【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铝前体和生成含金属膜的方法本专利技术属于在衬底上生成无机薄膜的方法的领域，特别是原子层沉积方法。随着例如半导体工业中的持续小型化，对衬底上的无机薄膜的需求增加，同时对该膜的质量要求变得更加严格。金属薄膜用于不同的目的，例如阻挡层、导电结构或覆盖层。已知有数种生成金属膜的方法。其中之一是在衬底上由气态沉积成膜化合物。为了在中等温度下使金属原子变成气态，必须提供挥发性前体，例如通过金属与合适的配体络合。为了将沉积的金属络合物转化为金属膜，通常需要将沉积的金属络合物暴露于还原剂。通常使用氢气将沉积的金属络合物转化为金属膜。虽然氢作为还原剂对于相对贵的金属如铜或银起到相当好的作用，但对于更电正性的金属如钛或铝，不能产生令人满意的结果。WO2013/070702A1公开了一种使用与二胺配位的氢化铝作为还原剂来沉积金属膜的方法。尽管该还原剂通常产生良好的结果，但对于一些苛刻的应用，需要较高的蒸气压、稳定性和/或还原电势。因此，本专利技术的目的是提供还原剂，其能够将表面结合的金属原子还原成金属态，而在金属膜中留下较少的杂质。还原剂应该易于处...
【技术保护点】
1.制备含金属的膜的方法，包括：/n(a)将含金属化合物由气态沉积到固体衬底上，和/n(b)使沉积有含金属化合物的固体衬底与通式(I)化合物接触：/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180417 EP 18167721.21.制备含金属的膜的方法，包括：
(a)将含金属化合物由气态沉积到固体衬底上，和
(b)使沉积有含金属化合物的固体衬底与通式(I)化合物接触：
其中Z为C2-C4亚烷基，且
R为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。
2.根据权利要求1的方法，其中R在1-位上不带有氢原子。
3.根据权利要求2的方法，其中R为叔丁基。
4.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中Z为亚乙基。
5.根据权利要求1-4中任一项的方法，其中通式(I)化合物的分子量不超过600g/mol。
6.根据权利要求1-5中任一项的方法，其中通式(I)化合物在200℃的温度下...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·H·温特，K·布莱克尼，L·迈尔，D·D·施魏因富特，S·魏戈尼，D·瓦尔德曼，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，韦恩州立大学，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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