【技术实现步骤摘要】
一种高纯度三甲基铝的制备方法
本专利技术属于有机金属领域，涉及高纯度三甲基铝的制备方法。
技术介绍
高纯三甲基铝等高纯金属有机物，是制造高亮度发光二级管、新一代太阳能PERC电池、相变存储器、半导体激光器和射频集成电路芯片等核心原材料之一，在有机金属化学气相沉积、原子层沉积、低温外延等电子行业有着重要的应用。硅衬底LED技术是我国的国产技术，受到国家的大力推广，其需要采用高纯度三甲基铝作为原料。通过一系列实验发现，三甲基铝的纯度直接影响外延片生长的质量。产品的纯度越高，外延片生长得越好，因而合成高纯度三甲基铝成为当前的热点。公布号为CN104774218A和CN102020668A中国专利技术专利申请都提供了三甲基铝的合成方法，方法简单易行，适合工业化生产。两种合成方法均以乙醚为溶剂，乙醚由于与三甲基铝产品会发生络合，在后期分离的难度较大。过程繁琐，粗产品纯度在95.0％～99.0％之间，这个产品纯度满足不了现有的需求。
技术实现思路
为了获得高纯度的三甲基铝，本专利技术提供一种高纯度三甲
【技术保护点】
1.一种高纯度三甲基铝的制备方法，包括以下步骤：/n（1）在充满惰性气体的反应釜里加入镁粉和乙醚溶剂，控制所述反应釜内的温度为15~80℃并缓慢加入卤甲烷，反应得到格氏试剂溶液；/n（2）通过减压蒸馏除去所述格氏试剂溶液中的乙醚溶剂，然后加入惰性非极性溶剂，得到非极性溶剂溶解的格氏试剂溶液；/n（3）在惰性气体氛围下，在30~50℃下将所述非极性溶剂溶解的格氏试剂溶液中缓慢加入到AlX
【技术特征摘要】
1.一种高纯度三甲基铝的制备方法，包括以下步骤：
（1）在充满惰性气体的反应釜里加入镁粉和乙醚溶剂，控制所述反应釜内的温度为15~80℃并缓慢加入卤甲烷，反应得到格氏试剂溶液；
（2）通过减压蒸馏除去所述格氏试剂溶液中的乙醚溶剂，然后加入惰性非极性溶剂，得到非极性溶剂溶解的格氏试剂溶液；
（3）在惰性气体氛围下，在30~50℃下将所述非极性溶剂溶解的格氏试剂溶液中缓慢加入到AlX3中，其中X为Cl、Br或I，反应结束后通过精馏分离出三甲基铝。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述乙醚替换为四氢呋喃。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述卤甲烷为氯甲烷、溴甲烷或碘甲烷。
4.根据权利要求1所述的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈飞彪，贾军纪，谢贤清，雷志伟，邱曾烨，廖维林，曹芳，
申请(专利权)人：江西石华精细化工科技协同创新有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36
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