一种微波介质波导滤波器制造技术

本发明专利技术涉及介质滤波器技术领域，提出了一种微波介质波导滤波器，包括介质块；设置在所述介质块表面的导电层；所述介质块具有多个谐振器，每相邻的两个所述谐振器之间设置有耦合结构，其中，所述耦合结构包括正耦合结构和至少一个负耦合结构，所述负耦合结构包括槽体结构式的电场膜片，且所述槽体结构的槽底为封闭式结构。通过上述技术方案，解决了现有技术中的微波介质波导滤波器的阶数的增加在实际应用中存在局限性问题。

【技术实现步骤摘要】
一种微波介质波导滤波器
本专利技术涉及介质滤波器
，具体的，涉及一种微波介质波导滤波器。
技术介绍
随着无线通信技术的发展，特别是5G时代的到来，5G大规模天线技术使天线的数量成倍数增长，通道数可能达到64甚至128个，而每个天线都需要配备相应的双工器，并由相应的滤波器进行信号频率选择和处理，因此对于滤波器的需求量将大量增加；同时5G基站的高度集成化和小型化发展对于滤波器的尺寸的和发热性能提出了更高的要求。微波介质波导滤波器尤其微波介质波导谐振器滤波器凭借高Q值、低损耗、体积小、重量轻、成本低、抗温漂性能好等优点成为5G时代微波介质波导滤波器的主流，拥有广阔的应用前景。现代通信技术高速发展，可利用的频谱资源日益紧张，因此对微波介质波导滤波器频率选择特性的要求越来越高。为了提高通信容量和避免相邻信道间的干扰，要求微波介质波导滤波器必须有陡峭的带外抑制。微波介质波导滤波器提高带外抑制的有效方法是增加微波介质波导滤波器的阶数，微波介质波导滤波器的阶数增加了，其体积和重量也随着增加，给微波介质波导滤波器的小型化和轻量化设计带来了难度，增加微波介质波导滤波器的阶数的方法在实际应用中存在局限性，有必要加以改进。
技术实现思路
本专利技术提出一种微波介质波导滤波器，解决了相关技术中的微波介质波导滤波器问题。本专利技术的技术方案如下：一种微波介质波导滤波器，包括介质块；设置在所述介质块表面的导电层；所述介质块具有多个微波介质波导谐振器，每相邻的两个所述微波介质波导谐振器之间均设置有耦合结构，其中，所述耦合结构包括正耦合结构和至少一个负耦合结构，所述负耦合结构包括槽体结构式的电场膜片，且所述电场膜片的槽底为封闭式结构。可选地，所述电场膜片的边缘与所述介质块的边缘距离为d，且d大于零。可选地，所述正耦合结构为电感膜片或者销钉；所述电感膜片包括单电感膜片、对称双电感膜片和非对称双电感膜片；且所述电感膜片为槽体结构，所述电感膜片的槽底为封闭结构；所述的销钉为通孔，包含单销钉和双销钉。可选地，所述微波介质波导谐振器表面设置有调谐孔，所述调谐孔为盲孔，用于调谐所述微波介质波导谐振器的谐振频率。可选地，所述微波介质波导谐振器之间还设置有耦合孔，所述耦合孔为盲孔。可选地，还包括设置在所述介质块上的输入端和输出端，所述输入端和输出端均为盲孔，所述输入端和所述输出端的盲孔的开口方向与所述调谐孔盲孔的开口方向相反。可选地，首微波介质波导谐振器和尾微波介质波导谐振器之间设置隔离槽，用于阻断信号传输。可选地，所述电场膜片槽体开口方向与调谐孔开口方向相同或相反。一种CQ拓扑结构滤波器，包括CQ拓扑结构单元，所述CQ拓扑结构单元包括介质块；设置在所述介质块表面的导电层；每个所述CQ拓扑结构单元包括如权利要求1-8中任一项所述的耦合结构和微波介质波导谐振器。可选地，所述CQ拓扑结构滤波器至少包括两组所述CQ拓扑结构单元。本专利技术的工作原理及有益效果为：本专利技术中一种微波介质波导滤波器，相邻的两个所述谐振器之间设置有耦合结构，耦合结构包括正耦合结构和至少一个负耦合结构，其中，正耦合结构通过磁耦合结构实现，负耦合结构通过电耦合结构实现。其中，磁耦合的耦合极性为正，电耦合的耦合极性为负，电耦合结构为槽体结构式的电场膜片包括单电场膜片和双电场膜片。进一步地，微波介质波导滤波器的多个微波介质谐振器之间的耦合极性不同，使微波介质波导滤波器产生双传输零点，提高微波介质波导滤波器的带外衰减特性和频率选择特性，在不增加微波介质波导滤波器阶数的前提下，使微波介质波导滤波器获得良好的矩形系数，结构相对简单，利于微波介质波导滤波器的小型化，且易于微波介质波导滤波器大规模制备和调试。一种CQ拓扑结构滤波器，包括至少两组CQ拓扑结构单元，且CQ拓扑结构单元包括上述的耦合结构。这种结构相对简单，利于微波介质波导滤波器的小型化，具有调试方便，利于大批量生产的优点。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。图1为本专利技术实施例一微波介质波导滤波器立体结构示意图；图2为本专利技术实施例一微波介质波导滤波器主视图；图3为本专利技术实施例一微波介质波导滤波器后视图；图4为本专利技术实施例二微波介质波导滤波器立体结构示意图；图5为本专利技术实施例二微波介质波导滤波器主视图；图6为本专利技术实施例二微波介质波导滤波器后视图；图7为本专利技术实施例二微波介质波导滤波器的S参数响应曲线；图8为本专利技术实施例三微波介质波导滤波器立体结构示意图；图9为本专利技术实施例三微波介质波导滤波器主视图；图10为本专利技术实施例三微波介质波导滤波器后视图；图11为本专利技术实施例四微波介质波导滤波器立体结构示意图；图12为本专利技术实施例四微波介质波导滤波器主视图；图13为本专利技术实施例四微波介质波导滤波器后视图；图14为本专利技术实施例五微波介质波导滤波器立体结构示意图；图15为本专利技术实施例五微波介质波导滤波器主视图；图16为本专利技术实施例五微波介质波导滤波器后视图；图17为本专利技术实施例五微波介质波导滤波器的S参数响应曲线；图18为本专利技术实施例六微波介质波导滤波器立体结构示意图；图19为本专利技术实施例六微波介质波导滤波器主视图；图20为本专利技术实施例六微波介质波导滤波器后视图；图中：1介质块，201～210微波介质波导谐振器，4调谐孔，501电场膜片，502单电感膜片，503对称双电感膜片，504单销钉，505双销钉，506非对称双电感膜片，6耦合孔，7输入端，8输出端。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都涉及本专利技术保护的范围。一种微波介质波导滤波器，包括介质块1；设置在介质块1表面的导电层；介质块1具有多个微波介质波导谐振器，每相邻的两个微波介质波导谐振器之间均设置有耦合结构，其中，耦合结构包括正耦合结构和至少一个负耦合结构，负耦合结构包括槽体结构式的电场膜片501，且电场膜片501的槽底为封闭式结构。本专利技术实施例中，相邻的两个微波介质波导谐振器之间设置有耦合结构，耦合结构包括正耦合结构和至少一个负耦合结构，其中，正耦合结构通过磁耦合结构实现，负耦合结构通过电耦合结构实现。其中，磁耦合的耦合极性为正，电耦合的耦合极性为负，电耦合结构为槽体结构式的电场膜片包括单电场膜片和双电场膜片。进一步地，微波介质波导滤波器的多个微波介质谐振器之间的耦合极性不同，使微波介质波导滤波器产生双传输零点，提高微波介质波导滤波器的带外衰减特性和频率选择特性，在不增加微波介质波导滤波器阶数的前提下，使微波介质本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微波介质波导滤波器，包括介质块(1)；设置在所述介质块(1)表面的导电层；所述介质块(1)具有多个微波介质波导谐振器，其特征在于，/n每相邻的两个所述微波介质波导谐振器之间均设置有耦合结构，其中，/n所述耦合结构包括正耦合结构和至少一个负耦合结构，所述负耦合结构包括槽体结构式的电场膜片(501)，且所述电场膜片(501)的槽底为封闭式结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种微波介质波导滤波器，包括介质块(1)；设置在所述介质块(1)表面的导电层；所述介质块(1)具有多个微波介质波导谐振器，其特征在于，
每相邻的两个所述微波介质波导谐振器之间均设置有耦合结构，其中，
所述耦合结构包括正耦合结构和至少一个负耦合结构，所述负耦合结构包括槽体结构式的电场膜片(501)，且所述电场膜片(501)的槽底为封闭式结构。


2.根据权利要求1所述的微波介质波导滤波器，其特征在于，所述电场膜片(501)的边缘与所述介质块(1)的边缘距离为d，且d大于零。


3.根据权利要求2所述的微波介质波导滤波器，其特征在于，
所述正耦合结构为电感膜片或者销钉；所述电感膜片包括单电感膜片(502)、对称双电感膜片(503)和非对称双电感膜片(506)；且
所述电感膜片为槽体结构，所述电感膜片的槽底为封闭结构；
所述的销钉为通孔，包含单销钉(504)和双销钉(505)。


4.根据权利要求3所述的微波介质波导滤波器，其特征在于，所述微波介质波导谐振器表面设置有调谐孔(4)，所述调谐孔(4)为盲孔，用于调谐所述微波介质波导谐振器的谐振频率。

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【专利技术属性】
技术研发人员：高付龙，王明哲，张志强，
申请(专利权)人：石家庄市鹿泉区麦特思电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13