【技术实现步骤摘要】
一种非极性溶剂合成高纯度三甲基铝的方法
本专利技术属于有机金属领域，涉及高纯度三甲基铝的制备方法。
技术介绍
高纯三甲基铝等高纯金属有机物，是制造高亮度发光二级管、新一代太阳能PERC电池、相变存储器、半导体激光器和射频集成电路芯片等核心原材料之一，在有机金属化学气相沉积、原子层沉积、低温外延等电子行业有着重要的应用。目前为止，用于半导体照明的LED芯片按外延衬底划分有三条技术路线，即蓝宝石衬底LED技术路线、碳化硅衬底LED技术路线和硅衬底LED技术路线。前两条技术路线趋于成熟，核心技术都掌握在日美知名企业，处于垄断地位。第三条技术路线起步较晚，也是我国拥有完全自主知识产权的技术路线。但是阻碍硅衬底技术发展最大的“拦路虎”源于硅和氮化镓材料的热失配和晶格失配。要突破技术瓶颈，解决这些问题，硅衬底工艺技术中重要的一个环节是在硅衬底上生长优质的AlN缓冲层，来增强硅衬底与外延层的晶格匹配和热匹配性。AlN外延生长的路径如下式所示：AlN层晶体质量确定硅衬底芯片质量，三甲基铝作为AlN层外延生长关...
【技术保护点】
1.一种非极性溶剂合成高纯度三甲基铝的方法，包括以下步骤：/n（1）在充满惰性气体的反应釜里加入镁粉和乙醚溶剂，控制所述反应釜内的温度为15~80℃并缓慢加入卤甲烷，反应得到格氏试剂溶液；/n（2）通过减压蒸馏除去所述格氏试剂溶液中的乙醚溶剂，然后加入惰性非极性溶剂，得到非极性溶剂溶解的格氏试剂溶液；/n（3）在惰性气体氛围下，在20~60℃下将甲基倍半铝缓慢加入到所述非极性溶剂溶解的格氏试剂溶液中，反应结束后通过精馏分离出三甲基铝。/n
【技术特征摘要】
1.一种非极性溶剂合成高纯度三甲基铝的方法，包括以下步骤：
（1）在充满惰性气体的反应釜里加入镁粉和乙醚溶剂，控制所述反应釜内的温度为15~80℃并缓慢加入卤甲烷，反应得到格氏试剂溶液；
（2）通过减压蒸馏除去所述格氏试剂溶液中的乙醚溶剂，然后加入惰性非极性溶剂，得到非极性溶剂溶解的格氏试剂溶液；
（3）在惰性气体氛围下，在20~60℃下将甲基倍半铝缓慢加入到所述非极性溶剂溶解的格氏试剂溶液中，反应结束后通过精馏分离出三甲基铝。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述乙醚替换为四氢呋喃。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述卤甲烷为氯甲烷、溴甲烷或碘甲烷。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈飞彪，贾军纪，雷志伟，谢贤清，邱曾烨，廖维林，曹芳，
申请(专利权)人：江西佳因光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36
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