【技术实现步骤摘要】
一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法
本专利技术属于截流设备
,具体涉及一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法。
技术介绍
高温共烧陶瓷作为一种新型的高导热基板和封装材料,具有高热导率、低热膨胀系数、低介电常数和低介质损耗、高机械强度等特点。因此它可以实现电性能、热性能和机械性能的优化设计,能够满足器件、模块和组件的高功、高密度、小型化和高可靠要求。在传统的高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法中,生瓷带生产过程中,需要的烧结温度达到了1200℃,对于材料的要求更高,增加了成本,所以需要在陶瓷烧结过程中增加烧结助剂,而传统的烧结助剂虽然能达到降低烧结温度的效果,但是会影响到生瓷带的介电性能,从而影响产品品质,所以需要正对性的改进设计。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法投入使用,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法,包括以下步骤,S1 ...
【技术保护点】
1.一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法,其特征在于:包括以下步骤,/nS1、取玻璃陶瓷粉和有机黏合剂、三氧化二铬、ZnO-B
【技术特征摘要】
1.一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法,其特征在于:包括以下步骤,
S1、取玻璃陶瓷粉和有机黏合剂、三氧化二铬、ZnO-B2O3-SiO2和BaCu(B2O5)混合后加热,浇注在移动的载带,流延成型制得生瓷带;
S2、在生瓷带基材表面开设多个盲孔,并向盲孔内填充导体材料;
S3、在S2加工后的基材表面,根据相应的电路设计印刷电路板上的线路布局;
S4、将经过S3步骤加工后的多块基材层叠后,通过匀压机构层压成型;
S5、将S3层压成型的成品通过切割设备,切割为需要规格大小后,放入加热炉中,再加入二氧化钛,共烧排胶;
S6、最后电镀金属层,而后组装上CMOS图像传感器。
2.根据权利要求1所述的一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓腾飞,
申请(专利权)人:安徽蓝讯新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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