利权)人：甘肃华隆芯材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：甘肃;62