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本发明属于在衬底上产生无机薄膜的方法的领域，特别是原子层沉积方法。其涉及一种制备含金属的膜的方法，包括：(a)将含金属化合物由气态沉积到固体衬底上，和(b)使沉积有含金属化合物的固体衬底与通式(I)化合物接触，其中Z为C...
该专利属于巴斯夫欧洲公司;韦恩州立大学所有，仅供学习研究参考，未经过巴斯夫欧洲公司;韦恩州立大学授权不得商用。

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