一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器，该探测器的结构为：以单晶硅衬底为基底，单晶硅衬底的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构；在单晶硅衬底的下表面转移有一层石墨烯薄膜，形成硅‑石墨烯肖特基结；在石墨烯薄膜的下表面设置有量子点层。本发明专利技术的光电探测器具有自驱动、可见光盲、近红外窄带响应、响应速度快等优势，同时还具有兼容性强、稳定性高、易制备、成本低等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器
本专利技术涉及一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器，属于半导体光电器件

技术介绍
近些年来的高新技术例如人工智能、无人驾驶、智慧医疗无一例外需要光电探测过程的参与，光电探测技术成为了建造未来科技大厦的基石。在这其中，近红外波段由于其较强的穿透性与稳定性冠绝其它波段，在临床医学、光学成像等方面有着巨大的应用价值。然而，近红外短波段(780～1100nm)作为人们最早发现的非可见光区域极其容易受到可见光(400-780nm)的干扰。在一些特殊应用例如临床医学，迫切需要一种具有高灵敏度、高速稳定等特点的特殊波段窄带探测器。当前，窄带光探测器的一种实现策略是在宽光谱光电探测器的基础上加入滤光结构，通过设计一层层的滤光片来过滤非目标波段光来实现窄带探测。这种策略限制了器件的小型化，增加了器件设计与制造的难度，同时高品质的滤光片倍增了器件的制造成本。越来越多的报道开始从器件材料和结构的角度入手，探索高性能的光电探测器制备方案。例如基于钙钛矿材料和光学微腔制备的窄带探测器(F.Cao；J.Chen；H.Ze本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器，其特征在于：所述红外光电探测器是以单晶硅衬底(2)为基底，所述单晶硅衬底的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构；在所述单晶硅衬底(2)的下表面转移有一层石墨烯薄膜(3)，形成硅-石墨烯肖特基结；在所述石墨烯薄膜(3)的下表面设置有量子点层(4)；/n在所述单晶硅衬底(2)的上表面设置有顶电极(1)，在所述石墨烯薄膜(3)的下表面设置有底电极(5)，所述顶电极(1)与所述单晶硅衬底(2)形成欧姆接触，所述底电极(5)与所述石墨烯薄膜(3)形成欧姆接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器，其特征在于：所述红外光电探测器是以单晶硅衬底(2)为基底，所述单晶硅衬底的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构；在所述单晶硅衬底(2)的下表面转移有一层石墨烯薄膜(3)，形成硅-石墨烯肖特基结；在所述石墨烯薄膜(3)的下表面设置有量子点层(4)；
在所述单晶硅衬底(2)的上表面设置有顶电极(1)，在所述石墨烯薄膜(3)的下表面设置有底电极(5)，所述顶电极(1)与所述单晶硅衬底(2)形成欧姆接触，所述底电极(5)与所述石墨烯薄膜(3)形成欧姆接触。


2.根据权利要求1所述的自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器，其特征在于：所述单晶硅衬底(...

【专利技术属性】
技术研发人员：于永强，夏宇，张浩，张涛，许高斌，陈士荣，马渊明，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34