铝化合物以及使用其制造半导体器件的方法技术

提供了铝化合物以及使用该铝化合物制造半导体器件的方法。所述铝化合物可以由式1表示。[式1]

Aluminum compound and method for manufacturing semiconductor devices thereof

【技术实现步骤摘要】
铝化合物以及使用其制造半导体器件的方法相关申请的交叉引用本申请要求2018年12月26日提交的韩国专利申请号10-2018-0169699的优先权，其公开内容通过引用以全文形式并入本文。
本专利技术构思的示例性实施方案涉及铝化合物，使用所述铝化合物制造半导体器件的方法，以及使用所述铝化合物的沉积过程。
技术介绍
由于电子技术的进步，近来，半导体器件的尺寸缩小快速地加速。因此，构成半导体器件的图案的结构正在复杂化和小型化。据此，需要开发一种原料化合物，其能够通过在形成包含铝的薄膜期间确保热稳定性，在复杂且微小的三维结构中形成具有均匀厚度的薄膜。
技术实现思路
本专利技术构思的一个示例性实施方案提供了一种具有热稳定性和可输送性的沉积前体。本专利技术构思的一个示例性实施方案提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括形成具有薄厚度和改善的性质的薄膜。本专利技术构思的示例性实施方案提供了铝化合物以及使用所述铝化合物制造半导体器件的方法。根据本专利技术构思的一个方面的铝化合物可以由式1表示。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种由式1表示的铝化合物:/n[式1]/n

【技术特征摘要】
20181226 KR 10-2018-01696991.一种由式1表示的铝化合物:
[式1]



其中，在式1中，R1和R2各自独立地是选自由1至6个碳原子的烷基、2至6个碳原子的二烷基氨基、1至6个碳原子的烷氧化物基团和卤素原子组成的组中的任一种，Z是O或N-R7，R3是选自由氢、氘和1至6个碳原子的烷基组成的组中的任一种，R4和R7各自独立地是选自由氢、氘、1至6个碳原子的烷基和3至10个碳原子的(二烷基氨基)烷基组成的组中的任一种，以及R5和R6各自独立地是选自由氢、氘和1至6个碳原子的烷基组成的组中的任一种。


2.权利要求1所述的铝化合物，所述铝化合物具有300℃至600℃的热分解温度。


3.权利要求1所述的铝化合物，其中，在式1中，R1和R2各自独立地是选自由1至4个碳原子的烷基、2至4个碳原子的二烷基氨基、1至4个碳原子的烷氧化物基团和卤素原子组成的组中的任一种，
其中R4和R7各自独立地是选自由1至4个碳原子的烷基和3至10个碳原子的(二烷基氨基)烷基组成的组中的任一种，
其中R5和R6各自独立地是1至4个碳原子的烷基，以及
其中R3是氢。


4.权利要求1所述的铝化合物，其中，在式1中，R1是选自由甲基、二甲基氨基和异丙基组成的组中的任一种。


5.权利要求1所述的铝化合物，其中，在式1中，R2是选自由甲基、二甲基氨基和异丙基组成的组中的任一种。


6.权利要求1所述的铝化合物，其中，在式1中，R4是选自由甲基、乙基和异丙基组成的组中的任一种。


7.权利要求1所述的铝化合物，其中，在式1中，R7是选自由甲基、乙基和异丙基组成的组中的任一种。


8.权利要求1所述的铝化合物，其中，在式1中，R5是甲基或乙基。


9.权利要求1所述的铝化合物，其中，在式1中，R6是甲基或乙基。


10.权利要求1所述的铝化合物，其中，在式1中，R3是氢。


11.权利要求1所述的铝化合物，其中所述铝化合物的熔点为-5...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴圭熙，小出幸宜，真锅芳树，木村将之，斋藤昭夫，林载顺，曹仑廷，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，株式会社ADEKA，
类型：发明
国别省市：韩国;KR