OLED发光器件、显示装置和OLED发光器件的制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种OLED发光器件、采用了该OLED发光器件的显示装置和OLED发光器件的制备方法，采用透明的ITO作为OLED发光器件的阳极层，在阳极层底部设置反射层，并在阳极层和反射层之间设置介电层，反射层、介电层和阳极层构成第一电极，第一电极、OLED发光层和第二电极构成光学谐振腔，通过设置一定厚度的介电层，增加了OLED发光器件光学谐振腔的腔体长度，使其对发光光谱内多个波长的光均有增强发射的作用，解决了现有的OLED发光器件因为微腔效应而产生的视角窄和色度偏移的问题。

【技术实现步骤摘要】
OLED发光器件、显示装置和OLED发光器件的制备方法
本申请涉及显示
，具体涉及一种OLED发光器件、采用了该OLED发光器件的显示装置、和该OLED发光器件的制备方法。
技术介绍
与传统的液晶平板显示相比，有机发光二极管(OrganicLight-emittingDiode，OLED)具有高效率、高对比度、高响应速度等优势，近年来得到了越来越广泛的使用。按照光的出射方式可将OLED分为底发光型和顶发光型两种，底发光结构出光效率受限于面板的开口率，难以有效利用光源，要想达到所需要的亮度，OLED发光器件必须在高亮度状态运行，其发光效率不高，使用寿命短，而顶发光的结构由于避开了面板底层线路的影响，开口率得到了提高，其发光效率和使用寿命都得到了提升。如图1所示，现有顶发光OLED器件结构组成依次为薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)基板14，反射阳极13，OLED发光层12(包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层)和半反半透阴极11，OLED发光层12两侧设有像素界定层111；半反半透阴极1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED发光器件，包括TFT基板、第一电极、OLED发光层和第二电极；/n所述TFT基板、第一电极、OLED发光层和第二电极极沿所述OLED发光层的出光方向依次设置；/n所述第一电极、OLED发光层和第二电极构成光学谐振腔，所述光学谐振腔的腔体长度在3微米以上。/n

【技术特征摘要】
1.一种OLED发光器件，包括TFT基板、第一电极、OLED发光层和第二电极；
所述TFT基板、第一电极、OLED发光层和第二电极极沿所述OLED发光层的出光方向依次设置；
所述第一电极、OLED发光层和第二电极构成光学谐振腔，所述光学谐振腔的腔体长度在3微米以上。


2.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述第一电极的反射率大于所述第二电极的反射率，所述第一电极的透光率小于所述第二电极的透光率。


3.根据权利要求2所述的OLED发光器件，其特征在于，所述第一电极由反射层和光程调节层组成，所述反射层和所述光程调节层沿所述OLED发光层的出光方向依次设置，所述光程调节层的厚度在1微米以上。


4.根据权利要求3所述的OLED发光器件，其特征在于，所述光程调节层包括介电层和阳极层，所述介电层和所述阳极层沿所述OLED发光层的出光方向依次设置，所述介电层的厚度在1微米以上。


5.根据权利要求4所述的OLED发光器件，其特征在于，所述介电层的材料为透明聚酰亚胺，所述介电层的厚度为5～10微米。


6.根据权利要求4所述的OLED发光器件，其特征在于，所述阳极层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵阳峰，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42