一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器及其制作方法技术

本发明专利技术属半导体技术领域，具体涉及一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器及其制作方法，包括：管座、第一光电芯片、陶瓷基板、第二光电芯片以及管帽；所述第一光电芯片固定在管座上；所述陶瓷基板固定在管座上，且第一光电芯片位于陶瓷基板的正下方；所述第二光电芯片固定在陶瓷基板的上表面；所述第一光电芯片和第二光电芯片的电极通过引线与管座的接线柱连接；采用储能焊的方式将管帽焊接在管座上，使光电探测器的内部器件处于密封环境；本发明专利技术通过器件内部封装结构设计，形成了双芯片垂直叠层的宽光谱探测器封装结构，实现了在无分光系统的情况下对单一光源在近红外光和可见光两部分信号的同步探测。

【技术实现步骤摘要】
一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器及其制作方法
本专利技术属半导体
，具体涉及一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器及其制作方法。
技术介绍
光电探测器是以光电二极管芯片(简称“光电芯片”)作为转换元件的传感器。它可用于检测光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等，也可用来检测零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度物理量，以及物体的形状、工作状态的识别等。光电探测器具有非接触、响应快等特点，在工业自动化中获得广泛应用。宽光谱光电探测器内置铟镓砷(简称InGaAs)、硅(简称Si)两种材料的芯片，在一个器件上实现近红外波段和可见波段两部分波长范围内光信号的同步探测。由宽光谱探测器所构建的探测系统在噪声消除、准确性效验、速度测量等功能上具有独特的优势。因此，宽光谱探测器在工程应用中有单色光电探测器难以替代的实用价值。例如专利授权公告号为CN204388871U的《一种双波段光电传感器》公布了一种器件，包括：传感器底座、第一陶瓷基板、第二陶瓷基板和管帽，所述传感器底座上端的接地面设有多个接线柱并与接地面用绝缘材料隔离，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器，其特征在于，包括：管座(1)、第一光电芯片(2)、陶瓷基板(3)、第二光电芯片(4)以及管帽(5)；/n所述第一光电芯片(2)固定在管座(1)的顶部平面；所述陶瓷基板(3)固定在管座(1)上，且第一光电芯片(2)位于陶瓷基板(3)的正下方；所述第二光电芯片(4)固定在陶瓷基板(3)的上表面；所述第一光电芯片(2)和第二光电芯片(4)的电极通过导线与管座(1)的接线柱连接；采用储能焊的方式将管帽(5)焊接在管座上，使光电探测器內腔中的器件处于密封环境。/n

【技术特征摘要】
1.一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器，其特征在于，包括：管座(1)、第一光电芯片(2)、陶瓷基板(3)、第二光电芯片(4)以及管帽(5)；
所述第一光电芯片(2)固定在管座(1)的顶部平面；所述陶瓷基板(3)固定在管座(1)上，且第一光电芯片(2)位于陶瓷基板(3)的正下方；所述第二光电芯片(4)固定在陶瓷基板(3)的上表面；所述第一光电芯片(2)和第二光电芯片(4)的电极通过导线与管座(1)的接线柱连接；采用储能焊的方式将管帽(5)焊接在管座上，使光电探测器內腔中的器件处于密封环境。


2.根据权利要求1所述的一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器，其特征在于，所述管座(1)为阶梯圆柱状结构，所述管座(1)的侧面设置有用于夹具定位的径向定位销(16)。


3.根据权利要求1所述的一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器，其特征在于，所述管座(1)设置有四根接线柱，四根接线柱通过绝缘材料与管座(1)形成电学隔离；所述四根接线柱包括：第一低接线柱(11)、第二低接线柱(12)、第一高接线柱(13)以及第二高接线柱(14)。


4.根据权利要求3所述的一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器，其特征在于，第一高接线柱(13)、第二高接线柱(14)与第一低接线柱(11)、第二低接线柱(12)的高度差为0.50mm～1.00mm。


5.根据权利要求1所述的一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器，其特征在于，所述第一光电芯片(2)采用InGaAs半导体材料，芯片的第一P电极(21)、第一N电极(22)的金属焊盘均位于芯片第一光敏面(23)同侧，第一P电极(21)的金属焊盘与第一光敏面(23)连接。


6.根据权利要求1所述的一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器，其特征在于，所述陶瓷基板(3)为中空板凳结构，陶瓷基板(3)的四个顶角的下方分别设置有支撑脚(32)；陶瓷基板(3)的中心设置有中心通孔(31)；所述陶瓷基板(3)的上表面设置有金属凸层，用于支撑第二光电芯片(4)。


7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：董绪丰，崔大健，柴松刚，刘焱，龙先美，任丽，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;50