半导体覆晶封装基板及其封装结构制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种半导体覆晶封装基板，包括：基板，上下具有位置相对的第一表面及第二表面，第一表面包括至少一第一金属层及第一绝缘层，第二表面包括至少一第二金属层及第二绝缘层，而第一金属层及第二金属层分别形成电性线路；至少一穿孔，贯穿基板；导电柱，设置于穿孔内，并与第一金属层接触，导电柱具有一外露的接点凸部，接点凸部高出于第一表面；再者其封装结构是增加一晶片，晶片下表面设有接垫，当晶片倒置安装于基板上，由接点凸部焊接于接垫，借此省去现有的覆晶封装需于晶片形成金属凸块的程序，简化生产流程，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体覆晶封装基板及其封装结构
本技术属于半导体覆晶封装
，具体涉及于基板设置多个外露的接点凸部，作为与晶片覆晶封装的焊接介质，以简化生产流程及降低成本。
技术介绍
现有半导体覆晶封装结构，会于晶片11表面形成多个接垫111，每个接垫111会再增设凸块(BUMP)12，如图1A。凸块12是透过半导体制程形成于接垫111上。如图1B所示，覆晶封装是将晶片1采由倒置方式对应着于基板13的接点131，之后下降，凸块12经由加热焊接方式电性连接至基板13上的接点131。但此种覆晶封装制程，费用昂贵且制程繁琐，且需花费许多时间才能制作完成晶片11上的凸块12。因此，针对上述技术问题，有必要提供一种新的覆晶封装结构，以简化制作流程，进而降低成本。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种半导体覆晶封装基板及其封装结构，主要是于基板设置多个外露凸起的接点凸部，用以作晶片覆晶封装时的焊接介质，省去现有技术中于晶片上形成凸块的程序，以简化生产流程，降低生产成本。为了实现上述目的，本技术一实施例提供的技术方案如下：一实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体覆晶封装基板，其特征在于，包括：一基板，上下具有位置相对的第一表面及第二表面，该第一表面包括至少一第一金属层及第一绝缘层；该第二表面包括至少一第二金属层及第二绝缘层，而该第一金属层及该第二金属层分别形成电性线路；至少一穿孔，贯穿该基板；一导电柱，设置于该穿孔内，且与该第一金属层接触，该导电柱具有一外露的接点凸部，该接点凸部高出于该第一表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体覆晶封装基板，其特征在于，包括：一基板，上下具有位置相对的第一表面及第二表面，该第一表面包括至少一第一金属层及第一绝缘层；该第二表面包括至少一第二金属层及第二绝缘层，而该第一金属层及该第二金属层分别形成电性线路；至少一穿孔，贯穿该基板；一导电柱，设置于该穿孔内，且与该第一金属层接触，该导电柱具有一外露的接点凸部，该接点凸部高出于该第一表面。


2.根据权利要求1所述的半导体覆晶封装基板，其特征在于，所述该导电柱上下分别与对应的该第一金属层及该第二金属层电性连接。


3.根据权利要求1所述的半导体覆晶封装基板，其特征在于，该第一绝缘层设有至少一凹部，该凹部位置对应于该穿孔，该接点凸部由该凹部向外凸出，且该接点凸部横向断面小于该凹部的横向断面。


4.一种半导体覆晶封装基板的封装结构，其特征在于，包括：
一基板，上下具有位置相对的第一表面及第二表面，该第一表面包括至少一第一金属层及第一绝缘层；该第二表面包括至少一第二金属层及第二绝缘层，而该第一金属层及该第二金属层分别形成电性线...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤霁嬨，
申请(专利权)人：苏州震坤科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32