一种新型单层介质波导滤波器负耦合结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型单层介质波导滤波器负耦合结构，涉及无线通信领域。该结构包括：设置在第一介质波导谐振腔(22)侧面的第一负耦合窗口(24)；设置在第二介质波导谐振腔(12)侧面的第二负耦合窗口(14)；第一介质波导谐振腔(22)包含第一负耦合窗口(24)的侧面的电磁屏蔽层与第二介质波导谐振腔(12)包含第二负耦合窗口(14)的侧面的电磁屏蔽层连接，本方案通过该结构实现了介质波导滤波器体积小、插损小、承受功率大、成本低的有益效果。成本低的有益效果。成本低的有益效果。

【技术实现步骤摘要】
一种新型单层介质波导滤波器负耦合结构


[0001]本技术涉及无线通信领域，尤其涉及一种新型单层介质波导滤波器负耦合结构。

技术介绍

[0002]随着5G通信系统对基站设备小型化的要求越来越高，而介质波导滤波器因其体积小、插损小、承受功率大、成本低等优势成为了未来替代传统的腔体滤波器主流应用方案。
[0003]目前业界常用的介质波导滤波器是单层结构方案，性能差，耦合精度不高，而且也不利于批量生产。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种新型单层介质波导滤波器负耦合结构。
[0005]本技术解决上述技术问题的技术方案如下：
[0006]一种新型单层介质波导滤波器负耦合结构，包括：
[0007]设置在第一介质波导谐振腔侧面的第一负耦合窗口；设置在第二介质波导谐振腔侧面的第二负耦合窗口；
[0008]所述第一介质波导谐振腔包含所述第一负耦合窗口的侧面的电磁屏蔽层与所述第二介质波导谐振腔包含所述第二负耦合窗口的侧面的电磁屏蔽层连接。
[0009]本技术的有益效果是：本方案通过在第一介质波导谐振腔侧面设置第一负耦合窗口，在第二介质波导谐振腔侧面设置第二负耦合窗口，第一介质波导谐振腔与第二介质波导谐振腔通过在各自的侧面电磁屏蔽层连接的结构，实现了介质波导滤波器体积小、插损小、承受功率大、成本低的有益效果。
[0010]在上述技术方案的基础上，本技术还可以做如下改进。
[0011]进一步，所述第一耦合窗口包括：矩形的非电镀区域和嵌套在非电磁屏蔽层的预设形状的电磁屏蔽层区域；所述第二负耦合窗口与所述第一耦合窗口具有相同结构；
[0012]所述第一负耦合窗口与所述第二负耦合窗口连接，避开矩形的非电镀区域。
[0013]进一步方案的有益效果是：本方案通过第一负耦合窗口与所述第二负耦合窗口避开矩形的非电镀区域连接的结构实现了介质波导滤波器在干压成型还是金属化上，制作难度都大大减小，制作精度也可以轻松保证，有利于量产效率和制造良率的提升。
[0014]进一步，所述预设形状可以包括T型、E型或修改加载部位后的T型。
[0015]进一步方案的有益效果是：本方案通过T型、E型或修改加载部位后的T型的形状可以更好的实现负耦合。
[0016]进一步，所述第一负耦合窗口的长度大于所述第一介质波导谐振腔厚度的1/2；所述第二负耦合窗口的长度大于所述第二介质波导谐振腔厚度的1/2。
[0017]进一步方案的有益效果是：本方案通过第一负耦合窗口的长度大于所述第一介质
波导谐振腔厚度的1/2，第二负耦合窗口的长度大于第二介质波导谐振腔厚度的1/2，使得本方案相比较现有的负耦合结构制作更加简单。
[0018]进一步，还包括：加大加载部位尺寸的非电镀区域、使得总长减小到1/4波长的所述第一负耦合窗口；
[0019]加大加载部位尺寸的非电镀区域，使得总长减少到1/4波长的所述第二负耦合窗口。
[0020]进一步方案的有益效果是：本方案通过增加加载部位尺寸的非电镀区域的面积，使得负耦合效果更好，相比较现有的结构制作结构也更加简单。
[0021]进一步，所述第一介质波导谐振腔包括：陶瓷介质单体和包覆在介质单体的表面的电磁屏蔽层；所述第二介质波导谐振腔包括：陶瓷介质单体和包覆在介质单体的表面的电磁屏蔽层。
[0022]进一步方案的有益效果是：本方案通过在介质单体表面包覆电磁屏蔽层，使得陶瓷介质单体具有电磁屏蔽的效果。
[0023]进一步，还包括：设置在所述第一介质波导谐振腔上表面的调谐盲孔；设置在所述第二介质波导谐振腔上表面的调谐盲孔。
[0024]进一步方案的有益效果是：本方案通过在介质波导谐振腔上表面设置调谐盲孔，来实现调节每个介质波导谐振腔的频率大小。
[0025]进一步，所述第一介质波导谐振腔和所述第二介质波导谐振腔通过侧面电磁屏蔽层印刷银浆高温烧结的方式进行连接。
[0026]进一步方案的有益效果是：本方案通过在侧面电磁屏蔽层印刷银浆高温烧结的方式，使得第一陶瓷块与第二陶瓷块可靠的连接在一起。
[0027]以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
附图说明
[0028]图1为本技术的实施例提供的新型单层介质波导滤波器负耦合结构的结构示意图；
[0029]图2为本技术的其他实施例提供的负耦合窗口的结构示意图。
具体实施方式
[0030]以下结合附图对本技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本技术，并非用于限定本技术的范围。
[0031]如图1所示，一种新型单层介质波导滤波器负耦合结构，该结构包括：设置在第一介质波导谐振腔22侧面的第一负耦合窗口24；设置在第二介质波导谐振腔12侧面的第二负耦合窗口14；其中负耦合窗口在介质波导谐振腔的位置可以根据实际需求确定，而不仅仅是在图示位置。其中，第一介质波导谐振腔22即为图中介质波导谐振腔22，第一负耦合窗口24即为图中负耦合窗口24，第二介质波导谐振腔12即为图中介质波导谐振腔12，第二负耦合窗口14即为图中负耦合窗口14。
[0032]第一介质波导谐振腔22包含第一负耦合窗口24的侧面的电磁屏蔽层与第二介质波导谐振腔12包含第二负耦合窗口14的侧面的电磁屏蔽层连接。
[0033]在某一实施例中，第一耦合窗口24包括：矩形的非电镀区域和嵌套在非电磁屏蔽层的预设形状的电磁屏蔽层区域；第二负耦合窗口14与第一耦合窗口24具有相同结构；其中耦合窗包括非电镀层，即如图2所示的耦合窗口的阴影部分，还包括电磁屏蔽层，即如2图所示的耦合窗的空白部分，其中电磁屏蔽层即为电镀层，阴影部分的形状可以是矩形或正方形，空白部分可以是T型、E型或修改加载部位后的T型。其中如图2所示的a表示负耦合窗口14，阴影部分表示非电镀层16，空白为修改加载部位后即增加了图中T旁边的倒勾部分的T型电镀层15；b表示负耦合窗口24，阴影部分表示非电镀层26，空白为修改加载部位后即增加了图中T旁边的倒勾部分的T型电镀层25。
[0034]第一负耦合窗口24与第二负耦合窗口14连接，避开矩形的非电镀区域。
[0035]本方案通过第一负耦合窗口24与第二负耦合窗口14避开矩形的非电镀区域连接的结构实现了介质波导滤波器在干压成型还是金属化上，制作难度都大大减小，制作精度也可以轻松保证，有利于量产效率和制造良率的提升。
[0036]在另一实施例中，预设形状可以包括T型、E型或修改加载部位后的T型。其中，修改加载部位后的T型，如图2所示，通过在T型的基础上，在加载部位翻边进一步增大加载尺寸，使得负耦合结构总长再次减小，其翻边长度可以为任意值，总长越小，使得负耦合精度更高。
[0037]本方案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型单层介质波导滤波器负耦合结构，其特征在于，包括：设置在第一介质波导谐振腔(22)侧面的第一负耦合窗口(24)；设置在第二介质波导谐振腔(12)侧面的第二负耦合窗口(14)；所述第一介质波导谐振腔(22)包含所述第一负耦合窗口(24)的侧面的电磁屏蔽层与所述第二介质波导谐振腔(12)包含所述第二负耦合窗口(14)的侧面的电磁屏蔽层连接。2.根据权利要求1所述的一种新型单层介质波导滤波器负耦合结构，其特征在于，所述第一负耦合窗口(24)包括：矩形的非电镀区域和嵌套在非电磁屏蔽层的预设形状的电磁屏蔽层区域；所述第二负耦合窗口(14)与所述第一负耦合窗口(24)具有相同结构；所述第一负耦合窗口(24)与所述第二负耦合窗口(14)连接，避开矩形的非电镀区域。3.根据权利要求2所述的一种新型单层介质波导滤波器负耦合结构，其特征在于，所述预设形状包括T型、E型或修改加载部位后的T型。4.根据权利要求1或3所述的一种新型单层介质波导滤波器负耦合结构，其特征在于，所述第一负耦合窗口(24)的长度大于所述第一介质波导谐振腔(22)厚度的1/2；所述第二负耦合窗口(14)...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍新平，何婉婧，尹汐漾，
申请(专利权)人：西安烽矩电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：