一种THz天线的简易制作方法技术

本发明专利技术公开了一种THz天线的简易制作方法，将直径200μm的铜线固定在LT‑GaAs外延片中间位置，用蒸镀的方法在外延片上镀上金层，完成镀金后取下铜线，即可形成两个电极，再进行后续焊接工作即可；本发明专利技术合理使用了一根直径200μm的铜线来辅助蒸镀金属金的步骤，用简便的方法形成了小孔径的THz天线间隙，该方法直接采用低温砷化镓(LT‑GaAs)外延片，省去了传统THz天线制作时薄膜腐蚀的步骤，有效避免了腐蚀溶液有一定毒性和表层光电导材料与基底间键合不紧密等问题，所得信号强度高，且完整性好，样品可重复利用率高，发热量小，不易损坏，可长期使用，材料安全，不会对实验人员造成伤害；制作的天线可以得到完整的THz信号，并且可多次重复使用。

【技术实现步骤摘要】
一种THz天线的简易制作方法
本专利技术属于THz天线
，具体涉及一种THz天线的简易制作方法。
技术介绍
传统的THz薄膜天线制作时需要经历光电导材料LT-GaAs腐蚀，电极结构掩膜版设计，光刻，后期处理等步骤，其中LT-GaAs腐蚀时溶液具有一定毒性，操作起来不安全，且成功率较低。光刻步骤中还分为镀金-旋涂光刻胶-前烘-曝光-显影-后烘-等离子刻蚀-酒精洗涤等，周期较长，制作较为复杂。且天线会存在发热问题，或激光功率较大时容易造成薄膜的击穿，成品重复使用率不高。例如，2008年在《AppliedPhysicsLetters》期刊上发表的“Terahertzvibrationalabsorptionspectroscopyusingmicrostrip-linewaveguides”论文(93卷，18期)，采用的是腐蚀掉AlAs牺牲层的方法得到350nm后的LT-GaAs薄膜，并将其转移到新衬底上作为光电导天线。牺牲层腐蚀需要使用10％的氢氟酸溶液，有一定毒性，且方法较为复杂，周期长，薄膜易破碎或与基底键合不够紧密。已有的技术(崔利杰,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种THz天线的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1、清洗低温GaAs外延片；/n步骤2、将低温GaAs外延片固定在蒸发基板上；/n步骤3、而后将直径200μm的铜线沿外延片的宽度方向或者长度方向的中心线，固定在外延片上，铜线长度贯穿低温GaAs外延片的长度或者宽度；/n步骤4、将低温GaAs外延片放入真空蒸镀机中，在固定铜线的表面上先蒸镀20nm厚的铬层，后蒸镀200nm厚的金层；/n步骤5、取出低温GaAs外延片，再取下其上铜线，蒸镀的金层形成两个电极，得到了THz天线。/n

【技术特征摘要】
1.一种THz天线的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、清洗低温GaAs外延片；
步骤2、将低温GaAs外延片固定在蒸发基板上；
步骤3、而后将直径200μm的铜线沿外延片的宽度方向或者长度方向的中心线，固定在外延片上，铜线长度贯穿低温GaAs外延片的长度或者宽度；
步骤4、将低温GaAs外延片放入真空蒸镀机中，在固定铜线的表面上先蒸镀20nm厚的铬层，后蒸镀200nm厚的金层；
步骤5、取出低温GaAs外延片，再取下其上铜线，蒸镀的金层形成两个电极，得到了THz天线。


2.如权利要求1所述的一种THz天线的制作方法，其特征在于，还包括如下步骤：
步骤6、在PCB板上焊接两个电极；将低温GaAs外延片放置在PCB板上，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴蕊，赵亚平，苏波，
申请(专利权)人：首都师范大学，
类型：发明
国别省市：北京;11