光电转换元件、固体摄像装置和电子设备制造方法及图纸

根据本发明专利技术一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料在单层膜形式下的空穴迁移率高于所述第二有机半导体材料的单层膜的空穴迁移率。

【技术实现步骤摘要】
光电转换元件、固体摄像装置和电子设备本申请是申请日为2016年5月19日、专利技术名称为“光电转换元件和固体摄像装置”的申请号为201680029802.2的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及使用例如有机半导体的光电转换元件和包括该光电转换元件的固体摄像装置。
技术介绍
近年来，在诸如CCD(电荷耦合装置；ChargeCoupledDevice)图像传感器和CMOS(互补金属氧化物半导体；ComplementaryMetalOxideSemiconductor)图像传感器等固体摄像装置中，像素尺寸的缩小已经加快了。像素尺寸的缩小使得入射至单位像素中的光子数减少了，从而导致了灵敏度的降低和信噪比的降低。此外，在将包括红色、绿色和蓝色的原色颜色滤光片在内的二维阵列颜色滤光片用于彩色化(colorization)的情况下，在红色像素中，颜色滤光片会吸收绿色光和蓝色光，导致灵敏度降低。此外，为了生成各颜色信号，执行了像素的插值处理，这就会产生所谓的伪色。因此，例如，专利文献1公开了一种使用具有多层结构的有机光电转换膜的图像传感器，在该本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电转换元件，其包括：/n相互面对的第一电极和第二电极；以及/n光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料，/n所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物，/n所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数，并且/n所述第三有机半导体材料在单层膜形式下的空穴迁移率高于所述第二有机半导体材料的单层膜的空穴迁移率。/n

【技术特征摘要】
20150529 JP 2015-110900;20160331 JP 2016-0721971.一种光电转换元件，其包括：
相互面对的第一电极和第二电极；以及
光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料，
所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物，
所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数，并且
所述第三有机半导体材料在单层膜形式下的空穴迁移率高于所述第二有机半导体材料的单层膜的空穴迁移率。


2.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值。


3.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，在所述光电转换层中，通过所述第二有机半导体材料的光吸收而产生的激子在选自所述第一有机半导体材料、所述第二有机半导体材料和所述第三有机半导体材料中的两个有机半导体材料之间的界面处被分离。


4.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述光电转换层的极大吸收波长在450nm以上且650nm以下的范围内。


5.如权利要求1至4中任一项所述的光电转换元件，其中，所述第一有机半导体材料是富勒烯。


6.如权利要求5所述的光电转换元件，其中，所述第一有机半导体材料包括C60富勒烯。


7.如权利要求5所述的光电转换元件，其中，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川雄大，松泽伸行，尾花良哲，竹村一郎，中山典一，下川雅美，山口哲司，八木岩，茂木英昭，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP