一种连续可控斯格明子移动和钉扎的器件和方法技术

本发明专利技术公开了一种连续可控斯格明子移动和钉扎的器件和方法，包括：压电层，由铁电材料制成；铁磁薄膜条带，设置于压电层上；底电极，以栅极形式设置于压电层下与铁磁薄膜条带对应的位置，连接电压源。工作时，与铁磁薄膜条带紧密贴合的压电层因施加电压而产生应变梯度，通过应变梯度完成斯格明子信号的稳定移动和准确钉扎。本发明专利技术的实质性效果包括：放弃了传统驱动方式的电流驱动，通过将压电材料和磁致伸缩材料结合，利用电场就可以完成斯格明子信号的稳定移动和准确钉扎，克服了存储单元体积增加、存储器件功耗增加和边界淹没等缺点，并可以将斯格明子信号准确钉扎在信号读取器处。

【技术实现步骤摘要】
一种连续可控斯格明子移动和钉扎的器件和方法
本专利技术涉及自旋电子学领域，特别涉及一种连续可控斯格明子移动和钉扎的器件和方法。
技术介绍
微电子技术在过去的半个世纪中，一直沿着著名的摩尔定律快速发展，现在已经发展到可以将数百亿晶体管集成到一个芯片上，但是随着晶体管尺寸的缩小,量子效应所产生的漏电流的热效应这一弊端显现出来。但是随着自旋电子技术的引入和发展，有望突破热效应的弊端。斯格明子是一种具有拓扑保护的类粒子自旋结构，由于其特殊的拓扑性质，斯格明子具有尺寸小、结构稳定、驱动阈值电流小等的优点，特别是斯格明子在室温下的成核、输运及探测更是进一步验证了其广泛的应用潜力。如授权公告号CN108492845B公开了一种基于磁性斯格明子的赛道存储器。斯格明子器件现在已经有了一定的发展，在信息的写入、调控及读取等方面的发展也已经取得了很大的成功，斯格明子的稳定性和很低的启动电流密度是它备受关注的原因。但是现在的斯格明子的移动多是采用注入自旋极化电流和布置金属带线产生奥斯特场，就不可避免地导致存储单元体积增加、存储器件功耗增加和边界淹没，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种连续可控斯格明子移动和钉扎的器件，其特征在于，包括：/n压电层，由铁电材料制成；/n铁磁薄膜条带，设置于压电层上；/n底电极，以栅极形式设置于压电层下与铁磁薄膜条带对应的位置，连接电压源。/n

【技术特征摘要】
1.一种连续可控斯格明子移动和钉扎的器件，其特征在于，包括：
压电层，由铁电材料制成；
铁磁薄膜条带，设置于压电层上；
底电极，以栅极形式设置于压电层下与铁磁薄膜条带对应的位置，连接电压源。


2.根据权利要求1所述的一种连续可控斯格明子移动和钉扎的器件，其特征在于，底电极的宽度与铁磁薄膜条带一致。


3.根据权利要求1或2所述的一种连续可控斯格明子移动和钉扎的器件，其特征在于，所述底电极栅极之间的宽度范围为20-60nm。


4.一种连续可控斯格明子移动和钉扎的方法，用于如权利要求1所述的一种连续可控斯格明...

【专利技术属性】
技术研发人员：郁国良，徐晓飞，施胜宾，年迪青，崔淑婷，邱阳，杨浛，朱明敏，周浩淼，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33