磁随机存取存储器（MRAM）中的磁攻击检测制造技术

一种集成电路包括具有多个MRAM单元的磁阻RAM(MRAM)阵列以及一组至少一个霍尔传感器电路，所述组中的每个霍尔传感器电路包括用于检测磁场的霍尔传感器。所述集成电路还包括磁处理电路系统，所述磁处理电路系统用于接收来自所述组至少一个霍尔传感器电路的至少一个指示。所述磁处理电路系统包括用于基于来自所述组的所述至少一个指示提供对所述MRAM阵列的可能磁场威胁的指示的输出。

【技术实现步骤摘要】
磁随机存取存储器(MRAM)中的磁攻击检测
本公开总体上涉及存储器，并且更具体地说，涉及检测磁随机存取存储器(MRAM)中的磁攻击。
技术介绍
磁随机存取存储器(MRAM)通常用于提供非易失性存储，在所述非易失性存储中，磁矩的自旋方向对所存储的数据状态进行编码。MRAM单元的磁元件是磁隧道结(MTJ)。例如，当MTJ的相互作用的磁层的磁矩对准时，对应于“0”的低电阻状态被存储，并且相反地，当磁矩未对准时，对应于“1”的高电阻被存储。为了将MTJ从一个状态切换到另一个状态，必须克服这两个状态之间的能量势垒(Eb)。这可以通过使电流沿不同方向穿过MRAM单元来实现。MRAM单元附近的磁场对所存储的数据的完整性带来风险，因为所述磁场可能导致无意间切换MRAM单元的状态。因此，需要检测可能威胁到MRAM的数据完整性的外部磁场。
技术实现思路
在一个实施例中，一种集成电路包括磁阻RAM(MRAM)阵列，所述MRAM阵列包括多个MRAM单元；一组至少一个霍尔传感器电路，所述组中的每个霍尔传感器电路包括用于检测磁场的霍尔传感器；以及磁处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路，其特征在于，包括：/n磁阻RAM(MRAM)阵列，所述MRAM阵列包括多个MRAM单元；/n一组至少一个霍尔传感器电路，所述组中的每个霍尔传感器电路包括用于检测磁场的霍尔传感器；/n磁处理电路系统，所述磁处理电路系统用于接收来自所述组至少一个霍尔传感器电路的至少一个指示，其中所述磁处理电路系统包括用于基于来自所述组的所述至少一个指示提供对所述MRAM阵列的可能磁场威胁的指示的输出。/n

【技术特征摘要】
20190531 US 16/427,4781.一种集成电路，其特征在于，包括：
磁阻RAM(MRAM)阵列，所述MRAM阵列包括多个MRAM单元；
一组至少一个霍尔传感器电路，所述组中的每个霍尔传感器电路包括用于检测磁场的霍尔传感器；
磁处理电路系统，所述磁处理电路系统用于接收来自所述组至少一个霍尔传感器电路的至少一个指示，其中所述磁处理电路系统包括用于基于来自所述组的所述至少一个指示提供对所述MRAM阵列的可能磁场威胁的指示的输出。


2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述磁处理电路系统基于来自所述组中的单个霍尔传感器电路的指示来提供对所述MRAM阵列的可能磁场威胁的指示。


3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述磁处理电路系统被配置成基于来自所述组中的单个第二霍尔传感器电路的指示来提供对所述MRAM阵列的可能磁场威胁的第二指示。


4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述指示基于检测到磁场至少在第一预定时间量内处于阈值幅度。


5.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述磁处理电路系统提供对可能磁场威胁的第二指示，所述第二指示基于磁场至少在第二预定时间量内处于第二阈值幅度，其中所述第二阈值幅度大于所述阈值幅度，并且所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：尼哈·N·马哈特梅，梅休尔·D·什罗夫，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US