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磁随机存取存储器(MRAM)中的磁攻击检测制造技术
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文档序号:26532868
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一种集成电路包括具有多个MRAM单元的磁阻RAM(MRAM)阵列以及一组至少一个霍尔传感器电路,所述组中的每个霍尔传感器电路包括用于检测磁场的霍尔传感器。所述集成电路还包括磁处理电路系统,所述磁处理电路系统用于接收来自所述组至少一个霍尔传感...
该专利属于恩智浦美国有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩智浦美国有限公司授权不得商用。
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