一种介质波导滤波器的制作方法和介质波导滤波器技术

技术编号:26383161 阅读:19 留言:0更新日期:2020-11-19 23:52
本发明专利技术涉及一种介质波导滤波器的制作方法和介质波导滤波器,首先,在介质波导滤波器本体的一个外表壁的金属层上设置耦合调节区域的形状,然后,在耦合调节区域内去除第一预设形状之外的金属层,即可得到容性耦合结构,从而得到具有容性耦合结构的介质波导滤波器,当在电子产品中使用该具有容性耦合结构的介质波导滤波器时,通过容性耦合结构实现两个相邻的谐振腔之间的容性耦合,加工过程简单,制造效率高,利于批量生产,良品率高,也就是说,可通过对现有的不能实现容性耦合的介质波导滤波器本体进行简单地改造加工,就能得到具有容性耦合结构的介质波导滤波器。

【技术实现步骤摘要】
一种介质波导滤波器的制作方法和介质波导滤波器
本专利技术通信技术涉及领域,尤其涉及一种介质波导滤波器的制作方法和介质波导滤波器。
技术介绍
介质波导滤波器作为一种选频装置,可以使信号中特定的频率成分通过,而极大地衰减其他频率成分,随着5G通信系统对基站设备小型化的要求越来越高,而介质波导滤波器因其体积小、插损小、承受功率大、成本低等优势,受到越来越多的应用,在实际应用中,介质波导滤波器需要形成容性耦合以实现传输零点,目前,通常采用在介质波导滤波器的两个谐振腔的耦合连接位置处制作盲孔的方式实现这两个谐振腔的容性耦合,并通过设置该盲孔底部与这两个谐振腔底面之间的距离的方式来控制容性耦合的大小,当要求容性耦合量较小时,盲孔需要很深才能满足该要求,大大增加了介质波导滤波器的加工难度,制造效率低,不利于批量生产,且良品率低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足,提供了一种介质波导滤波器的制作方法。本专利技术的一种介质波导滤波器的制作方法的技术方案如下:S1、在介质波导滤波器本体的外表壁的金属层上设置耦合调节区域的形状,其中,所述介质波导滤波器本体至少包括两个谐振腔;S2、在所述耦合调节区域内去除第一预设形状之外的金属层形成容性耦合结构,得到具有所述容性耦合结构的介质波导滤波器;其中,所述容性耦合结构包围所述第一预设形状,所述容性耦合结构分布在所述介质波导滤波器的任意两个相邻的谐振腔的外表面,且所述容性耦合结构的长度不小于所述介质波导滤波器的工作频率的1/2波长。本专利技术的一种介质波导滤波器的制作方法的有益效果如下:首先,在介质波导滤波器本体的一个外表壁的金属层上设置耦合调节区域的形状,然后,在耦合调节区域内去除第一预设形状之外的金属层,即可得到容性耦合结构,从而得到具有容性耦合结构的介质波导滤波器,当在电子产品中使用该具有容性耦合结构的介质波导滤波器时,通过容性耦合结构实现两个相邻的谐振腔之间的容性耦合,加工过程简单,制造效率高,利于批量生产,良品率高,也就是说,可通过对现有的不能实现容性耦合的介质波导滤波器本体进行简单地改造加工,就能得到具有容性耦合结构的介质波导滤波器。在上述方案的基础上,本专利技术的的一种介质波导滤波器的制作方法还可以做如下改进。进一步,还包括:S3、在所述第一预设形状内去除第二预设形状的金属层,以改变所述介质波导滤波器的容性耦合量的大小,且所述第一预设形状内去除所述第二预设形状的金属层后所剩余的金属层是连续的。采用上述进一步方案的有益效果是:通过去除第一预设形状内的部分金属层,改变介质波导滤波器的容性耦合量的大小,加工过程简单。进一步,所述第二预设形状为一个图形或多个相互独立的图形。采用上述进一步方案的有益效果是:更便于用于对第二预设形状进行设置。进一步,当所述第二预设形状为一个图形时,所述第一预设形状呈椭圆、圆形、矩形或哑铃形。进一步,当所述第二预设形状为多个相互独立的图形时,每个所述相互独立的图形呈椭圆、圆形或矩形。进一步,所述耦合调节区域的形状呈矩形、椭圆或圆形,所述第一预设形状呈椭圆、圆形、矩形或哑铃形。进一步,所述金属层为镀银金属层或者镀铜金属层。进一步,所述介质波导滤波器本体包括第一谐振腔和第二谐振腔,所述第一谐振腔与第二谐振腔之间设有感性耦合窗口,所述容性耦合结构分布在所述第一谐振腔与所述第二谐振腔的外表面。采用上述进一步方案的有益效果是:通过将容性耦合结构分布在第一谐振腔与第二谐振腔的外表面,得到具有容性耦合结构的介质波导滤波器,当在电子产品中使用该具有容性耦合结构的介质波导滤波器时,通过容性耦合结构实现了第一谐振腔与第二谐振腔之间的容性耦合。进一步,所述介质波导滤波器本体包括多个成对设置的谐振腔,所述容性耦合结构分布任一对谐振腔的外表面。采用上述进一步方案的有益效果是:通过将容性耦合结构分布任一对谐振腔的外表面,得到具有容性耦合结构的介质波导滤波器,当在电子产品中使用该具有容性耦合结构的介质波导滤波器时,通过容性耦合结构实现了该对谐振腔之间的的容性耦合。进一步,所述介质波导滤波器本体上还相对设置两个输入\输出耦合盲孔。进一步,所述介质波导滤波器本体的每个谐振腔上分别设置一调谐盲孔。本专利技术的一种介质波导滤波器,采用上述任一项所述的一种介质波导滤波器的制作方法制作,从而得到具有容性耦合结构的介质波导滤波器,当在电子产品中使用该具有容性耦合结构的介质波导滤波器时,通过容性耦合结构实现两个相邻的谐振腔之间的容性耦合,加工过程简单,制造效率高,利于批量生产,良品率高,也就是说,可通过对现有的不能实现容性耦合的介质波导滤波器本体进行简单地改造加工,就能得到具有容性耦合结构的介质波导滤波器。附图说明图1为本专利技术实施例的一种介质波导滤波器的制作方法的流程示意图之一;图2为本专利技术实施例的一种介质波导滤波器的制作方法的流程示意图之二;图3为具有一种容性耦合结构的介质波导滤波器的立体结构示意图;图4为图3的一种具有容性耦合结构的介质波导滤波器的俯视结构图;图5为具有另一种容性耦合结构的介质波导滤波器的俯视结构图;图6为具有容性耦合结构的另一种介质波导滤波器的立体结构示意图。具体实施方式如图1所示,本专利技术实施例的一种介质波导滤波器的制作方法,所述介质波导滤波器至少包括两个谐振腔,包括如下步骤:S1、在介质波导滤波器本体的外表壁的金属层上设置耦合调节区域1的形状,其中,所述介质波导滤波器本体至少包括两个谐振腔;S2、在所述耦合调节区域1内去除第一预设形状2之外的金属层形成容性耦合结构3,得到具有所述容性耦合结构3的介质波导滤波器;其中,所述容性耦合结构3包围所述第一预设形状2,所述容性耦合结构3分布在所述介质波导滤波器的任意两个相邻的谐振腔的外表面,且所述容性耦合结构3的长度不小于所述介质波导滤波器的工作频率的1/2波长。首先,在介质波导滤波器本体的一个外表壁的金属层上设置耦合调节区域1的形状,然后,在耦合调节区域1内去除第一预设形状2之外的金属层,即可得到容性耦合结构3,从而得到具有容性耦合结构3的介质波导滤波器,当在电子产品中使用该具有容性耦合结构3的介质波导滤波器时,通过容性耦合结构3实现两个相邻的谐振腔之间的容性耦合,加工过程简单,制造效率高,利于批量生产,良品率高,也就是说,可通过对现有的不能实现容性耦合的介质波导滤波器本体进行简单地改造加工,就能具有容性耦合结构3的介质波导滤波器。可以理解的是,耦合调节区域1、第一预设形状2和容性耦合结构3之间的关系为:耦合调节区域1的面积为第一预设形状2与容性耦合结构3的面积之和,其中,第一预设形状2中存在金属层,容性耦合结构3内的金属层已被去除。其中,介质波导滤波器的外表面覆设有金属层,为本领域人员所悉知,在此不做赘述,根据介质波导滤波器的工作频率的要求,在介质波导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介质波导滤波器的制作方法,其特征在于,包括:/nS1、在介质波导滤波器本体的外表壁的金属层上设置耦合调节区域(1)的形状,其中,所述介质波导滤波器本体至少包括两个谐振腔;/nS2、在所述耦合调节区域(1)内去除第一预设形状(2)之外的金属层形成容性耦合结构(3),得到具有所述容性耦合结构(3)的介质波导滤波器;其中,所述容性耦合结构(3)包围所述第一预设形状(2),所述容性耦合结构(3)分布在所述介质波导滤波器的任意两个相邻的谐振腔的外表面,且所述容性耦合结构(3)的长度不小于所述介质波导滤波器的工作频率的1/2波长。/n

【技术特征摘要】
1.一种介质波导滤波器的制作方法,其特征在于,包括:
S1、在介质波导滤波器本体的外表壁的金属层上设置耦合调节区域(1)的形状,其中,所述介质波导滤波器本体至少包括两个谐振腔;
S2、在所述耦合调节区域(1)内去除第一预设形状(2)之外的金属层形成容性耦合结构(3),得到具有所述容性耦合结构(3)的介质波导滤波器;其中,所述容性耦合结构(3)包围所述第一预设形状(2),所述容性耦合结构(3)分布在所述介质波导滤波器的任意两个相邻的谐振腔的外表面,且所述容性耦合结构(3)的长度不小于所述介质波导滤波器的工作频率的1/2波长。


2.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的制作方法,其特征在于,还包括:
S3、在所述第一预设形状(2)内去除第二预设形状的金属层,以改变所述介质波导滤波器的容性耦合量的大小,且所述第一预设形状(2)内去除所述第二预设形状的金属层后所剩余的金属层是连续的。


3.根据权利要求2所述的一种介质波导滤波器的制作方法,其特征在于,所述第二预设形状为一个图形或多个相互独立的图形。


4.根据权利要求3所述的一种介质波导滤波器的制作方法,其特征在于,当所述第二预设形状为一个图形时,所述第一预设形状(2)呈椭圆、圆形、矩形或哑铃形。...

【专利技术属性】
技术研发人员:何婉婧霍新平尹汐漾
申请(专利权)人:西安烽矩电子科技有限公司成都镭迪昇科技有限公司
类型:发明
国别省市:陕西;61

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