【技术实现步骤摘要】
数据读取电路及存储单元
本专利技术属于集成电路
,特别涉及一种数据读取电路及存储单元。
技术介绍
如今,磁性随机存储器(MagneticRandomAccessMemory,MRAM)具有不可估量的广阔前景。其中,以自旋转移矩磁性随机存储器(SpinTransferTorqueMagneticRandomAccessMemory,STT-MRAM)为代表,具有高读写速度、高密度、低功耗、长数据保存时间和高寿命等特点。MRAM具有电阻可变性,因此可以通过其不同的电阻状态来存储数据信息。但是,受现有工艺限制,MRAM中每个单元(Cell)的高阻和低阻两种状态的电阻值比率较低,由此导致MRAM读取过程中区分两种状态的窗口比较小。现有技术中,通常输入到锁存比较器的基准电压点会连接到存储阵列,以与比较点进行匹配,进而根据基准电压和比较点电压的差值来读出存储器中的数据。但是电路中可能会存在漏电的情况,过大的漏电会导致比较点电压迅速下降,继而导致无法正确从MRAM中读出数据。
技术实现思路
本专利技术实施例解决的 ...
【技术保护点】
1.一种数据读取电路,其特征在于,包括:被读取单元、参考电流产生单元、电流调节单元、基准单元、比较单元以及与所述基准单元对应的稳压单元,其中:/n所述被读取单元,与所述电流调节单元以及所述比较单元连接,用于存储待读取的数据;/n所述参考电流产生单元,与所述电流调节单元连接,用于提供并输出参考电流至所述电流调节单元;/n所述电流调节单元,与所述参考电流产生单元、所述被读取单元以及所述比较单元连接,用于调节所述参考电流的大小,并输出调节后的所述参考电流至所述比较单元;/n所述基准单元,与所述稳压单元连接,用于提供并输出基准电压至所述比较单元;/n所述比较单元,与所述稳压单元、所 ...
【技术特征摘要】
1.一种数据读取电路,其特征在于,包括:被读取单元、参考电流产生单元、电流调节单元、基准单元、比较单元以及与所述基准单元对应的稳压单元,其中:
所述被读取单元,与所述电流调节单元以及所述比较单元连接,用于存储待读取的数据;
所述参考电流产生单元,与所述电流调节单元连接,用于提供并输出参考电流至所述电流调节单元;
所述电流调节单元,与所述参考电流产生单元、所述被读取单元以及所述比较单元连接,用于调节所述参考电流的大小,并输出调节后的所述参考电流至所述比较单元;
所述基准单元,与所述稳压单元连接,用于提供并输出基准电压至所述比较单元;
所述比较单元,与所述稳压单元、所述被读取单元以及所述电流调节单元连接,用于根据调节后的所述参考电流和所述被读取单元的电流所对应的比较点电压,将所述比较点电压和所述基准电压进行比较,输出比较结果;
所述稳压单元,与所述基准单元以及所述比较单元连接,用于在所述基准单元与所述比较单元之间进行直流阻隔,维持所述基准电压与所述比较点电压的差分匹配。
2.如权利要求1所述的数据读取电路,其特征在于,所述基准单元包括:第一数据存储阵列;所述第一数据存储阵列对应的字线关闭。
3.如权利要求2所述的数据读取电路,其特征在于,所述参考电流产生单元包括:与所述第一数据存储阵列对应的第二数据存储阵列。
4.如权利要求1所述的数据读取电路,其特征在于,所述稳压单元,包括DC稳压电容以及AC噪声耦合电容,其中:
所述DC稳压电容的第一端连接所述比较单元的基准电压输入端和所述AC噪声耦合电容,第二端接地;
所述AC噪声耦合电容的第一端连接所述比较单元的基准电压输入端和所述DC稳压电容的第一端,第二端连接所述基准单元。
5.如权利要求1所述的数据读取电路,其特征在于,所述电流调节单元,用于镜像预设比例的所述参考电流到所述被读取单元。
6.如权利要求1所述的数据读取电路,其特征在于,所述参考电流产生单元,还用于控制所述参考电流产生单元的位线电压。
7.如权利要求1所述的数据读取...
【专利技术属性】
技术研发人员:汪腾野,王韬,倪昊,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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