【技术实现步骤摘要】
用于跟踪受害者行的设备和方法
本公开大体上涉及半导体装置，且更确切地说，涉及半导体存储器装置。具体地说，本公开涉及易失性存储器，例如动态随机存取存储器(DRAM)。
技术介绍
信息可以作为物理信号(例如，电容元件上的电荷)存储在存储器的各个存储器单元上。存储器可以是易失性存储器，并且物理信号可以随时间推移而衰减(其可以降级或破坏存储在存储器单元中的信息)。可能需要通过例如重写存储器单元中的信息将物理信号恢复为初始值来周期性地刷新信息。随着存储器组件的尺寸减小，存储器单元的密度大大增加。通常，存储器单元布置成阵列，其包含一系列称为字线的行和称为位线的列。可进行自动刷新操作，其中具有一或多个字线的存储器单元周期性地刷新以保留存储于存储器单元中的数据。对例如字线等特定存储器单元或存储器单元群组的重复存取可能会致使附近存储器单元(例如，邻近字线)中的数据降级速率增大。此重复存取常常称为‘行锤击(rowhammer)’。为保留附近存储器单元中的数据，附近存储器单元的字线可能需要以高于自动刷新速率的速率进行刷新。可以对附近存储器...
【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n受害者行解码器电路，其配置成至少部分地基于行地址而确定受害者行地址；/n寄存器，其包含配置成存储所述受害者行地址的第一字段和配置成存储计数值的第二字段，其中所述计数值在每次所述受害者行解码器确定所述受害者行地址时进行调整；以及/n刷新地址产生器电路，其配置成提供所述受害者行地址，用于在目标刷新间隔期间当所述计数值达到阈值时，在与所述受害者行地址相关联的受害者字线上进行刷新操作，其中所述计数值在所述刷新操作之后重设。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190531 US 16/428,6251.一种设备，其包括：
受害者行解码器电路，其配置成至少部分地基于行地址而确定受害者行地址；
寄存器，其包含配置成存储所述受害者行地址的第一字段和配置成存储计数值的第二字段，其中所述计数值在每次所述受害者行解码器确定所述受害者行地址时进行调整；以及
刷新地址产生器电路，其配置成提供所述受害者行地址，用于在目标刷新间隔期间当所述计数值达到阈值时，在与所述受害者行地址相关联的受害者字线上进行刷新操作，其中所述计数值在所述刷新操作之后重设。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述刷新地址产生器电路配置成提供自动刷新地址，用于在所述计数值尚未达到所述阈值的情况下在对应于所述自动刷新地址的字线上进行所述刷新操作。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述计数值所调整的量值与所述受害者字线相对于与所述行地址相关联的字线的接近度成比例。
4.根据权利要求1所述的设备，其中在存取与所述受害者行地址相关联的所述受害者字线时，重设所述计数值。
5.根据权利要求1所述的设备，其中在通过自动刷新操作刷新与所述受害者行地址相关联的所述受害者字线时，重设所述计数值。
6.一种设备，其包括：
受害者行解码器电路，其配置成至少部分地基于行地址而确定多个受害者行地址，其中所述多个受害者行地址对应于和与所述行地址相关联的侵害者字线物理上邻近的多个受害者字线；
栈，其配置成在多个寄存器中存储所述多个受害者行地址，其中所述多个寄存器中的每个寄存器包含：
第一字段，其配置成存储所述多个受害者行地址中的相应一个的受害者行地址；以及
第二字段，其配置成存储与所述相应受害者行地址相关联的计数值，其中所述计数值在每次所述受害者行解码器确定所述相应受害者行地址时进行调整；以及
刷新地址产生器电路，其配置成提供所述多个受害者行地址中的一个，用于在目标刷新操作间隔期间当与所述多个受害者行地址中的所述一个相关联的所述计数值达到阈值时，在与所述多个受害者行地址中的所述一个相关联的受害者字线上执行刷新操作，其中所述计数值在所述目标刷新操作之后重设。
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述刷新地址产生器电路配置成提供自动刷新地址，用于在所述计数值尚未达到所述阈值的情况下在对应于所述自动刷新地址的字线上执行所述刷新操作。
8.根据权利要求6所述的设备，其中所述多个受害者行地址中的第一受害者行地址与和所述侵害者字线相隔第一距离的第一受害者字线相关联，且所述多个受害者行地址中的第二受害者行地址与和所述侵害者字线相隔第二距离的第二受害者字线相关联，其中所述第二距离大于所述第一距离。
技术研发人员：D·B·彭妮，J·M·布朗，N·J·迈尔，T·B·考尔斯，李继云，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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