OLED显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术实施例提供的OLED显示面板包括阵列层，阵列层包括TFT器件、以及设置在TFT器件上方的钝化层，钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第二钝化层的阻隔水氧能力大于第一钝化层的阻隔水氧能力；通过将钝化层设置为两层结构，其中一层起到好的阻挡水氧的作用，缓解了钝化层上方和外界的水氧变化对TFT器件的影响。

【技术实现步骤摘要】
OLED显示面板及其制备方法
本专利技术涉及OLED显示
，尤其涉及一种OLED显示面板和OLED显示面板的制备方法。
技术介绍
现有顶栅型TFT的OLED显示面板内，在钝化层上方以及外界的氢氧含量变化会对TFT器件造成影响，具体的，氢氧可能会穿过钝化层影响到有源层的沟道区，进而影响TFT的电性和稳定性，因此，现有OLED显示面板存在钝化层阻挡氢氧效果差，进而影响TFT的电性和稳定性的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种OLED显示面板，可缓解现有OLED显示面板存在钝化层阻挡氢氧效果差，进而影响TFT的电性和稳定性的技术问题。本专利技术实施例提供一种OLED显示面板，包括衬底基板、阵列层、像素定义层、发光功能层、封装层，其特征在于，所述阵列层包括：设置在所述衬底基板上的遮光层；以及依次设置在所述遮光层上的缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极层、层间绝缘层、钝化层、源漏极层、平坦层；其中，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第二钝化层的阻隔水氧能力大于所述第一钝化层的阻隔水本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED显示面板，包括衬底基板、阵列层、像素定义层、发光功能层、封装层，其特征在于，所述阵列层包括：/n设置在所述衬底基板上的遮光层；以及/n依次设置在所述遮光层上的缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极层、层间绝缘层、钝化层、源漏极层、平坦层；/n其中，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第二钝化层的阻隔水氧能力大于所述第一钝化层的阻隔水氧能力。/n

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板，包括衬底基板、阵列层、像素定义层、发光功能层、封装层，其特征在于，所述阵列层包括：
设置在所述衬底基板上的遮光层；以及
依次设置在所述遮光层上的缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极层、层间绝缘层、钝化层、源漏极层、平坦层；
其中，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第二钝化层的阻隔水氧能力大于所述第一钝化层的阻隔水氧能力。


2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一钝化层设置在所述第二钝化层上。


3.如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第二钝化层在所述衬底基板上的正投影与所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影重合。


4.如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有源层包括沟道区和所述沟道区两侧的源漏掺杂区，所述第二钝化层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层沟道区在所述衬底基板上的正投影。


5.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第二钝化层的制备材料为氧化铝、氧化镁、氧化钛中的至少一种，所述第一钝化层的制备材料为氧化硅、氮化硅中的至少一种。


6.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第二钝化层的膜层厚度小于所述第一钝化层的膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵舒宁，周星宇，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44