【技术实现步骤摘要】
本专利技术与真空镀膜有关，涉及离子束辅助沉积镀膜技术，特别是一种离子束流密度探测装置，也可以用于离子注入、离子改性和离子溅射沉积中的离子束流密度的测量。
技术介绍
离子束辅助沉积镀膜技术已经得到广泛的应用，越来越多的真空镀膜机配备了离子源。离子源发射出一定参数离子的离子束，离子在真空室中运行一定距离后，作用到沉积中的薄膜分子或原子上，与其产生动量交换和能量传递，使沉积中的分子或原子获得大的能量，这就是离子束辅助沉积的简单描述。离子束辅助的优点是可以通过控制离子的参数，控制的薄膜属性。因此要考察离子束辅助效果，必须考察离子束的参数。离子束的参数有离子的束流密度、能量、离子束发散角、离子种类等，其中离子的能量、离子束发散角和离子种类可以方便地确定，而离子束流密度则难以确定。因此，离子束辅助沉积需要一种探测离子束流密度的装置。离子束流密度的探测存在着三个难点(1)电子的屏蔽。离子束一般是等离子体，该离子束是离子和电子的中性混合体，由于所关心的是离子的束流密度，因此需要在探测的时候屏蔽电子。(2)负偏压电路设计。为屏蔽电子就需在探测器上加负偏压，由于测量是在真空室里进行...
【技术保护点】
一种离子束流密度测量装置，其特征在于该装置的构成是：一紫铜圆盘（１），该圆盘（１）的中心位置具有一连成一体的紫铜探测体（２）；一底座（３），该底座（３）的中轴位置有一通孔（４），供所述的探测体（２）插设形成离子接收器（５）；一可调直流电压（８），其负极通过一导线（７）与所述的圆盘（１）相连，其正极经一电流表（９）接地（１０）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张大伟，范瑞英，方明，邵建达，范正修，张东平，尚淑珍，范树海，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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